1.前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：
(1)利用将硅片在KOH或NaOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片进行制绒，双面形成具有1-4μm的金字塔绒面；
(2)在硼源高温扩散炉管中，控制温度为850-1000℃扩散20-40min，然后控制温度为800-900℃通入氧气推结，形成低表面浓度B掺杂P+发射结；
(3)利用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液进行边绝缘和背面抛光；
(4)利用湿法化学的方法在硅片的背面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，接着用PECVD或其他CVD法在其上生长掺P多晶硅层；
(5)采取原子层沉积或PECVD技术对硅片形成P+发射结的表面沉积厚度为20-30nm的三氧化二铝层；
(6)在硅片正面采用PECVD法或磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，厚度为75-85nm；
(7)采用丝网印刷的方法在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，进行烧结，背面采取蒸镀或涂源法形成全铝背场Al-BSF结构，用烘干炉进行烘干，确保电池片的双面都形成良好的接触即可。
2.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(4)中将硅片正面用掩膜保护起来后放入氟硅酸溶液中，根据沉积的时间来精确控制SiO2膜层的厚度。
3.根据权利要求2所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，所述的氟硅酸溶液的浓度为1.3-1.7M，将硅片沉积在氟硅酸溶液中5-8min，控制SiO2膜层的厚度在2nm以内。
4.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(4)中掺P多晶硅层是基于PECVD法以高纯SiH4为气源在500-600℃下制备后经过900-1100℃下退火而成。
5.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，掺P多晶硅层的厚度为15-20nm。
6.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，掺P多晶硅层中P原子含量为5×1018-1×1019cm-3。
7.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(5)沉积三氧化二铝层时控制沉积温度为180-200℃。
8.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(6)中生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层时控制温度为350-400℃。
9.根据权利要求1所述的前发射结背面隧道氧化钝化接触高效电池的制作方法，其特征在于，步骤(7)中烘干的温度为200-300℃。