专利名称：半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体装置，特别涉及在同一绝缘体上硅(Silicon On Insulator, SOI)基板上混合存在二极管和晶体管的X射线传感器。
背景技术：
作为SOI构造的传感器，提出了一种CMOS图像传感器(参照专利文献1)，该CMOS 图像传感器在SOI (Silicon On hsulator)基板上形成有光电二极管和放大用晶体管，该放大用晶体管用于对光电二极管中用硅基板进行光电转换而蓄积的信号电荷进行放大。专利文献1 日本特开2002-1M657号公报在X射线传感器中，为了提高X射线入射时的检测灵敏度，通过作为基板而使用低浓度高电阻基板，或者向基板背面施加数百V的偏压等方法，将基板整体耗尽(Cbpletion) 化。图17是用于说明现有的X射线传感器9的概要纵剖面图。通常，在现有的装置中，将N 型基板100耗尽化时，将形成在低浓度N型基板100内的二极管的正电极即高浓度P型扩散层114与接地180连接，将作为二极管的负电极的高浓度N型扩散层102和N型基板100 的背面的电极120连接到电源170的阳极172，从而向二极管施加反向电压。这时，为了缓解向作为正电极的高浓度P型扩散层114侧扩散的耗尽层内的电场的集中，以覆盖高浓度 P型扩散层114的方式形成低浓度的P型阱扩散层112，从而使二极管的反向耐压升高。但是，由P低浓度的P型阱扩散层112带来的电场缓解效果也是有限的，当向PN 结(junction)施加电压的情况下，向低浓度的P型阱扩散层112侧扩散的耗尽层到达高浓度P型扩散层114时，在高浓度P型扩散层114端电场变强，从而发生击穿。另外，还在低浓度的P型阱扩散层112内电位差变大，在耐压上存在问题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种能够使反向耐压升高的半导体装置。根据本发明，提供一种半导体装置，该半导体装置包括一导电型的第1半导体层；绝缘体层，设置在所述第1半导体层的一主面上；第2半导体层，设置在所述绝缘体层中；有源元件，设置于所述第2半导体层；第1半导体区域，设置于所述第1半导体层的所述一主面，且该第1半导体区域的导电型是与所述一导电型相反的另一导电型；第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，且该第2半导体区域的导电型是所述另一导电型，该第 2半导体区域的杂质浓度比所述第1半导体区域高；第1导电体，设置于在所述绝缘体层中设置的通孔内，与所述第2半导体区域连接；第2导电体，设置在所述绝缘体层上或者所述绝缘体层中，并且是设置在所述第1导电体的周围，从垂直于所述一主面的方向观察时，该第2导电体的外侧端部位于所述第2半导体区域的外侧；第3导电体，设置为将所述第1导电体和所述第2导电体连接起来；和第4导电体，设置为与所述第1半导体层电连接。优选，从垂直于所述一主面的方向观察时，所述第2导电体的所述外侧端部位于所述第1半导体区域的外侧。
另外，优选，所述第2导电体由所述第2半导体层构成。另外，优选，所述有源元件是绝缘栅型场效应晶体管，所述第2导电体由与绝缘栅型场效应晶体管的栅电极相同层的导电体构成。另外，优选，所述第2导电体形成在所述绝缘体层上。另外，优选，还包括第5导电体，该第5导电体设置在所述绝缘体层上，且与所述第 1导电体连接，所述第5导电体与所述第2导电体是相同层并且连续地形成。另外，优选，使所述第1导电体与所述第2导电体以变成同电位的方式进行连接。另外，优选，所述第4导电体在所述第1半导体层的所述一主面以及所述一主面的相反侧的主面上与所述第1半导体层电连接。另外，优选，所述第1半导体层与所述第1半导体区域反向连接。另外，根据本发明，提供一种半导体装置，该半导体装置包括一导电型的第1半导体层；绝缘体层，设置在所述第1半导体层的一主面上；第1半导体区域，设置于所述第1 半导体层的所述一主面，且该第1半导体区域的导电型是与所述一导电型相反的另一导电型；第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，且该第2半导体区域的导电型是所述另一导电型，该第2半导体区域的杂质浓度比所述第1半导体区域高；第1导电体，设置于在所述绝缘体层中设置的通孔内，与所述第2半导体区域连接；第2导电体，设置在所述绝缘体层上或者所述绝缘体层中，并且是设置在所述第1导电体的周围，从垂直于所述一主面的方向观察时，该第2导电体的外侧端部位于所述第2半导体区域的外侧；第3导电体， 其设置为将所述第1导电体和所述第2导电体连接起来；和第4导电体，其设置为与所述第 1半导体层电连接。