用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统与流程

本发明涉及用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统。

背景技术：

在晶圆的制造工艺期间，在晶圆上形成集成电路的金属线是该工艺中的一个重要步骤。可以通过电镀工艺或物理气相沉积(PVD)工艺形成金属线。为了增加晶圆的集成密度，晶圆的可用区域被扩大至非常靠近晶圆的边缘。因此，金属线也形成在非常靠近晶圆的边缘上。但是，应该通过所谓的边缘斜角去除(EBR)工艺去除晶圆边缘上的不期望的残余的金属。由于边缘斜角区域邻近可用区域，所以控制EBR工艺以确保蚀刻剂蚀刻边缘斜角区域而不损害可用区域。在EBR工艺之后，监测晶圆以确定是否出现异常的晶圆边缘。因此，制造的晶圆的质量受到监测工艺的精确度的影响。此外，监测工艺还可能影响制造工艺的速度。因此，提供可靠和准确的监测方法以增加半导体晶圆的产出率是比较理想的。

技术实现要素：

针对现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种半导体装置，包括：

转移室，配置为与电镀装置交界；

退火站，布置为使晶圆退火；

机械臂，布置为将所述晶圆从所述转移室转移至所述退火站；以及

边缘检测器，设置在所述机械臂上方，以监测由所述机械臂携运的所述晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。

根据本发明的一个实施例，所述边缘检测器包括：

照明器件，布置为照亮所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分。

根据本发明的一个实施例，所述边缘检测器包括用于捕捉所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分的图像的电荷耦合器件(CCD)相机。

根据本发明的一个实施例，当所述晶圆由所述机械臂携运至预定位置时，所述CCD相机捕捉所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分的所述图像。

根据本发明的一个实施例，所述预定位置位于所述晶圆在所述转移室和所述退火站之间的转移路径上。

根据本发明的一个实施例，所述边缘检测器还包括：

触发器件，布置为激活所述CCD相机以当所述触发器件确定所述触发器件与所述机械臂之间的距离等于预定距离时捕捉所述至少一部分的所述图像。

根据本发明的一个实施例，当将所述晶圆从所述转移室转移至所述退火站时，激活所述触发器件以确定所述触发器件与所述机械臂之间的距离是否等于所述预定距离。

根据本发明的一个实施例，所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分包括第一部分和不同于所述第一部分的第二部分，并且所述CCD相机包括：

第一CCD传感器，布置为捕捉所述晶圆的所述边缘斜角去除区域的所述第一部分的图像；以及

第二CCD传感器，布置为捕捉所述晶圆的所述边缘斜角去除区域的所述第二部分的图像。

根据本发明的一个实施例，所述第一部分和所述第二部分对称地位于所述边缘斜角去除区域上。

根据本发明的一个实施例，所述边缘检测器还包括：

第一照明器件，布置为照亮所述边缘斜角去除区域的所述第一部分；以及

第二照明器件，布置为照亮所述边缘斜角去除区域的所述第二部分。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于检测晶圆的方法，所述方法包括：

由机械臂将所述晶圆从转移室转移至退火站；以及当所述晶圆从所述转移室转移至所述退火站时，监测所述机械臂上方的所述晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。

根据本发明的一个实施例，该方法还包括：

照亮所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分。

根据本发明的一个实施例，监测所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分包括：

使用电荷耦合器件(CCD)相机以捕捉所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分的图像；以及

分析所述图像。

根据本发明的一个实施例，监测所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分还包括：

当由所述机械臂携运的所述晶圆到达预定位置时，捕捉所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分的所述图像。

根据本发明的一个实施例，所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分包括第一部分和不同于所述第一部分的第二部分，并且使用所述CCD相机以捕捉所述至少一部分的所述图像包括：

使用第一CCD传感器以捕捉所述晶圆的所述边缘斜角去除区域的所述第一部分的图像；以及

使用第二CCD传感器以捕捉所述晶圆的所述边缘斜角去除区域的所述第二部分的图像。

根据本发明的又一方面，提供了一种电镀系统，包括：

电镀装置，布置为电镀晶圆；以及

半导体装置，包括：

转移室，布置为与所述电镀装置交界；

退火室，布置为使所述晶圆退火；

机械臂，布置为将所述晶圆从所述转移室转移至所述退火站；以及

边缘检测器，设置在所述机械臂上方以监测由所述机械臂携运的 所述晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。

