1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括如下步骤：
在单晶半导体衬底上形成第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜上形成氧化物半导体膜；
在惰性气体中然后在含有氧的气体中加热所述氧化物半导体膜；
用干蚀刻或湿蚀刻处理所加热的氧化物半导体膜；以及
在惰性气体中加热所处理的氧化物半导体膜。
2.一种半导体装置的制造方法，该方法包括如下步骤：
在第一晶体管上形成第二晶体管，所述第二晶体管的形成包括：
在所述第一晶体管上形成第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜上形成氧化物半导体膜；
在惰性气体中然后在含有氧的气体中加热所述氧化物半导体膜；
用干蚀刻或湿蚀刻处理所加热的氧化物半导体膜；以及
在惰性气体中加热所处理的氧化物半导体膜，
其中，所述第一晶体管包括单晶半导体衬底中的沟道形成区。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述氧化物半导体膜的形成在200℃以上且400℃以下的温度进行。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中在处理之前加热所述氧化物半导体膜的步骤在250℃以上且650℃以下的温度进行。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述惰性气体是氮气。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中加热所处理的氧化物半导体膜的步骤在250℃以上且650℃以下的温度进行。
7.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
在形成所述氧化物半导体膜之前，平坦化所述第一绝缘膜。
8.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
在加热所处理的氧化物半导体膜之后，在所述氧化物半导体膜上形成栅极绝缘膜；以及
在所述栅极绝缘膜上形成栅电极。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在形成所述栅电极之后进行加热。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其中在处理之前加热所述氧化物半导体膜的步骤的进行使得氧被添加到所述氧化物半导体膜。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其中加热所处理的氧化物半导体膜的步骤的进行使得氧被添加到所述氧化物半导体膜。