优选，从垂直于所述一主面的方向观察时，所述第2导电体的所述外侧端部位于所述第1半导体区域的外侧。另外，优选，上述各半导体装置是X射线传感器。根据本发明，提供一种能够使反向耐压升高的半导体装置。
图1是用于说明本发明的第1实施方式的X射线传感器的概要纵剖面图。图2是图1的俯视图。图3是用于说明本发明的第2实施方式的X射线传感器的概要俯视图。图4是用于说明本发明的第3实施方式的X射线传感器的概要纵剖面图。图5是用于说明本发明的第4实施方式的X射线传感器的概要纵剖面图。图6是用于说明本发明的第4实施方式的X射线传感器的制造方法的概要纵剖面图。图7是用于说明本发明的第4实施方式的X射线传感器的制造方法的概要纵剖面图。图8是用于说明本发明的第4实施方式的X射线传感器的制造方法的概要纵剖面图。图9是用于说明本发明的第4实施方式的X射线传感器的制造方法的概要纵剖面图。
图10是用于说明本发明的第4实施方式的X射线传感器的制造方法的概要纵剖 面图。图11是用于说明本发明的第4实施方式的X射线传感器的制造方法的概要纵剖 面图。图12是用于说明本发明的第5实施方式的X射线传感器的概要纵剖面图。图13是用于说明本发明的第6实施方式的X射线传感器的概要纵剖面图。图14是表示本发明的第4、第5、第6实施方式以及现有的X射线传感器的ニ极管 部的施加反向电压时的耐压的图。图15是表示现有的X射线传感器的ニ极管部的电位分布的图。图16是表示本发明的第1实施方式的X射线传感器的ニ极管部的电位分布的图。图17是用于说明现有的X射线传感器的概要纵剖面图。附图标记的说明1、2、9 :X射线传感器， 10:ニ极管，20:M0S 晶体管，100 :N 型基板，101:主面，102 高浓度N型扩散层，102b:内侧端部，103 背面，112 :P型阱扩散层， 112a:端部，113:PN结，114 高浓度P型扩散层，114a:端部，120:电极，130 绝缘体层，132 埋入氧化膜，133 场氧化膜，135 绝缘膜，142、144、145、146、147、149 通孔，152、154、155、156、157、159 埋入导电体，162、164、165、166、167、168、169 导电体，165a、166a、168a 外侧端部，166b:内侧端部，170:电源，172:阳极，174:阴极，180:接地，192、194:导电体，210 半导体层，212、214 半导体区域，222 源极，224 漏极，230:栅绝缘膜，M0:栅电极，242:导电体。
具体实施例方式以下，一边參照附图ー边对本发明的优选实施方式进行说明。(第1实施方式)图1是用于说明本发明的第1实施方式的X射线传感器的概要纵剖面图。图2是 图1的俯视图，为了便于理解，省略了导电体162、164、绝缘体层130。另外，图1是沿着图 2的Xl-Xl线的概要纵剖面图。照图1、图2，本发明的第1实施方式的X射线传感器1包括N型基板100 ；P型阱扩散层112，其设置在N型基板100的一主面101 ；高浓度P型扩散层114，其设置在P型阱扩散层112内；高浓度N型扩散层102，其设置在N型基板100的一主面101 ；电极120，其设置在背面103，该背面103是N型基板100的一主面101的相反侧的主面；绝缘体层130， 其设置在N型基板100的一主面101上；通孔142、144，其设置于绝缘体层130 ；埋入导电体 152，其设置成埋入到通孔142中，与高浓度N型扩散层102连接；埋入导电体154，其设置成埋入到通孔144中，与高浓度P型扩散层114连接；导电体162，其与埋入导电体152连接并设置在绝缘体层130上；导电体164，其与埋入导电体巧4连接并设置在绝缘体层130 上；导电体166，其设置在绝缘体层130上，且是设置在埋入导电体巧4的周围；以及导电体 192，设置为将导电体164与导电体166进行连接。