在写入大型基板时运用偏移修正的多光束图案产生器以及相关方法与流程

本公开内容的实施方式一般涉及用于光刻图案化的设备与方法，且更具体地，涉及用于遭受偏移与定位误差的大型基板的光刻图案化的设备与方法。

背景技术：

大面积基板通常用于制造液晶显示器(LCD)。LCD或平板显示器通常用于有源矩阵显示器，例如电脑、触控面板器件、个人数字助理(PDA)、手机、电视监视器等。通常，平板显示器可包括形成像素的液晶材料层，液晶材料层夹于两个板之间。当来自电源的电力施加跨越液晶材料时，通过液晶材料的光的量可在促成影像产生的像素位置处受到控制。

光刻技术通常用于产生被并入作为形成像素的液晶材料层的部分的电性特征。根据此技术，感光光刻胶通常施加至基板的至少一个表面。然后，光刻掩模或图案产生器利用光来曝光作为图案的部分的感光光刻胶的选择区域，以导致选择区域中的光刻胶的化学变化，以制备这些选择区域来用于随后的材料移除和/或材料添加处理，以产生电性特征。基板上作为平板显示器的部分的电性特征的准确放置有助于决定平板显示器所产生的结果影像的品质，因为电性互连所形成的像素的均匀分布对于正确地再现使用者所观看的影像是所期望的。

随着平板显示器产业中基板的尺寸在每个后续世代中不断持续地增大，使用光刻掩模来准确放置图案横跨基板的更大距离已经变成越来越有挑战性，因为光刻掩模与基板两者在操作期间发生扭曲往往会导致图案放置误差。另外，针对大型基板，偏移的小改变可能导致平板的边缘实质上的位置误差。还是针对大型基板，传统上支撑大型基板的X-Y工作台的机械准确度可能不足以控制图案放置误差。因此，需要新的设备与方法，来准确且成本有效地产生图案于大型基板上。

技术实现要素：

本发明公开的实施方式包括在写入大型基板时运用偏移修正的多光束图案产生器以及相关方法。多光束图案产生器可包括空间光调制器(SLM,spatial light modulator)，空间光调制器具有分别可控制的反射镜以将光反射至基板上，以写入图案。图案可在写入周期中写入，其中基板移动至写入周期区域位置。通过在作用位置中的SLM的反射镜，SLM将光反射至基板上，以写入图案于基板上。通过确定在每一个写入周期中基板相对于SLM的位置与偏移，SLM的一些反射镜可数字地被控制到非作用位置或作用位置，以补偿基板的偏移。以此方式，利用偏移补偿，在基板上写入的图案可准确地写入。

在一个实施方式中，公开了图案产生器。图案产生器可包括工作台，所述工作台经配置以支撑基板，并且针对多个写入周期的每一个写入周期，相对于SLM移动基板至不同的写入周期区域位置。图案产生器还可包括光源，所述光源经配置以发射光。图案产生器还可包括SLM。SLM的每一个反射镜被配置成在写入周期期间分别地、数字地受到控制而从非作用位置至作用位置，以反射光的相应部分至基板。图案产生器还可包括计算机处理器，所述计算机处理器经配置以接收图案资料，并且识别在多个写入周期的每一个写入周期期间是否SLM的反射镜受致动至作用位置，所述图案资料包括图案的多边形的配置。计算机处理器经配置以通过数字地控制SLM的相应反射镜至作用或非作用位置，而补偿多个写入周期的每一个写入周期中的基板的偏移。以此方式，利用减小的与偏移相关的图案放置误差，可完成基板上图案的准确放置。

在另一个实施方式中，公开了运用多光束图案产生器来写入图案的方法。所述方法可包括下述步骤：通过确定和数字地控制SLM的反射镜的相应的一些反射镜至作用位置或非作用位置，利用光的光束在写入周期期间写入在写入周期区域位置内的图案的部分至基板上。所述方法还可包括下述步骤：针对多个写入周期的每一个写入周期，相对于SLM移动基板至另一写入周期区域位置。所述方法还可包括下述步骤：针对多个写入周期的每一写入周期，确定基板的偏移。数字地控制反射镜的相应一些反射镜的步骤包括下述步骤：通过控制反射镜至作用或非作用位置，来补偿确定的偏移。以此方式，可最小化在大型基板上的图案的放置误差。