根据本发明的一个实施例，所述边缘检测器包括：

照明器件，布置为照亮所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分。

根据本发明的一个实施例，所述边缘检测器包括用于捕捉所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分的图像的电荷耦合器件(CCD)相机，并且所述电镀系统还包括：

处理器件，布置为分析用于检测所述边缘斜角去除区域的所述图像。

根据本发明的一个实施例，所述边缘检测器还包括：

触发器件，布置为当所述触发器件确定所述触发器件与所述机械臂之间的距离等于预定距离时，激活所述CCD相机以捕捉所述至少一部分的所述图像。

根据本发明的一个实施例，所述边缘斜角去除区域的所述至少一部分包括第一部分和不同于所述第一部分的第二部分，以及所述CCD相机包括：

第一CCD传感器，布置为捕捉所述晶圆的所述边缘斜角去除区域的所述第一部分的图像；以及

第二CCD传感器，布置为捕捉所述晶圆的所述边缘斜角去除区域的所述第二部分的图像。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例示出的电镀系统的示意图。

图2是根据一些实施例示出的包括晶圆的处理流程的电镀系统的示意图。

图3是根据一些实施例示出的电荷耦合器件相机、照明器件和晶圆的配置的简化图。

图4是根据一些实施例示出的晶圆的一部分的实物图片。

图5是根据一些实施例示出的在半导体装置中的边缘检测器的简化图。

图6是根据一些实施例示出的EBR区域的第一图像和第二图像的实物图片。

图7是根据一些实施例示出的半导体装置的实物图片。

图8是根据一些实施例示出的用于检测晶圆的方法的流程图。在各个附图中相同的参考标记指示相同的元件。

在各个附图中相同的参考标记指示相同的元件。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者第二部件上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

下面详细讨论实施例的制造和使用。然而，应该理解，本发明提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的发明构思。所讨论的具体实施例仅仅示出制造和使用本发明的具体方式，而不用于限制本发明的范围。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”、“下部”、“左”、“右”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。应该理解，当一个元件被称为“连接至”或“耦合至”另一元件时，它可以直接连接至或耦合至另一元件，或者可以存在介于中间的元件。

图1是根据一些实施例示出的电镀系统100的示意图。参考图1，电镀系统100包括计量装置12、电镀装置14和半导体装置16。计量装置102 包括计量器件122、中央镀液(bath)器件124、过滤和泵送器件126以及控制器件128。计量器件122布置为存储和递送用于镀溶液的化学添加剂。中央镀液器件124布置为盛放用作电镀装置14中的电镀液的化学溶液。过滤和泵送器件126布置为过滤用于中央镀液器件124的镀溶液以及将镀溶液泵入电镀装置14。控制器件128布置为提供操作电镀系统100所需要的电子和接口控制。控制器件128可以包括用于电镀系统100的电源。

电镀装置14包括第一电补(electrofill)模块141、第二电补模块142、第三电补模块143、第一后电补模块144、第二后电补模块145、第三后电补模块146和机械臂147。第一电补模块141、第二电补模块142、第三电补模块143布置为在晶圆上电补金属(例如，铜)。通过第一电补模块141、第二电补模块142或第三电补模块143处理晶圆。在处理晶圆之后，第一后电补模块144、第二后电补模块145或第三后电补模块146布置为对晶圆实施期望的操作，诸如EBR工艺、背面蚀刻以及酸洗。在电镀装置14中，机械臂147布置为将晶圆递送至第一电补模块141、第二电补模块142、第三电补模块143、第一后电补模块144、第二后电补模块145或第三后电补模块146以实施相应的操作。

