技术总结
本发明公开了一种基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法，包括应用激光直写工艺刻写刻蚀结构图形步骤：首先控制激光直写的曝光光斑沿光刻胶层的第一方向刻写，形成一行的曝光光斑，然后再逐行刻写，最终在光刻胶层上形成M行×N列的曝光光斑，其中，曝光光斑的直径为D，曝光光斑的步进均为d，并且；其中，在进行第i行至第i+m-1行的第j列至第j+n-1列的刻写时，关闭曝光光斑的功率形成未曝光区域，未曝光区域形成刻蚀结构图形，刻蚀结构图形沿行方向上的长度为L1，沿列方向上的长度为L2，并且，L1＝(m+1)×d-D，L2＝(n+1)×d-D，m和n的取值至少使得L1或L2的值小于曝光光斑的直径D。
技术研发人员：黄荣;张子旸;李智;黄源清;张宝顺
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
文档号码：201510486343
技术研发日：2015.08.10
技术公布日：2017.02.22