额外的特征和优点将在以下的详细说明中阐述，且其中部分对本领域技术人员来说从所述描述将是显而易见的，或者通过实施如同本发明所述的实施方式(包括下面的详细说明、权利要求、以及附图)而被获知。

应当了解的是，上述的一般说明和下面的详细说明两者公开了实施方式，并且旨在提供用于理解本公开内容的本质与特征的概述或框架。附图用来提供进一步的理解，并且被并入至本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了各种实施方式，并且与说明书一起用来解释所公开的概念的原理和操作。

附图说明

因此，以上简要总结的本发明的上述特征可被详细的理解的方式、对本发明更加特定的描述可以通过参考实施方式获得，所述实施方式中的一些示出于附图之中。然而，值得注意的是，所述附图仅示出了本发明的典型的实施方式，而由于本发明可允许其它等效的实施方式，所述附图因此并不会被视为对本发明范围的限制。

图1A为示例性多光束图案产生器的空间光调制器(SLM)的一部分的示意性顶视图，SLM的一部分在第一写入周期中写入多边形的角落于基板上，其中写入角落的SLM的已致动的反射镜被识别出；

图1B为图1A中的空间光调制器(SLM)的另一部分的示意性顶视图，SLM的另一部分在随后的写入周期中写入多边形的角落于基板上，其中基板受到偏移；

图1C为图1A图和图1B的多光束图案产生器的顶部透视示意图，示出了激光干涉仪的示例性配置，激光干涉仪确定支撑基板的工作台的位置变化，基板显示出图1B的偏移；

图1D为图1C的多光束图案产生器的示例性实施方式的顶部透视图；

图2为图1A至图1C的SLM的顶部示意图，示出了SLM的反射镜的作用位置与非作用位置；

图3为图1A至图1C的激光干涉仪的配置的部分顶部示意图，激光干涉仪测量支撑基板的工作台的位置变化，其中激光干涉仪的配置测量在矩形基板的对角线的相对侧边上的角落的位置变化；

图4为利用图1A至图1C的多光束图案产生器来写入图案于基板上的示例性工艺流程图；

图5为激光干涉仪的配置的另一个实施方式的部分顶部示意图，激光干涉仪与图1A至图1C的多光束图案产生器相适应，其中在具有矩形形状的工作台的四侧的每一侧处的至少两个激光干涉仪测量工作台位置的变化，包括工作台的偏移；以及

图6为激光干涉仪的配置的另一个实施方式的部分顶部示意图，激光干涉仪直接测量基板的位置变化(包括偏移)，并且激光干涉仪与图1A至图1C的图案产生器相适应。

为了促进了解，已在尽可能的情况下使用相同的参考数字来指示这些附图中共通的相同元件。可以考虑到的是，一个实施方式的元件和特征可有利地整合于其它实施方式中，而无需赘述。

具体实施方式

现在将参考实施方式详细介绍本发明，实施方式的范例示出在附图中，其中示出了一些但并非全部的实施方式。实际上，可用许多不同形式来实施所述概念，并且不应解释为是对本发明的限制；相反，提供这些实施方式，以使得本公开内容将满足可利用性的法定要求。尽可能的，相似的参考数字将用以指示相似的部件或部分。

本发明公开的实施方式包括在写入大型基板时运用偏移修正的多光束图案产生器和相关方法。多光束图案产生器可包括空间光调制器(SLM)，空间光调制器具有分别地可控制的反射镜以将光反射至基板上，以写入图案。图案可在写入周期中写入，其中基板被移动至写入周期区域位置。通过在作用位置中的SLM的反射镜，SLM将光反射至基板上，以写入图案于基板上。通过确定在每一写入周期中基板相对于SLM的位置与偏移，SLM的一些反射镜可数字地受控制至非作用位置或作用位置，以补偿基板的偏移。以此方式，利用补偿偏移，写入在基板上的图案可准确地写入。