半导体装置16是电镀系统100的半导体前端装置。半导体装置16也可以是电镀系统100的工厂接口(FI)。半导体装置16包括转移室161、退火站162、机械臂163和边缘检测器165。晶圆匣164也在图1中示出。机械臂163可以是所谓的前端机械臂。转移室161配置为与电镀装置14交界。转移室161包括转移站161a和对准仪161b。转移站161a是这样一种站：在该站处，机械臂147和机械臂163可以在转移站161a传递晶圆而不通过对准仪161b。但是，对准仪161b可以布置为将晶圆与机械臂147对准，使得通过机械臂147将晶圆精确地递送至第一电补模块141、第二电补模块142或第三电补模块143。此外，对准仪161b也可以布置为将后电补晶圆与机械臂163对准，使得通过机械臂163将后电补晶圆精确地递送至退火站162。

退火站162布置为将后电补晶圆退火。通过电镀装置14处理晶圆之后，机械臂163布置为将晶圆(即，后电补晶圆)从转移室161转移至退火站 162。在退火工艺之后，机械臂163布置为将退火的晶圆从退火站162转移至晶圆匣164。晶圆匣164配置为半导体装置16和半导体装置16之外的另一个半导体系统之间的接口。在本实施例中，晶圆匣164包括第一匣164a和第二匣164b。

边缘检测器165设置在机械臂163上方或顶部以监测由机械臂163携运的晶圆(如图1中所示的晶圆166)的边缘斜角去除(EBR)区域的至少一部分。晶圆166是后电补晶圆。更具体地，在EBR工艺之后，控制机械臂163将晶圆166从转移室161转移至退火站162，并且在机械臂163仍然携运晶圆166时，控制边缘检测器165以监测晶圆166的EBR区域的至少一部分。根据本实施例，边缘检测器165布置为实时地监测晶圆166的EBR区域。

图2是根据一些实施例示出的包括晶圆的处理流程的电镀系统100的示意图。处理流程通过一系列的分别由201、202、203、204、205和206表示的箭头符号示出。当晶圆装入至晶圆匣164中的匣164a和匣164b中的一个时，机械臂163布置为将晶圆递送至转移室161的转移站161a，即箭头201。机械臂163可以配置为使用真空附着技术以保持晶圆。应该注意，如果晶圆需要与机械臂147对准，机械臂163也可以将晶圆递送至对准仪161b。

根据本实施例，然后通过机械臂147将晶圆递送至第一电补模块141，即箭头202。应该注意，晶圆可以递送至第一电补模块141、第二电补模块142或第三电补模块143。在第一电补模块141中，可以用诸如铜的金属电补晶圆。在中央镀液器件124中的电解质可以用于实施电补工艺。

在电补工艺之后，如箭头203所示，通过机械臂147将晶圆递送至第二后电补模块145以去除晶圆的边缘斜角区域上的不期望的铜层。可以通过蚀刻溶液蚀刻掉不期望的铜层。第二后电补模块145也可以清洗、冲洗和/或干燥晶圆。应该注意，可以将晶圆递送至第一后电补模块144、第二后电补模块145或第三后电补模块146以实施EBR工艺。

如箭头204所示，当完成EBR工艺时，通过机械臂147将晶圆从第二后电补模块145递送至转移室161的对准仪161b。应该注意，机械臂147 可以将晶圆递送至转移室161。

根据本实施例，如箭头205所示，然后，在对准仪161b中的晶圆(即，166)可以通过机械臂163递送至退火站162。在递送晶圆166期间，边缘检测器165捕捉晶圆166的EBR区域的至少一部分的图像以实时地监测晶圆166。更具体地，当晶圆166定位在对准仪161b中时，机械臂163伸出至对准仪161b。在保持住晶圆166之后，机械臂163拉回。然后，机械臂163再次伸出将晶圆166递送至退火站162。如图2所示，虚线箭头207是将晶圆166从对准仪161b递送至退火站162的转移路径。转移路径可以是由电镀系统100的制造者设定的预定路径。晶圆166将通过边缘检测器165下方或附近的预定位置208传递。当晶圆166到达预定位置208时，触发边缘检测器165以捕捉晶圆166的EBR区域的至少一部分的图像。应该注意，预定位置208可以是机械臂163和边缘检测器165之间任意合适的位置。

