1.一种提高LED芯片发光效率的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：
1)提供LED外延片，将所述LED外延片放置在蒸镀腔的载盘上，并将所述LED外延片温度维持170～210℃，在流量为11～13sccm的氧气气氛中，以1～3埃/秒的薄膜沉积速率在所述LED外延片表面沉积ITO透明导电层；
2)进行快速热退火处理。
2.根据权利要求1所述的提高LED芯片发光效率的制备方法，其特征在于：所述LED外延片包括：衬底及在所述衬底表面依次沉积的缓冲层GaN、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层。
3.根据权利要求1所述的提高LED芯片发光效率的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中采用反应式等离子体沉积机台进行ITO透明导电层的沉积。
4.根据权利要求1所述的提高LED芯片发光效率的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中将所述LED外延片温度维持180～200℃，在流量为11～12sccm的氧气气氛中，以1～2埃/秒的薄膜沉积速率在所述LED外延片表面制备ITO透明导电层。
5.根据权利要求1所述的提高LED芯片发光效率的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中快速热退火处理过程为：以20～40℃/秒的升温速率，升温至525～575℃，持温3～5分钟，然后通N2降温至200～300℃后，再在空气中自然降温。
6.根据权利要求5所述的提高LED芯片发光效率的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中快速热退火处理过程的升温和持温阶段，真空度小于0.1Torr。
7.根据权利要求5所述的提高LED芯片发光效率的制备方法，其特征在于：所述持温3～5分钟的过程中，通入流量为2～3sccm的氧气。