作为在详细讨论特征之前的介绍性背景，图1A至图1C为示例性图案产生器14的示意图，图案产生器14写入图案15于基板16上。基板16可包括例如显示面板、触控面板、或者移动通过卷对卷系统(roll-to roll system)的连续式进料卷。图案15可在图案产生器14的多个写入周期WC中写入，写入周期WC以至少五(5)千赫兹的速度发生。在每一个写入周期WC中，多个光束18(1)-18(N)的一个或多个光束可沿着多个光学路径24(1)-24(N)平行或实质上平行地行进，以产生相应的写入周期区域位置WCZL于基板16上，光学路径24(1)-24(N)为导引自图案产生器14的SLM 12。SLM 12可具有与光束18(1)-18(N)的相应的一些相关的至少一定数量“N”的反射镜。写入周期WC的每一个可包括停用时间与伫留时间，在停用时间中，光束18(1)-18(N)并未入射在基板16上，且在伫留时间中，一个或多个光束18(1)-18(N)可行进通过相应的一个或多个光学路径24(1)-24(N)至写入周期区域位置WCZL。基板16可相对于SLM 12以速度V_XY移动，产生多个写入周期区域位置WCZL，其中每一光束18(1)-18(N)可针对每一写入周期WC贡献光子能量给基板16。写入周期区域位置WCZL1、WCZL2、……可部分重叠，且图案15可写入作为在写入周期WC期间利用光束18(1)-18(N)转移给基板16的光子能量的积分总和。通过使用如同稍后所讨论的激光干涉仪的配置来确定在每一个写入周期WC期间基板16的偏移，反射自SLM 12的光束18(1)-18(N)在每一个写入周期WC中可对基板16开启或关闭，以补偿偏移。以此方式，可改良在基板16上的图案放置准确性。

值得注意的是，在图案产生器14的一些实施方式中，基板16可在写入周期WC之前、期间、和之后以速度V_XY移动。因为基板16可移动至与写入周期区域位置WCZL的相关一些相关的已确定的X,Y位置，光束18(1)-18(N)可写入(或“快闪写入”)与WCZL相关的图案15的部分至基板16上。基板16的偏移可确定为来自基板16的许多测量量测的追踪点平均，所以基板16的测量量测的时钟频率可为写入周期WC的频率的许多倍。以此方式，当基板16持续地移动时可确定和利用偏移，以提供高效的写入。

关于此介绍，图1A为多光束图案产生器14的SLM 12的一部分10A的示意性顶视图，SLM 12的部分10A写入多边形19的角落35作为图案15的部分。在示例性写入周期WC1中，多边形19可在基板16上的写入周期区域位置WCZL1内。至少一个光源26A、26B可配置以朝向SLM 12的反射镜28(1)-28(N)发射光34。反射镜28(1)-28(N)可分别地受到控制，以反射光34作为光束18(1)-18(N)的相应的一些，而沿着光学路径24(1)-24(N)行进至基板16。或者，反射镜28(1)-28(N)可分别地受到控制，以反射光34远离基板16。

图1B为SLM 12的另一部分10B的示意性顶视图，在示例性写入周期WC2中，SLM 12的另一部分10B写入在随后的写入周期区域位置WCZL2内的多边形19的角落35于基板16上。如同图1B图所示出的，偏移(偏移为基板16绕着枢转点的转动)已经发生于写入周期WC1与写入周期WC2的开始之间。此偏移可通过从枢转点P1至角落35的向量A1的差角1(Δθ1)的改变来表示，枢转点P1以速度V_XY移动。若基板16仅以速度Vxy在X方向和/或y方向中横移，则没有偏移，但是因为偏移已经发生，可提供偏移补偿来确保基板16上的准确图案放置。偏移补偿示出在图1B中为有补偿的像素25A与无补偿的像素25B，有补偿的像素25A与无补偿的像素25B分别导致汇聚在图案15的角落35处的锯齿线36A、36B。相反地，图1A不包括利用向量A1的偏移，且所以图1A中出现的直线27A、27B汇聚在角落35处。