将图像直接发送至电镀系统100内的或之外的处理器件。处理器件布置为分析用于监测晶圆166的EBR区域的实时的图像。此外，边缘检测器165可以安装在机械臂163之上的任何地方，只要边缘检测器165可以捕捉晶圆166的EBR区域的至少一部分的图像。应该注意，边缘检测器165未安装在转移室161中。

如虚线箭头206所示，当在退火站162中的退火工艺完成时，机械臂163将退火的晶圆递送至匣164a和匣164b中的一个。退火站162可以包括加热炉。然后，将在晶圆匣164中的退火的晶圆递送至其他系统，诸如用于进一步处理的化学机械抛光系统。

根据本实施例，边缘检测器165包括通过电荷耦合技术用于捕捉晶圆166的EBR区域的至少一部分的图像的电荷耦合器件(CCD)相机301。边缘检测器165还包括用于照亮晶圆166的EBR区域的至少一部分的照明器件302。图3是根据一些实施例示出的CCD相机301、照明器件302和晶圆166的配置的简化图。例如，当CCD相机301捕捉晶圆166的EBR区域的至少一部分的图像时，控制照明器件302利用红光照亮晶圆166的EBR区域的至少一部分。如图3所示，照明器件302可以输出斜射光至EBR 区域的至少一部分。

图4是根据一些实施例示出的晶圆166的一部分的实物图片。晶圆166的该部分包括晶圆166的有源区401和EBR区域402。CCD相机301布置为捕捉框403中的区域的图像，有源区401的部分和EBR区域402的部分在框403内。因此，当CCD相机301捕捉框403中的图像时，控制照明器件302以照亮至少晶圆166的框403中的区域。

另外，为了准确地分析晶圆166的EBR区域402，监测EBR区域402上一个以上的部分(例如，两个或更多个不同部分)。根据本实施例，CCD相机301包括第一CCD传感器和第二CCD传感器以分别地捕捉EBR区域402上第一部分和第二部分的图像。图5是根据一些实施例示出的在半导体装置16中的边缘检测器165的简化图。边缘检测器165包括第一CCD传感器501、第二CCD传感器502和照明器件503。第一CCD传感器501布置为捕捉晶圆506的EBR区域505的第一部分504的图像。第二CCD传感器502布置为捕捉晶圆506的EBR区域505的第二部分507的图像。第一部分504和第二部分507是EBR区域505的两个不同的部分。第一CCD传感器501和第二CCD传感器502安装在用于携运晶圆506的机械臂(未在图5中示出)之上的两个不同位置以清晰地捕捉第一部分504和第二部分507的图像。应该注意，EBR区域505大致为晶圆506的外边界附近的区域。

照明器件503基本上安装在半导体装置16之上，为了照亮EBR区域505的第一部分504和第二部分507的目的。更具体地，当晶圆506被机械臂(未在图5中示出)携运至预定位置时，激活照明器件503以照亮第一部分504和第二部分507，从而第一CCD传感器501和第二CCD传感器502可以分别地更好地捕捉第一部分504和第二部分507的图像。在本实施例中，照明器件503用红光照亮第一部分504和第二部分507。但是，这不是本实施例的限制。照明器件503可以照亮用于第一部分504和第二部分507其它合适的背光源。

此外，尽管图5中仅示出了一个照明器件503，但是这不是本实施例的限制。照明器件503可以包括两个分离的照明器件以分别地照亮EBR区 域505的第一部分504和第二部分507。如此，第一CCD传感器501和第二CCD传感器502更能够分别地捕捉第一部分504和第二部分507的图像。

根据本实施例，第一部分504和第二部分507对称地位于EBR区域505上。例如，当第一部分504位于EBR区域505的最右边的区域上时，第二部分507可以位于EBR区域505的最左边的区域上。但是，这不是本实施例的限制。只要根据捕捉的图像，可以通过上述的处理器件成功地检测和分析晶圆506的EBR区域505，第一部分504和第二部分507可以是EBR区域505上的任意两个不同的部分。

在图5中，也示出了控制器件508。控制器件508布置为控制第一CCD传感器501、第二CCD传感器502和照明器件503的操作。可以将控制器件508安装在半导体装置(即，半导体装置16)中或与上述控制器件128合并。可选地，可以外部地设定控制器件508以向电镀系统(即，电镀系统100)提供控制信号。

