1.一种载台机构，用于承载晶片，其特征在于，包括上载台、下载台和旋转轴，其中，
所述上载台和下载台相互叠置；在所述上载台上设置有贯穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽内，且由所述下载台的上表面承载；并且，在所述上载台上，且位于所述片位槽的边缘处还设置有贯穿其厚度的第一取片槽；
在所述下载台的上表面设置有第二取片槽；
所述上载台和下载台可围绕所述旋转轴相对旋转，以使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合或者完全错开。
2.根据权利要求1所述的载台机构，其特征在于，所述上载台通过相对于所述下载台正转而使所述第二取片槽与所述第一取片槽相重合；所述上载台通过相对于所述下载台反转而使所述第二取片槽与所述第一取片槽完全错开。
3.根据权利要求1所述的载台机构，其特征在于，在所述上载台的中心位置处设置有中心通孔，所述旋转轴竖直向下穿过所述中心通孔，并与所述所述下载台固定连接；
通过旋转所述上载台，使其与所述下载台相对旋转。
4.根据权利要求1所述的载台机构，其特征在于，在所述下载台的中心位置处设置有中心通孔，所述旋转轴竖直向上穿过所述中心通孔，并与所述上载台固定连接；
通过旋转所述旋转轴，使所述上载台与所述下载台相对旋转。
5.根据权利要求4所述的载台机构，其特征在于，还包括旋转驱动装置，用于驱动所述旋转轴旋转。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的载台机构，其特征在于，所述片位槽为一个或多个；
多个所述片位槽围绕所述旋转轴均匀分布；
所述第一取片槽的数量与所述片位槽的数量相对应，且二者一一对应地设置；所述第二取片槽的数量与所述第一取片槽的数量相对应，且二者一一对应地设置。
7.一种半导体加工设备，其包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有载台机构，用以承载晶片；其特征在于，所述载台机构采用权利要求1-6任意一项所述的载台机构。
8.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，还包括上电极组件，所述上电极组件包括匀流腔和射频电源，其中，
所述匀流腔设置在所述反应腔室的顶部，且在所述匀流腔的顶部设置有进气口，用以向所述匀流腔内输送反应气体；在所述匀流腔的底部设置有多个出气口，所述多个出气口相对于所述载台机构用于承载晶片的表面均匀分布，用以将所述匀流腔内的反应气体输送至所述反应腔室内；
所述射频电源与所述匀流腔电连接，用以激发所述反应腔室内的反应气体形成等离子体。
9.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括等离子体增强化学气相沉积设备，用于在所述晶片上沉积SiO2薄膜、SiNx薄膜或者SiON薄膜。