技术总结
本发明公开了半导体器件及其形成方法。该器件包括半导体衬底，半导体衬底包括第一半导体材料并且具有多个隔离部件，从而限定第一有源区和第二有源区；第一鳍式半导体部件，包括第二半导体材料并且形成在第一有源区中；以及第二鳍式半导体部件，包括第二半导体材料并且形成在第二有源区中。第一鳍式半导体部件是拉伸应变的并且第二鳍式半导体部件是压缩应变的。本发明涉及用于FinFET器件的方法和结构。
技术研发人员：刘致为;杜文仙;黄仕贤;彭成毅;张智胜;杨育佳
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201510216889
技术研发日：2015.04.30
技术公布日：2016.12.07