当第一CCD传感器501和第二CCD传感器502分别地捕捉EBR区域505的第一部分504和第二部分507的图像时，图像数据被传输至个人电脑(PC)509以测量晶圆506的第一部分504和第二部分507中EBR区域505的宽度。PC 509可以包括监视器或屏幕以实时地显示由第一CCD传感器501和第二CCD传感器502捕捉的图像以及EBR区域505的测量的宽度。然后，测量的宽度被传输至故障检测和分类(FDC)系统510以确定在EBR区域505中是否出现任何异常的蚀刻边缘。PC 509可以以SECS-II代码的形式将数据传输至FDC系统510。

FDC系统510是计算机整合制造(CIM)FDC系统，能够在EBR区域505中自动地检测和分类发现的错误。当在EBR区域505中发现错误时，FDC系统510可以发送报警信号以告警制造者。因此，在图5中的实施例可以实时地监测半导体装置16中的晶圆506的EBR区域505。此外，FDC系统510可以收集通过电镀装置(即，电镀装置14)处理的每个晶圆的EBR区域的宽度以评估或追踪电镀系统(即，电镀系统100)的性能。

在一个实施例中，由第一CCD传感器501和第二CCD传感器502捕捉的EBR区域505的第一部分504和第二部分507的图像具有相对较高的 数字分辨率，并且因此可以准确地确定EBR区域505的宽度。例如，第一CCD传感器501和第二CCD传感器502捕捉第一部分504和第二部分507的全彩色图像以产生图像数据。在这种情况下，第一CCD传感器501和第二CCD传感器502配置为不仅感测第一部分504和第二部分507的灰度信息。

在一些实施例中，PC 509和FDC系统510可以外部地设置。但是，这不是本实施例的限制。在其他实施例中，PC 509和FDC系统510的一些组件可以安装在半导体装置(即，半导体装置16)中或与上述的控制器件128合并。

图6是根据一些实施例示出的EBR区域的第一图像601和第二图像602的实物图片。第一图像601和第二图像602是分别由第一CCD传感器501(即，CCD1)和第二CCD传感器502(即，CCD2)捕捉的晶圆506的实时图像。第一图像601和第二图像602显示在PC 509的显示器上。第一图像601显示了EBR区域505的第一部分504，而第二图像602显示了EBR区域505的第二部分507。此外，第一图像601显示了在第一部分504中的测量的位置603和EBR区域505的约2.23毫米的测量的宽度。第二图像602显示了在第二部分507中的测量的位置604和EBR区域505的约2.23毫米的测量的宽度。PC 509包括用于自动地的检测和测量在第一部分504和第二部分507中的EBR区域505的宽度的处理器件。应该注意，在第一图像601和第二图像602中的数字标号605和606代表晶圆506的可用区域(或有源区)。

图7是根据一些实施例示出的半导体装置700的实物图片。半导体装置700包括机械臂701、晶圆702、触发器件703、第一照明器件704、第二照明器件705、第一CCD传感器706和第二CCD传感器707。应该注意，机械臂701、晶圆702、第一照明器件704、第二照明器件705、第一CCD传感器706和第二CCD传感器707分别与上述的机械臂163、晶圆166、照明器件503、第一CCD传感器501和第二CCD传感器502相似，因此，为了简洁，省略详细的描述。与图5中的实施例相比，半导体装置700进一步包括触发器件703。当触发器件703确定触发器件703与机械臂701 之间的距离D到达预定距离Dp时，触发器件703布置为激活第一CCD传感器706和第二CCD传感器707以捕捉晶圆702上的第一部分708和第二部分709的图像。此外，当触发器件703确定触发器件703与机械臂701之间的距离D基本上与预定距离Dp相等时，触发器件703也激活第一照明器件704和第二照明器件705以照亮第一部分708和第二部分709，使得第一CCD传感器706和第二CCD传感器707可以分别地清楚地捕捉第一部分708和第二部分709的图像。触发器件703配置为使用激光束以确定触发器件703与机械臂701之间的距离D。但是，这不是本实施例的限制。