参照图1C，现在将讨论图案产生器14所写入的图案15与图案产生器14的部件。图案15可包括至少一多边形19，多边形19可相关于平板显示器的电路。基板16可包括表面20，表面20应用有光刻胶22，光刻胶22可对于光束18(1)-18(N)为敏感的。每一光束18(1)-18(N)可作用为写入像素，当入射于基板16上时，可导致基板16的光刻胶22局部地在入射位置处产生光刻胶22的化学变化。在此方面，相较于从光束18(1)-18(N)接收不同的入射光子能量的光刻胶22的其它位置，此入射位置可为化学上不同的。在所有写入周期之后，光刻胶22上的光束18(1)-18(N)的累积曝光可完成图案15的写入。传统光刻技术(也被称为“工艺”)可进而用于从图案产生器14所写入的光刻胶22的化学变化来进一步显影图案15。在光刻“工艺”的替代方案中，“显影”可用于使用化学方法(例如，照相底片处理(photographic film process))来进一步产生图案15。

准确控制光束18(1)-18(N)至基板16的光刻胶22上的位置可使得图案15能够具有图案放置准确性地产生在基板16上。在此方面，当曝光光刻胶22时，图案产生器14可相对于SLM 12以速度V_XY移动基板16，以将要被写入的光刻胶22的区域带至光束18(1)-18(N)所行进的SLM 12的光学路径24(1)-24(N)内。因为基板16可相对于SLM 12移动，光束18(1)-18(N)可反射至在写入周期区域位置WCZL处的基板16上和可反射远离在写入周期区域位置WCZL处的基板16，以形成光刻胶22中的图案15，如同图1C所示。

具体地如同图1C与图2所示，为了反射光束18(1)-18(N)至基板16上以及离开基板16，至少一个光源26A、26B可利用光34来照射SLM 12的反射镜28(1)-28(N)。每一个反射镜28(1)-28(N)具有作用位置30A与非作用位置30B。当反射镜28(1)-28(N)的各反射镜由图案产生器14的计算机处理器32发出信号要在作用位置30A中时，来自光源26A、26B的光34可沿着与反射镜28(1)-28(N)的各反射镜相关的光学路径24(1)-24(N)反射至基板16，以“开启”这些光学路径24(1)-24(N)。当反射镜28(1)-28(N)的其它各反射镜由计算机处理器32发出信号要在非作用位置30B中时，来自光源26A、26B的光34A、34B可通过反射镜28(1)-28(N)的这些其它各反射镜反射远离基板16，且借此在关闭的光学路径24(1)-24(N)处的光刻胶22的局部区域将不会被曝光。

返回参照图1A，SLM 12可操作在连续的写入周期中，其中反射镜28(1)-28(N)的各反射镜可在写入周期WC期间被致动至作用位置30A(图2)一段特定的时间(或伫留时期)，之后在写入周期WC的其余时间返回至非作用位置30B(图2)。在每一个写入周期WC期间，代表与一个写入周期WC相关的图案15的一部分的对应写入周期区域位置WCZL可由光束18(1)-18(N)写入(或“快闪写入”)。写入周期WC可为至少五(5)千赫兹。基板16可以以速度V_XY在写入周期WC之前、期间、和之后移动。在每一个写入周期WC的开始，计算机处理器32可确定基板16上的图案15的至少一个多边形19的准确的所期望位置，以及可落入至少一个多边形19内的任何光学路径24(1)-24(N)。若任何光学路径24(1)-24(N)落入图案15的至少一个多边形内，则反射镜28(P1)-28(Q1)的相关的一些反射镜可被致动至作用位置30A，以反射光束18(P1)-18(Q1)的相应的一些光束至光学路径24(P1)-24(Q1)的这些光学路径中，以曝光图案15的至少一个多边形19。每一个多边形19的所期望位置可通过考虑以下所讨论的基板16的偏移来确定。以此方式，可用改良的图案放置准确性来写入图案15。

