1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底上依次形成有待加工层、第一掩膜层、第一图形，所述第一图形包括关键尺寸图形；
形成第一阻挡层，所述第一阻挡层厚度不超过第一图形中最邻近图形的间距的一半；
填充凹槽以形成具有平整表面的第二阻挡层，并在表面之上形成第二图形；
以第二图形为掩膜进行刻蚀，直至暴露待加工层，在第一掩膜层中形成第一掩膜层图形；
以第一掩膜层图形为掩膜对待加工层进行加工。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图形通过侧墙图形转移的方法形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充凹槽以形成具有平整表面的第二阻挡层包括：
在第一阻挡层之上填充第二阻挡层；
进行表面平坦化。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成第二图形包括：
在第二阻挡层上依次形成第二掩膜层和光罩层，所述光罩层中包括用于形成第二图形的图案以及第一图形的修正图案；
以光罩层为掩膜，进行第二掩膜层的刻蚀，在第二掩膜层中形成第二图形。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以第二图形为掩膜进行刻蚀，直至暴露待加工层，形成第一掩膜层图形包括：
以第二图形为掩膜进行刻蚀，直至暴露和/或部分刻蚀第一掩膜层；
去除第二阻挡层及其上所有层；
以第一图形及刻蚀后的第一阻挡层为掩膜进行刻蚀直至暴露待加工层，形成第一掩膜层图形。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底上依次形成有待加工层、第一掩膜层、第一图形，所述第一图形包括关键尺寸图形；
形成第一阻挡层，所述第一阻挡层厚度不超过第一图形最邻近尺寸的一半；
填充凹槽以形成平整表面，并在表面之上形成第二图形；
以第二图形为掩膜进行刻蚀，刻蚀部分厚度的待加工层，以形成第一开口；
去除第一阻挡层及其上所有层，以第一图形为掩膜，对待加工层进行刻蚀，以在第一开口处形成通孔，同时，去除第一开口之外的部分厚度的待加工层以形成第二开口。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述以第二图形为掩膜进行刻蚀，刻蚀部分厚度的待加工层，以形成第一开口：
以第二图形为掩膜进行刻蚀，直至暴露和/或部分刻蚀第一掩膜层；
去除凹槽填充材料及其上所有层；
以第一图形及刻蚀后的第一阻挡层为掩膜进行刻蚀，形成第一掩膜层图形；
以第一掩膜层图形为掩膜进行刻蚀，刻蚀部分厚度的待加工层，以形成第一开口。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二图形用于形成包括金属互连工艺中的层间通孔。
9.根据权利要求1至7所述的方法，其特征在于，采用高温热氧化或刻蚀工艺去除第一阻挡层之上所有层，所述高温热氧化或刻蚀工艺不能伤害第一图形；
所述第二阻挡层包括以下任一种及其叠层：无定形碳层、光刻胶层。