参照图2，对从垂直于N型基板100的一主面101的方向观察时的各构成部分的配置进行说明。埋入导电体1 为正方形，设置在高浓度P型扩散层114的内侧。高浓度P型扩散层114为正方形，设置在P型阱扩散层112的内侧。P型阱扩散层112为正方形。导电体166设置在导电体154的周围，导电体166为正方形，其外侧端部166a位于高浓度P型扩散层114的一主面101中的端部11 的外侧，还位于P型阱扩散层112的一主面101中的端部11 的外侧。此外，导电体166的内侧端部166b也位于P型阱扩散层112的一主面101中的端部11 的外侧。高浓度N型扩散层102为正方形，设置在P型阱扩散层112 的外侧的周围，使得与P型阱扩散层112隔开并包围P型阱扩散层112。埋入导电体152为正方形，位于高浓度N型扩散层102内。若将更加具体的构造作为一个例子来进行说明如下高浓度P型扩散层114是一边为10 μ m的正方形，P型阱扩散层112是一边为20 μ m的正方形，高浓度P型扩散层114 的一主面101中的端部IHa与P型阱扩散层112的一主面101中的端部11 的距离是 5μπι。P型阱扩散层112的一主面101中的端部11 与高浓度N型扩散层102的一主面 101中的内侧端部102b的距离为50 μ m。导电体166的内侧端部166b与P型阱扩散层112 的一主面101中的端部11 的距离为1 μ m，导电体166的外侧端部166a与内侧端部166b 的距离为3 μ m。绝缘体层130例如由四乙基原硅酸盐(TEOS)膜构成，其厚度例如为10000人。 N型基板100的杂质浓度为1.0X IO13CnT3左右，高浓度N型扩散层102的杂质浓度为 1. OX IO21CnT3左右，P型阱扩散层112的杂质浓度为1. OX IO17CnT3左右，高浓度P型扩散层 114的杂质浓度为1.0X IO21CnT3左右。埋入导电体152、154、导电体162、164、166由W构成，电极120由Al构成。高浓度P型扩散层114经由导电体144、164、192、193连接到电源170的阴极174 以及接地180。导电体166经由导电体192、193连接到电源170的阴极174以及接地180。 高浓度P型扩散层114和导电体166成同电位。高浓度N型扩散层102经由埋入导电体 152、导电体162、194连接到电源170的阳极172。设置在N型基板1的背面103的电极120 经由导电体194连接到电源170的阳极172。在本实施方式的X射线传感器中，为了提高X射线入射时的检测灵敏度，通过使用低浓度高电阻基板作为N型基板100，对N型基板100施加数百V的偏压等方法，将N型基板100整体耗尽化。在将N型基板100耗尽化时，将形成在低浓度N型基板100内的二极管的正电极即高浓度P型扩散层114与接地180连接，并将二极管的负电极即高浓度N型扩散层102和N型基板100背面的电极120连接到电源170的阳极172，从而向二极管施加反向电压。这时，为了缓解向作为正电极的高浓度P型扩散层114侧扩散的耗尽层内的电场的集中，以覆盖高浓度P型扩散层114的方式形成低浓度的P型阱扩散层112，从而使二极管的反向耐压升高。在本实施方式的X射线传感器中，更以包围高浓度P型扩散层114以及低浓度P型阱扩散层112的方式形成导电体166，并将导电体166与接地180连接。这时，导电体166 作为场板(field plate)而工作，通过抑制P型阱扩散层112侧电位的上升来减小P型阱扩散层112内的电位差。图16是表示本发明的第1实施方式的X射线传感器的二极管部的电位分布的图。 当通过电源170向X射线传感器的二极管部加上300V的反向电压时，由P型阱扩散层112 与N型基板100形成的PN结113附近的电位约为25V。相对于此，在如图17所示的虽设置了 P型阱扩散层112，但未设置导电体166的X射线传感器9中，如图15所示，由P型阱扩散层112与N型基板100形成的PN结113附近的电位约为80V。如此，通过设置导电体166，并利用导电体192将导电体166与高浓度P型扩散层 114进行连接，可通过抑制P型阱扩散层112侧电位的上升而减小P型阱扩散层112内的电位差。优选，导电体166的外侧端部166a至少比高浓度P型扩散层114的端部11 靠向外侧。