1.一种X射线传感器，其特征在于，包括多个X射线传感器像素单元，每个X射线传感器像素单元包括：
本征半导体层；
分别位于本征半导体层的相对的两个表面上的第一类型掺杂层和第二类型掺杂层，其中，第一类型掺杂层的外轮廓为正六边形；
位于第一类型掺杂层上的电极层；
覆盖电极层的钝化层；
位于电极层上的焊接柱；
其中，多个X射线传感器像素单元规则排列，且呈蜂窝阵列排列，相邻的X射线传感器像素单元的第一类型掺杂层等间隔且错位非正交排列。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述电极层的外轮廓为与第一类型掺杂层同心的正六边形。
3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括包围蜂窝阵列的保护环。
4.一种X射线传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供本征半导体层；
在本征半导体层的相对的两个表面上分别形成第一类型掺杂层和第二类型掺杂层，其中，第一类型掺杂层的外轮廓为正六边形，第一类型掺杂层规则排列，且呈蜂窝阵列排列，相邻的第一类型掺杂层等间隔且错位非正交排列；
在第一类型掺杂层上形成电极层；
覆盖钝化层；
在电极层上形成焊接柱。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，形成第一类型掺杂层至电极层的步骤包括：
在本征半导体层上形成介质层；
刻蚀介质层，在介质层中形成第一注入区，第一注入区的外轮廓为正 六边形，每一条第一注入区规则排列，相邻条的第一注入区等间隔且错位非正交排列；
进行离子注入，在第一注入区的本征半导体衬底中形成第一类型掺杂层；
在第一类型掺杂层上形成电极层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一注入区暴露本征半导体层；
在形成第一注入区之后、进行离子注入之前，还包括：
进行氧化工艺，在第一注入区的暴露的表面上形成氧化物的盖层。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，刻蚀介质层，在介质层中形成第一注入区的步骤包括：
刻蚀部分厚度的介质层，在介质层中形成第一注入区，第一注入区内剩余的介质层为盖层。
8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，形成电极层的步骤包括：
对盖层进行刻蚀，形成与第一类型掺杂层的外轮廓相似且同心的正六边形的接触区；
在接触区上形成电极层。