根据本实施例，当机械臂701将晶圆702从对准仪(未在图7中示出)携运至退火站(未在图7中示出)，并且当晶圆702到达了第一CCD传感器706和第二CCD传感器707可以分别地清晰地捕捉第一部分708和第二部分709的图像的预定位置时，触发器件703与机械臂701之间的距离D是预定距离Dp。例如，预定位置可以是第一部分708和第二部分709分别位于第一CCD传感器706和第二CCD传感器707正下方的位置。因此，一旦触发器件703检测出距离D是预定距离Dp，触发器件703激活第一照明器件704、第二照明器件705、第一CCD传感器706和第二CCD传感器707。应该注意，第一照明器件704和第二照明器件705可以稍微早于第一CCD传感器706和第二CCD传感器707被激活。在第一CCD传感器706和第二CCD传感器707分别地捕捉第一部分708和第二部分709的图像之后，可以关闭第一照明器件704和第二照明器件705直到下一个晶圆到达预定位置。

在一些实施例中，将晶圆702从对准仪递送至退火站的转移路径(例如图2中的虚线箭头207)是由半导体装置700的制造者设置的预定路径。此外，当晶圆702通过预定路径上的预定位置时，第一CCD传感器706和第二CCD传感器707安装在预定路径之上以分别地捕捉第一部分708和第二部分709的图像。因此，捕捉第一部分708和第二部分709的图像的操作不会延迟机械臂701的预置速度，并且本实施例不会影响电镀系统的晶圆产出量。

图8是根据一些实施例示出的用于检测晶圆的方法800的流程图。参考图8，在操作802中，通过前端机械臂将晶圆从转移室转移至退火站。

在操作804中，检测触发器件与前端机械臂之间的距离。如果距离是预定距离，意味着晶圆到达预定位置，然后方法800转到操作806。如果距离不是预定距离，意味着晶圆未到达预定位置，然后方法800返回操作804。

在操作806中，激活第一照明器件和第二照明器件以分别地照亮晶圆的EBR区域的第一部分和第二部分。

在操作808中，激活第一CCD传感器和第二CCD传感器以捕捉照亮的第一部分和第二部分的图像。

在操作810中，第一部分和第二部分的图像和相应的EBR区域的测量的宽度实时地显示在PC上。

在操作812中，将对应于晶圆的测量宽度传输至FDC系统以确定在EBR区域中是否出现异常的蚀刻边缘。方法800的操作可以参考图1、图2、图5和/或图7中所示的实施例的操作，其中，为了简洁，省略方法800的详细描述。

简略地，根据本实施例，边缘检测器安装在半导体装置中的机械臂之上以当机械臂将晶圆从转移站转移至退火站时，捕捉EBR区域的图像。因此，边缘检测器不影响电镀系统的晶圆产出量。此外，边缘检测器使用CCD相机以捕捉由照明器件照亮的EBR区域的图像。捕捉的图像通过计算机的处理和分析以实时地检测EBR区域的异常宽度。此外，当通过CCD相机捕捉EBR区域时，捕捉的图像可以具有较高的数字分辨率，并且因此可以准确地确定EBR区域的宽度，以减小虚报警率。

在一些实施例中，半导体装置包括转移室、退火站、机械臂和边缘检测器。转移室配置为与电镀装置交界。退火站布置为使晶圆退火。机械臂布置为将晶圆从转移室转移至退火站。边缘检测器设置在机械臂上方以监测由机械臂携运的晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。

在一些实施例中，用于检测晶圆的方法包括：由机械臂将晶圆从转移室转移至退火站；以及，当晶圆从转移室转移至退火站时，监测机械臂上 方的晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。

在一些实施例中，电镀系统包括电镀装置和半导体装置。电镀装置布置为电镀晶圆。半导体装置包括转移室、退火站、机械臂和边缘检测器。转移室布置为与电镀装置交界。退火站布置为使晶圆退火。机械臂布置为将晶圆从转移室转移至退火站。边缘检测器设置在机械臂上方以监测由机械臂携运的晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。

上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的各方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。