由此，能够缓解高浓度P型扩散层114的端部11 处的电场，能够使二极管的反向耐压升高。更优选，导电体166的外侧端部166a位于P型阱扩散层112的端部11 的外侧。由此，能够抑制由P型阱扩散层112与N型基板100形成的PN结113附近的电位的上升，能够减小P型阱扩散层112内的电位差，能够使二极管的反向耐压升高。接下来，对本实施方式的X射线传感器1的制造方法进行说明。首先，准备N型基板100，通过离子注入等在N型基板100的一主面101中形成P 型阱扩散层112，然后，通过离子注入等在P型阱扩散层112内形成比P型阱扩散层112浅且杂质浓度高的高浓度P型扩散层114。接下来，通过离子注入等在N型基板100的一主面 101中形成比N型基板100杂质浓度高的高浓度N型扩散层102。接下来，通过TEOS在N型基板100的一主面101上形成绝缘体层130。然后，在绝缘体层130中形成通孔142、144。然后，分别在通孔142、144中埋入W制埋入导电体152、 154。然后，在绝缘体层130上有选择地形成W制导电体162、164、166。然后，用Al在N型基板100的背面103形成电极120。(第2实施方式)在第1实施方式中，高浓度P型扩散层114、P型阱扩散层112、导电体166、高浓度 N型扩散层102、埋入导电体152等为正方形，但由于还可以设置成顶点数为多个的多边形或如图3所示的圆形等构造，以此来进一步缓解P型阱扩散层112内的电场，因此可预期耐压升高的效果。本实施方式中，除了对于这些构成要素的平面形状，其它与第1实施方式相同。(第3实施方式)在第1、2实施方式中，将导电体166和连接到高浓度P型扩散层114的导电体164 构成为相互分离的独立的导电体，并通过导电体192连接导电体166与导电体164，但在本实施方式中，将相同配线层的导电体166与导电体164—体化而形成为具有连续构造的导电体168，这点与第1、2实施方式不同，其它的点相同。优选，导电体168的外侧端部168a位于P型阱扩散层112的端部11 的外侧。由此，能够抑制由P型阱扩散层112与N型基板100形成的PN结附近的电位的上升，能够减小P型阱扩散层112内的电位差，能够使二极管的反向耐压升高。此外，即使导电体168的外侧端部168a位于P型阱扩散层112的端部11 的内侧，电场缓解的效果虽会降低，但还是可以预期耐压升高的效果。在该情况下，优选，导电体 168的外侧端部168a至少比高浓度P型扩散层114的端部11 靠向外侧。由此，能够缓解高浓度P型扩散层114的端部11 处的电场，能够使二极管的反向耐压升高。(第4实施方式)在上述第1 第3实施方式中，使用低杂质浓度高电阻的N型基板100形成了二极管，但不适于在同一基板100内形成电路动作用MOS等。为了解决这一问题，作为第4实施方式，如图5所示，使用SOI (Silicon On Insulator)基板，该SOI基板例如包括下侧的厚度为700 μ m左右且比电阻为IOkQ · cm的低杂质浓度高电阻的N型基板100、在N型基板100的一主面101上设置的例如厚度为2000人左右的埋入氧化膜132、以及在埋入氧化膜132上设置的例如厚度为880人左右且比电阻为10 Ω · cm的P型的半导体层210。另外，在上述第1、2实施方式中，将设置在绝缘体层130上的导电体166和连接在高浓度P型扩散层114上的导电体164用导电体192连接起来使电场缓解；但在本实施方式中，将半导体层210设置成与上述第1、2实施方式的导电体166相同的形状，并将半导体层210作为半导体区域214 (例如通过N型杂质注入等将杂质浓度设定为1. OX IO21CnT3)， 然后，通过导电体192，将经由被埋入到设置在绝缘体层130中的通孔145中的埋入导电体 155而连接到半导体区域214上的设置在绝缘体层130中的连接导电体165、和连接在高浓度P型扩散层114上的导电体164连接起来使电场缓解，其中，该导电体165设置在绝缘体层130上，该导电体164与高浓度P型扩散层114连接。如此，在本实施方式中，关于检测X射线的二极管10，将第1、2实施方式的设置在绝缘体层130上的导电体166设置成绝缘体层130中的半导体区域214，这点与第1、2实施方式不同，其它的点是相同的。