1.一种提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：所述结构从下向上包括：衬底、GaN或者AlN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlGaN层，掩膜介质层和绝缘栅介质层，在晶元表面定义了栅极区域以及源、漏区域，栅极区域下面的掩膜介质层和AlGaN层被刻蚀掉以形成常关的增强型器件。
2.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：其中的衬底材料为Si、SiC、蓝宝石。
3.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：InGaN层中In的组分在0和1之间。
4.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：InGaN层的厚度在0和20nm之间。
5.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：沟道GaN层的厚度在0和20nm之间。
6.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：所述掩膜介质层的材料可以为：Si3N4、SiO2、SiON。
7.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：其中的绝缘栅介质层材料为以下材料中的任意一种：Si3N4、Al2O3、AlN、HfO2、SiO2、HfTiO、Sc2O3、Ga2O3及SiNO。
8.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：其中的源极和漏极材料为：钛、铝、镍、金、铂、铱、钼、钽、铌、钴、锆、钨等中的一种或多种的合金。
9.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：其中的栅极金属为以下导电材料的一种或多种的组合：铂、铱、镍、金、钼、钯、硒、铍、TiN、多晶硅、ITO。
10.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：栅极区域下面的掩膜介质层可以通过ICP或者RIE干法刻蚀实现。
11.根据权利要求1所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：栅极区域下的AlGaN层可以通过湿法腐蚀、电化学腐蚀、干法刻蚀以及干法刻蚀和湿法腐蚀结合的方法实现。
12.根据权利要求11所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，湿法腐蚀的方法可以为：先用氧等离子体、臭氧、双氧水或其他具有强氧化性的媒介氧化AlGaN，再用盐酸腐蚀掉氧化物。
13.根据权利要求11所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，湿法腐蚀的方法可以为：先高温氧化AlGaN，再用KOH腐蚀掉氧化物。
14.根据权利要求11所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，干法刻蚀的方法可以为：ICP刻蚀AlGaN。
15.根据权利要求11所述的提高GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，干法刻蚀和湿法腐蚀结合的方法可以为：先用ICP刻蚀一部分AlGaN，再用湿法腐蚀去除残留的AlGaN。