返回参照图1B，当基板16相对于SLM 12移动而开始随后的写入周期时，计算机处理器32可确定偏移已经发生。只要给予由工作台40所支撑的基板16的速度Vxy，偏移可从预期的位置重新定位到多边形19的角落35。计算机处理器32可更新图案15的多边形19相对于SLM 12的位置，并且开启对应于多边形19的偏移的相应光学路径24(P2)-24(Q2)。偏移的调整由图1B中的锯齿线36A、36B表示，锯齿线36A、36B汇聚而形成多边形19的角落35。偏移的调整可针对每一写入周期由计算机处理器32“动态地”执行，因为基板16上的图案15的位置可相对于SLM 12的反射镜28(1)-28(N)的光学路径24(1)-24(N)来确定。

图1C为多光束图案产生器14的顶部透视图，图案产生器14包括SLM 12、光源26A、26B、对准摄像机38、工作台40、光学系统42、偏移检测设备44、以及计算机处理器32。多光束图案产生器14的这些部件的每一个的细节现在依次讨论。

以上简要介绍的SLM 12包括反射镜28(1)-28(N)，反射镜28(1)-28(N)由来自计算机处理器32的信号单独地控制。SLM 12可为例如DLP9500型的数字反射镜装置(由德州达拉斯的德州仪器公司所制造)。SLM 12可具有多个反射镜28(1)-28(N)(例如配置在1920列与1080行中)。SLM 12的反射镜28(1)-28(N)的每一个可配置成分别可致动的(或数字受控)从非作用位置30B至作用位置30A，以反射光34的相应别部分至基板16。当在作用位置30A中时，反射镜28(1)-28(N)的每一个可反射光34的一部分至基板16，且当在非作用位置30A中时，小于此数量的百分之一(1)的光可反射至基板16。光34的光子能量可横跨图案15沉积，并且可至少重叠在写入周期位置WCZL1、WCZL2之间。以此方式，图案15的特征可从多个写入周期确定，以减小位置误差，因为在任何单一写入周期中传送至基板16的能量会与在其它写入周期中传送的光子能量平均。

接着，对准摄像机38可包括光学传感器(例如电荷耦合器件)，以读取基板16上的至少一个对准标记46，将基板16登入至工作台40和SLM 12。对准摄像机38可耦接至计算机处理器32，以促进确定基板16上的图案15的多边形的相对位置。在此方面，一旦基板16可经由对准摄像机38登入，则可开始写入周期。

工作台40可支撑基板16且相对于SLM 12移动基板16。工作台40可包括至少一个表面31，以在z方向上支撑基板16。工作台40可根据至少一个马达33以速度V_XY在X方向和/或y方向上移动，以相对于SLM 12移动基板16，使得图案15可在写入周期期间落入反射镜28(1)-28(N)的光学路径24(1)-24(N)内。工作台40还可包括至少一个线性编码器(未图示)，以提供关于工作台40在x方向和/或y方向上的位置变化的位置信息给计算机处理器32。

接下来，继续参照图1C，光学系统42可包括缩小率，以减小基板16上的光束18(1)-18(N)的大小。缩小率可为从2：1至10：1的范围。在此方面，光学系统44可包括至少一个透镜在基板16与SLM 12之间，所述至少一个透镜包括至少一个凸表面和/或凹表面。光学系统44可包括高透射率的材料(例如：石英)，以用于光34的各种波长，将光束18(1)-18(N)聚焦在基板16上。在一实施方式中，当反射镜28(1)-28(N)在作用位置30A中时，将相邻的光束18(1)-18(N)的光学中心彼此分隔的有效间距可为二十五(25)微米或更小。另外，反射镜28(1)-28(N)可沿着光学路径24(1)-24(N)的平行或实质上平行的路径朝向基板16反射光束18(1)-18(N)。当光束18(1)-18(N)通过光学系统44朝向基板16时，针对缩小率为5：1的光学系统44，在基板16处的有效间距可为五(5)微米或更小。以此方式，相较于没有光学系统42的情况来说，可用更加准确的控制来产生更高分辨率的影像于基板16上。