图1、图3所示的俯视图的形状也是相同的。半导体区域214的外侧端部21 与P型阱扩散层112的端部11 、高浓度P型扩散层114的端部11 的关系，也和导电体166的外侧端部166a与P型阱扩散层112的端部112a、高浓度P型扩散层114的端部11 的关系相同。也就是说，优选，半导体区域214 的外侧端部21 至少比高浓度P型扩散层114的端部11 靠向外侧。由此，能够缓解高浓度P型扩散层114的端部IHa处的电场，能够使二极管的反向耐压升高。进一步优选， 半导体区域214的外侧端部21 位于P型阱扩散层112的端部11 的外侧。由此，能够抑制由P型阱扩散层112与N型基板100形成的PN结113附近的电位的上升，能够减小P 型阱扩散层112内的电位差，能够使二极管的反向耐压升高。与二极管10隔开的区域的半导体层210上设置有MOS晶体管20。MOS晶体管20 包括半导体区域212，其与半导体层210的二极管10相互隔离；栅绝缘膜230，其设置在半导体区域212上；栅电极M0，其设置在栅绝缘膜230上；以及源极222和漏极224，其设置于栅电极MO的两侧的半导体区域212。源极222通过埋入到设置在绝缘体层130中的通孔147中的埋入导电体157，连接到设置在绝缘体层130上的导电体167上，漏极2M通过埋入到设置在绝缘体层130中的通孔149中的埋入导电体159，连接到设置在绝缘体层130 上的导电体169上。如图5所示，通过将埋入氧化膜132上侧的半导体层210作为电路动作用MOS晶体管20等有源元件形成用的高浓度低电阻半导体层，并将埋入氧化膜132的下侧的N型基板作为二极管10形成用的低浓度高电阻基板，从而可以在1片晶片上构成包含外围电路的 X射线传感器。为了将N型基板100耗尽化，将形成在低浓度N型基板100内的二极管的正电极即高浓度P型扩散层114连接到接地180，将二极管的负电极即高浓度N型扩散层102和N 型基板100背面的电极120连接到电源170的阳极172，从而向二极管施加反向电压。这时，为了缓解向作为正电极的高浓度P型扩散层114侧扩散的耗尽层内的电场的集中，以覆盖高浓度P型扩散层114的方式形成低浓度的P型阱扩散层112，从而使二极管的反向耐压升高。进而，以包围高浓度P型扩散层114以及低浓度的P型阱扩散层112的方式形成半导体区域214，将半导体区域214与接地180连接。这时，半导体区域214作为场板而工作，通过抑制P型阱扩散层112侧电位的上升来减小P型阱扩散层112内的电位差。这样，根据第4实施方式，通过在1片晶片上构成包含外围电路的X射线传感器， 可以实现成本的降低，芯片尺寸的缩小化。另外，通过形成半导体区域214，并将该半导体区域214设定成与作为二极管的正电极的高浓度P型扩散层114同电位，从而可以在向二极管施加了反向电压时，使半导体区域214作为场板而工作，并可通过减小P型阱扩散层112 内的电位差而缓解P型阱扩散层112内的电场，提高反向耐压。接下来，对本实施方式的X射线传感器2的制造方法进行说明。首先，如图6所示，准备一种夹着埋入氧化膜132而层叠为半导体层210在上侧而 N型基板100在下侧的SOI基板。在本实施方式中，作为一例，N型基板100的厚度为700 μ m 左右，比电阻为IOkQ κπι，而埋入氧化膜132使用厚度为2000人左右的SiO2氧化膜，而半导体层210为P型，且厚度为880人左右，比电阻为10 Ω · cm。接下来，如图7所示，在半导体层210的上表面，通过CVD等方法形成氮化膜 (Si3N4)(未图示)，通过局部氧化隔离(Local Oxidization of Silicon, LOCOS)法将氮化膜作为掩模，形成场氧化膜133，并将半导体层210分离为半导体区域212和半导体区域 214。接下来，如图8所示，将有选择地形成的抗蚀剂等(未图示)作为掩模，通过离子注入等在N型基板100的一主面101中形成P型阱扩散层112，然后，通过离子注入等，在P 型阱扩散层112内形成比P型阱扩散层112浅且杂质浓度高的高浓度P型扩散层114。接下来，通过离子注入等在N型基板100的一主面101形成比N型基板100杂质浓度高的高浓度N型扩散层102。