技术总结
高产能半导体薄膜沉积装置，包括前置设备(1)、储存腔(2)、传片腔(3)及反应腔(4)。前置设备(1)通过门阀与储存腔(2)连接，晶圆升降机构处于储存腔(2)内。储存腔(2)与传片腔(3)连接。传片腔(3)与三个反应腔(4)连接。储存腔(2)内安装晶圆升降机构。传片腔(3)内安装双层机械手。本发明结构紧凑合理，可以满足使用要求。
技术研发人员：刘忆军;续震;王燚
受保护的技术使用者：沈阳拓荆科技有限公司
文档号码：201510457980
技术研发日：2015.07.29
技术公布日：2017.05.24