图1D为图1C的多光束图案产生器的示例性实施方式的顶部透视图，示出了相对于工作台40安装的图1C所示的写入机构17。写入机构17可包括光学系统42、光源26A、26B、对准摄像机38、计算机处理器32、和SLM 12。以此方式，工作台40支撑的基板16可相对于写入机构17移动，以写入图案于基板16上。

接下来，图3示出了偏移检测设备44(1)的部分顶部示意图，偏移侦测设备44(1)包括激光干涉仪48A-48D，激光干涉仪48A-48D在写入周期开始时直接测量工作台40的位置与偏移，其中在先前的写入周期中工作台40的先前位置70与基板16的先前位置72以破折线示出。工作台40可支撑基板16，并且可视为相对于彼此为不动的。激光干涉仪48A-48D可安装在不动的位置中，并且可分别对工作台40反射激光束74A-74D，以直接测量工作台40的位置，包括偏移。在此方面，干涉仪48A-48B可对在工作台40的角落78A处的工作台40的相邻侧部76A、76B反射，且干涉仪48C-48D可对在工作台40的角落78B处的工作台40的相邻侧部76C、76D反射。工作台40的角落78A、78B可横跨工作台40的矩形的对角线彼此相对。使用不同组合的干涉仪56A-56D来计算基板16的位置和/或偏移的差异可由计算机处理器32来解决，例如，通过平均。以此方式，可针对每一个写入周期，确定基板16的位置与偏移。

返回参照图1C，计算机处理器32可在一个实施方式中包括半导体器件、存储器与储存器件。计算机处理器32可接收图案数据，图案数据限定包括多个多边形19的图案15。图案数据的格式可为例如像是GDSII或MEBES模式5格式的格式。计算机处理器32可接收图案数据并且确定基板16上的图案数据的多边形19的位置，并且还确定当SLM 12的相应反射镜28(1)-28(N)被致动至作用位置30A时，可用于光束18(1)-18(N)以沿着行进至基板16的光学路径24(1)-24(N)。一旦计算机处理器32已经确定基板16上的光束18(1)-18(N)的光学路径24(1)-24(N)与多边形19的位置，则计算机处理器32可进而确定SLM 12的哪些反射镜要致动至作用位置30A(图2)，以基于写入策略规则来写入所述写入周期的图案15，写入策略规可由图案产生器14的使用者调整。

计算机处理器32可使用写入策略规则的各种实施方式来确定是否在写入周期期间可致动SLM 12的反射镜来写入在基板16上。在一个实施方式中，写入策略规则可包括：当光学路径24(1)-24(N)的相应一些光学路径定位于打算要由光束18(1)-18(N)写入的图案15的多边形19之上时，致动SLM 12的反射镜28(1)-28(N)的相应一些反射镜至作用位置30A。以此方式，可确定是否在写入周期期间要致动SLM 12的反射镜28(1)-28(N)至作用位置30A(图2)以写入在基板16上。

既然已经讨论过图案产生器14的实施方式的部件，图4示出了示例性工艺100的流程图，工艺100用于利用图案产生器14来写入图案15并且致动光束18(1)-18(N)开启与关闭来补偿基板16的偏移。图4示出的工艺100将使用以上提供的术语与信息来描述。

工艺100可包括：通过确定和数字地控制SLM 12的反射镜28(1)-28(N)的相应一些反射镜至作用位置30A或非作用位置30B，利用光34的光束18(1)-18(N)在写入周期WC期间写入在写入周期区域位置WCZL内的图案15的部分至基板16上(图4中的操作102A)。工艺100还可包括：针对每一个写入周期，相对于SLM 12移动基板16(图4中的操作102B)。工艺100还可包括：针对每一个写入周期，测量基板16的偏移(图4中的操作102C)。数字地控制反射镜28(1)-28(N)的已选择的一些反射镜包括：补偿每一个写入周期的基板16的已测量的偏移。每一个写入周期WC可确定多次偏移，以提供多个的偏移误差数据给计算机处理器32以平均并分辨高频偏移误差和来自低频工作台位置振动的工作台位置振动误差。低频工作台位置振动(例如，在低于半(0.5)赫兹至两百(200)赫兹范围的临界频率的那些振动)可传送至工作台40的马达33(图1C)来修正。相反地，高频偏移误差与高于临界频率的工作台位置振动误差可分配至SLM 12，通过数字地控制SLM 12的相应反射镜28(1)-28(N)来修正。