然后，在半导体区域212上形成栅绝缘膜230，在栅绝缘膜230上形成栅电极M0， 并将栅电极240作为掩模，离子注入N型杂质，从而在栅电极MO的两侧的半导体区域212 中形成源极222以及漏极224。这时，向半导体区域214也进行离子注入N型杂质，形成 1. OX IO21CnT3左右的杂质浓度。接下来，如图9所示，用TEOS在整个面上形成绝缘膜135。由埋入氧化膜132、场氧化膜133以及绝缘膜135形成绝缘体层130。接下来，如图10所示，在绝缘体层130中形成通孔142、144、145、147、149。接下来，如图11所示，分别在通孔142、144、145、147、149中埋入W制埋入导电体 152、154、155、157、159。然后，在绝缘体层130上有选择地形成W制导电体162、164、166、 167、169。然后，在N型基板100的背面103上用Al形成电极120。(第5实施方式)在上述第4实施方式中，将半导体层210形成为例如通过N型杂质注入等方法将杂质浓度设定为1. OX IO21CnT3的半导体区域214，并通过导电体192将导电体165与导电体164连接起来使电场缓解，其中该导电体165经由被埋入到设置在绝缘体层130中的通孔145中的埋入导电体155连接到半导体区域214，并且该导电体165设置在绝缘体层130 上，另，该导电体164与高浓度P型扩散层114连接；但是在本实施方式中，将与MOS晶体管 20的栅电极240同层的导电体242形成为与上述第4实施方式的半导体区域214相同的形状，并通过导电体192将导电体165和导电体164连接起来使电场缓解，其中，该导电体165 经由被埋入到设置在绝缘体层130中的通孔146中的埋入导电体156而连接到导电体对2， 并且该该导电体165设置在绝缘体层130上，另，该导电体164与高浓度P型扩散层114连接，上述点与第4实施方式不同，而其它的点相同。(第6实施方式)在上述第4实施方式中，将半导体层210形成为例如通过N型杂质注入等方法将杂质浓度设定为1. OX IO21CnT3的半导体区域214，并通过导电体192将导电体165与导电体164连接起来使电场缓解，其中该导电体165经由被埋入到设置在绝缘体层130中的通孔145中的埋入导电体155连接到半导体区域214，并且该导电体165设置在绝缘体层130 上，另，该导电体164与高浓度P型扩散层114连接；但是，在本实施方式中，在绝缘体层130 上，形成与上述第4实施方式的半导体区域214相同形状的导电体167，并通过导电体192 将导电体167和与高浓度P型扩散层114连接的导电体164连接起来使电场缓解，此点与第4实施方式不同，而其它的点相同。此外，在本实施方式中，将导电体167和与高浓度P型扩散层114连接的导电体 164构成为相互分离的独立的导电体，并通过导电体192将导电体167与导电体164连接起来；但是还可以与第3实施方式相同地，将相同配线层的导电体167与导电体164 —体化而形成为具有连续构造的导电体。图14是表示本发明的第4、第5、第6实施方式以及现有的X射线传感器的二极管 10的施加反向电压时的耐压的图。这里，现有的X射线传感器是指二极管10为如图17所示的构造的X射线传感器。根据图14可知，本发明的第4、第5、第6实施方式与现有的X 射线传感器相比，施加反向电压时的耐压升高。此外，在上述各实施方式中，还可以采用将P型变为N型，将N型变为P型的构造。以上，对本发明的各种典型的实施方式进行了说明，但本发明并非仅限于这些实施方式。本发明的保护范围仅被权利要求书的保护范围所限定。
权利要求
1.一种半导体装置，其特征在于，包括 一导电型的第1半导体层；绝缘体层，设置在所述第1半导体层的一主面上； 第2半导体层，设置在所述绝缘体层中； 有源元件，设置于所述第2半导体层；第1半导体区域，设置于所述第1半导体层的所述一主面，且该第1半导体区域的导电型是与所述一导电型相反的另一导电型；第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，且该第2半导体区域的导电型是所述另一导电型，该第2半导体区域的杂质浓度比所述第1半导体区域高；第1导电体，设置于在所述绝缘体层中设置的通孔内，与所述第2半导体区域连接； 