1.一种半导体器件的制造方法，包括在具有钝化层的硅层或基材上形成通过所述钝化层的贯通孔与所述硅层或基材的电极区域电气接触的电极，其中，
通过所述贯通孔在所述电极区域涂敷铝浆料，然后对所述铝浆料进行烧成，由此，形成所述电极，
所述贯通孔的最小直径为50μm以下，并且
所述电极区域的表面掺杂剂浓度为7×1018原子/cm3以上，或者所述电极区域的薄层电阻值为70Ω以下。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化层具有1～300nm的层厚。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述钝化层由从由氮化硅、氧化硅、氧化铝、以及它们的组合构成的组选择的材料所形成。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的方法，其中，所述半导体器件为太阳能电池。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的方法，其中，还包括利用下述的工序在所述钝化层形成所述贯通孔并且进行所述电极区域的掺杂：
提供具有下述的（i）和（ii）的层叠体：（i）在所述硅层或基材上配置的第一和/或第二钝化层，以及（ii）在第一钝化层的上侧且第二钝化层的下侧在所述电极区域上的区域配置的掺杂剂注入层，即，由掺杂硅粒子构成的掺杂剂注入层，
对所述层叠体的所述掺杂剂注入层、或所述第二钝化层之中的所述掺杂剂注入层上的区域进行光照射，由此，对所述电极区域进行掺杂，并且至少部分地除去所述掺杂剂注入层、以及所述钝化层，而形成所述贯通孔。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，利用下述的工序在所述钝化层形成所述贯通孔并且进行所述电极区域的掺杂：
在所述硅层或基材上形成所述第一钝化层，
在所述第一钝化层之中的、所述电极区域上的区域涂敷含有掺杂硅粒子的掺杂硅粒子分散体，
对所涂敷的所述掺杂硅粒子分散体进行干燥而做成所述掺杂剂注入层，以及
对所述掺杂剂注入层进行光照射，由此，对所述电极区域进行掺杂，并且至少部分地除去所述掺杂剂注入层、以及所述第一钝化层，而形成所述贯通孔。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，利用下述的工序在所述钝化层形成所述贯通孔并且进行所述电极区域的掺杂：
在所述电极区域涂敷含有掺杂硅粒子的掺杂硅粒子分散体，
对所涂敷的所述掺杂硅粒子分散体进行干燥而做成所述掺杂剂注入层，
在所述硅层或基材和所述掺杂剂注入层上形成所述第二钝化层，以及
对所述第二钝化层之中的所述电极区域上的区域进行光照射，由此，对所述电极区域进行掺杂，并且至少部分地除去所述掺杂剂注入层、以及所述第二钝化层，而形成所述贯通孔。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，利用下述的工序在所述钝化层形成所述贯通孔并且进行所述电极区域的掺杂：
在所述硅层或基材上形成所述第一钝化层，
在所述第一钝化层之中的、所述电极区域上的区域涂敷含有掺杂硅粒子的掺杂硅粒子分散体，
对所涂敷的所述掺杂硅粒子分散体进行干燥而做成所述掺杂剂注入层，
在所述第一钝化层和所述掺杂剂注入层上形成第二钝化层，以及
对所述第二钝化层之中的所述电极区域上的区域进行光照射，由此，对所述电极区域进行掺杂，并且至少部分地除去所述掺杂剂注入层、以及所述第一和第二钝化层，而形成所述贯通孔。
9.根据权利要求5～8中的任一项所述的方法，其中，还包括在涂敷所述铝浆料之前除去残留在所述硅层或基材上的所述掺杂硅粒子的工序。
10.根据权利要求5～9中的任一项所述的方法，其中，所述掺杂硅粒子的平均一次粒径为100nm以下。
11.根据权利要求5～10中的任一项所述的方法，其中，所述掺杂硅粒子的掺杂剂浓度为1×1020原子/cm3以上。
12.一种半导体器件，具有：
具有钝化层的硅层或基材，以及
通过所述钝化层的贯通孔与所述硅层或基材的电极区域电气接触的电极，其中，
所述贯通孔的最小直径为50μm以下，并且
所述电极区域的表面掺杂剂浓度为7×1018原子/cm3以上，或者所述电极区域的薄层电阻值为70Ω以下。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是太阳能电池。