工艺100还可包括：确定是否图案15完全写入(图4中的操作102D)。若图案15未完全写入，则写入可继续。否则，若图案15完全写入，则工艺100可包括：从图案产生器14移除基板16(图4中的操作102E)。以此方式，可利用改良的图案放置准确性来写入图案15。

已经讨论了图案产生器14的部件以及利用图案产生器14来写入图案15的工艺100。现在，可以有偏移检测设备44(2)-44(3)的其它实施方式，使用激光干涉仪的不同配置来确定在每一个写入周期时的基板16的偏移。

在此方面，图5示出了偏移检测设备44(2)，偏移检测设备44(2)包括激光干涉仪50A-50H，激光干涉仪50A-50H在写入周期的开始时测量工作台40的位置与偏移，其中在先前的写入周期中的工作台40的先前位置52与基板16的先前位置53以破折线示出。工作台40可支撑基板16，且工作台40与基板16可视为相对于彼此为不动的。激光干涉仪50A-50H可安装在不动的位置中，并且可分别对工作台40反射激光束54A-54H，以测量工作台40的位置，包括偏移。干涉仪50A-50B可于工作台40的侧部55A处反射，干涉仪50C-50D可于工作台40的侧部55B处反射，干涉仪50E-50F可于工作台40的侧部55C处反射，且干涉仪50G-50H可于工作台40的侧部55D处反射。使用不同组合的干涉仪50A-50H来计算工作台40的位置和/或偏移的差异可由计算机处理器32来解决，例如，通过平均。以此方式，在每一个写入周期时可确定工作台40与支撑在工作台40上的基板16的位置与偏移，所以相对于基板16可确定图案15的所期望的位置。

偏移检测设备的另一个实施方式是可能的。图6示出了偏移检测设备44(3)，偏移检测设备44(3)包括激光干涉仪56A-56D，激光干涉仪56A-56D在写入周期开始时直接测量基板16的位置与偏移，其中在先前的写入周期中的工作台40的先前位置58与基板16的先前位置60以破折线示出。工作台40可支撑基板16并且可相对于彼此移动。激光干涉仪56A-56D可安装在不动的位置中，并且可分别对基板16反射激光束62A-62D，以直接测量基板16的位置，包括偏移。在此方面，干涉仪56A-56B可对在基板16的角落66A处的基板16的相邻侧部64A、64B反射，且干涉仪56C-56D可对在基板16的角落66B处的基板16的相邻侧部64C、64D反射。基板16的角落66A、66B可横跨具有矩形形状的基板16的对角线彼此相对。使用不同组合的干涉仪56A-56D来计算基板16的位置和/或偏移的差异可由计算机处理器32来解决，例如，通过平均。以此方式，针对每一个写入周期，可直接确定基板16的位置与偏移，而不会有因为基板16与工作台40之间的相对移动所导致的误差。

本领域技术人员将想到本发明未公开的许多修改与其它实施方式，所述实施方式具有前述描述与相关附图呈现的教导的益处。因此，应当理解的是，说明书与权利要求并不限于所公开的具体实施方式，并且修改和其它实施方式意在包括在所附权利要求的范围内。所打算的是，所述实施方式涵盖落入所附权利要求范围和它们的等同形式的范围内的实施方式的修改与变型。虽然本发明中使用了特定的术语，但是所述术语仅用于通用和描述性的理解，而非限制的目的。

虽然前述描述是针对本发明的实施方式，但是可在不脱离本发明的基本范围的情况下，可以设计本发明的其它与进一步实施方式，且本发明的范围由下面的权利要求来确定。