第2导电体，设置在所述绝缘体层上或者所述绝缘体层中，并且是设置在所述第1导电体的周围，从垂直于所述一主面的方向观察时，该第2导电体的外侧端部位于所述第2半导体区域的外侧；第3导电体，设置为将所述第1导电体和所述第2导电体连接起来；和第4导电体，设置为与所述第1半导体层电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从垂直于所述一主面的方向观察时，所述第2导电体的所述外侧端部位于所述第1半导体区域的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于， 所述第2导电体由所述第2半导体层构成。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述有源元件是绝缘栅型场效应晶体管，所述第2导电体由与绝缘栅型场效应晶体管的栅电极相同层的导电体构成。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于， 所述第2导电体形成在所述绝缘体层上。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括第5导电体，该第5导电体设置在所述绝缘体层上，且与所述第1导电体连接， 所述第5导电体与所述第2导电体是相同层并且连续地设置。
7.根据权利要求1 6的任意一项所述的半导体装置，其特征在于， 使所述第1导电体与所述第2导电体以成为同电位的方式进行连接。
8.根据权利要求1 7的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第4导电体在所述第1半导体层的所述一主面以及所述一主面的相反侧的主面上与所述第1半导体层电连接。
9.根据权利要求1 8的任意一项所述的半导体装置，其特征在于， 所述第1半导体层与所述第1半导体区域反向连接。
10.一种半导体装置，其特征在于，包括 一导电型的第1半导体层；绝缘体层，设置在所述第1半导体层的一主面上；第1半导体区域，设置于所述第1半导体层的所述一主面，且该第1半导体区域的导电型是与所述一导电型相反的另一导电型；第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域内，且该第2半导体区域的导电型是所述另一导电型，该第2半导体区域的杂质浓度比所述第1半导体区域高；第1导电体，设置于在所述绝缘体层中设置的通孔内，与所述第2半导体区域连接； 第2导电体，设置在所述绝缘体层上或者所述绝缘体层中，并且是设置在所述第1导电体的周围，从垂直于所述一主面的方向观察时，该第2导电体的外侧端部位于所述第2半导体区域的外侧；第3导电体，设置为将所述第1导电体和所述第2导电体连接起来；和第4导电体，设置为与所述第1半导体层电连接。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，从垂直于所述一主面的方向观察时，所述第2导电体的所述外侧端部位于所述第1半导体区域的外侧。
12.根据权利要求1 11的任意一项所述的半导体装置，其特征在于， 所述半导体装置是X射线传感器。
全文摘要
本发明提供一种能够使反向耐压升高的半导体装置。包括一导电型的半导体层(100)；绝缘体层(130)；设置在绝缘体层中的半导体层(210)；设置于半导体层(210)的有源元件(20)；设置于半导体层(100)的一主面(201)的另一导电型半导体区域(112)；另一导电型半导体区域(114)，设置在半导体区域(112)内，杂质浓度比半导体区域(112)高；导电体(154)，设置于在绝缘体层(130)中设置的通孔(144)内，与半导体区域(144)连接；导电体(214)，设置在绝缘体层(130)上或其中，且是设置在导电体(154)周围，外侧端部位于半导体区域(114)外侧；导电体(192)，设置成连接导电体(154)和导电体(214)；和导电体(152、120)，设置成与半导体层(100)连接。
文档编号H04N5/32GK102446938SQ20111030542
公开日2012年5月9日 申请日期2011年9月30日 优先权日2010年10月6日
发明者初井宇记, 新井康夫, 葛西大树 申请人:Oki半导体株式会社, 独立行政法人理化学研究所