高产能半导体薄膜沉积装置的制作方法

本发明涉及一种沉积设备，尤其是高产能半导体薄膜沉积装置，主要应用于半导体设备。

背景技术：

随着半导体技术的发展，需要提高设备工作效率。目前反应腔与储存腔、传片腔单一循环进行工艺，设备的等待时间长。

技术实现要素：

针对上述现有技术的不足，本发明提供了高产能半导体薄膜沉积装置。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：高产能半导体薄膜沉积装置，包括前置设备(1)、储存腔(2)、传片腔(3)及反应腔(4)。前置设备(1)通过门阀与储存腔(2)连接，晶圆升降机构处于储存腔(2)内。储存腔(2)与传片腔(3)连接。传片腔(3)与三个反应腔(4)连接。储存腔(2)内安装晶圆升降机构。传片腔(3)内安装双层机械手。

本发明的有益效果及特点：结构紧凑合理，前置设备(1)通过门阀与储存腔(2)连接，传片腔(3)与三个反应腔(4)连接。储存腔内安装晶圆升降机构。传片腔(3)安装双层机械手，可以满足使用要求。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

图2是图1的A-A剖视图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清晰、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1和图2所示：高产能半导体薄膜沉积装置，包括前置设备1、储存腔2、传片腔3及反应腔4。前置设备1通过门阀与储存腔2连接，晶圆升降机构6处于储存腔2内。储存腔2与传片腔3连接。传片腔3与三个反应腔4连接。储存腔2内安装晶圆升降机构6。传片腔3内安装双层机械手5。

当反应腔进行工艺时，传片可以继续进行传片，以满足使用要求。