1.一种在诸中部制程(MOL)层内的器件电容器结构，包括：
第一MOL层，其包括在半导体基板的有源表面上的多个虚设栅极触点之间的有源触点；以及
第二MOL层，其包括直接位于所述有源触点中暴露的各个有源触点上的多个堆叠式触点、以及在一些所述有源触点上的蚀刻停止层部分上的多个飞越触点，所述飞越触点和所述堆叠式触点提供多个器件电容器的端子。
2.如权利要求1所述的器件电容器结构，其特征在于，所述多个器件电容器结合多个解耦电容器和多个金属氧化物金属(MOM)电容器提供附加的电容。
3.如权利要求1所述的器件电容器结构，其特征在于，所述飞越触点和一些所述有源触点提供多个金属氧化物金属(MOM)电容器的端子。
4.如权利要求1所述的器件电容器结构，其特征在于，所述第一MOL层包括在所述多个虚设栅极触点和所述有源触点之间的电介质材料，所述电介质材料包括氮化硅和/或碳氮化硅。
5.如权利要求1所述的器件电容器结构，其特征在于，所述器件电容器结构被纳入到：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。
6.一种制造在诸中部制程(MOL)层内的器件电容器结构的方法，包括：
制造第一MOL互连层，所述第一MOL互连层包括在半导体基板的有源表面上的多个虚设栅极触点之间的有源触点；
在所述第一MOL互连层上沉积蚀刻停止层；以及
制造第二MOL互连层，所述第二MOL互连层包括直接位于所述有源触点中暴露的各个有源触点上的多个堆叠式触点、以及在一些所述有源触点上的蚀刻停止层部分上的多个飞越触点，所述飞越触点和所述堆叠式触点提供多个器件电容器的端子。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，制造所述第二MOL层包括：
在所述第一MOL层上蚀刻所述蚀刻停止层的预定部分以暴露所述有源触点中预定的各个有源触点；
使用堆叠式触点掩模来图案化邻近所述有源触点中暴露的各个预定的有源触点的所述蚀刻停止层；以及
在经图案化的蚀刻停止层上沉积导电物质以在所述有源触点中暴露的各个预定的有源触点上直接制造所述多个堆叠式触点。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述多个堆叠式触点和所述蚀刻停止层上沉积绝缘材料；
使用飞越掩模来图案化所述绝缘材料以暴露一些所述有源触点上的蚀刻停止层部分；
在暴露的蚀刻停止层部分上以及在所述绝缘材料内印刷导电材料以在一些所述有源触点上的所述蚀刻停止层部分上形成所述多个飞越触点。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述多个堆叠式触点和所述多个飞越触点之间，在所述第二MOL互连层内沉积氧化物材料。
10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，用于横向连通性的飞越掩模被用来形成所述飞越触点。
11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括，将所述器件电容器结构纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。
12.一种在诸中部制程(MOL)层内的器件电容器结构，包括：
第一MOL层，其包括在半导体基板的有源表面上的多个虚设栅极触点之间的有源触点；以及
第二MOL层，其包括直接位于所述有源触点中暴露的各个有源触点上的多个堆叠式触点、以及在一些所述有源触点上的用于蚀刻停止的装置部分上的多个飞越触点，所述飞越触点和所述堆叠式触点提供多个器件电容器的端子。
13.如权利要求12所述的器件电容器结构，其特征在于，所述多个器件电容器结合多个解耦电容器和多个金属氧化物金属(MOM)电容器提供附加的电容。
14.如权利要求12所述的器件电容器结构，其特征在于，所述飞越触点和一些所述有源触点提供多个金属氧化物金属(MOM)电容器的端子。
15.如权利要求12所述的器件电容器结构，其特征在于，所述第一MOL层包括在所述多个虚设栅极触点和所述有源触点之间的电介质材料。
16.如权利要求12所述的器件电容器结构，其特征在于，所述器件电容器结构被纳入到：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。
17.一种制造在诸中部制程(MOL)层内的器件电容器结构的方法，包括：
制造第一MOL层的步骤，所述第一MOL层包括在半导体基板的有源表面上的多个虚设栅极触点之间的有源触点；
在所述第一MOL层上沉积蚀刻停止层的步骤；以及
制造第二MOL层的步骤，所述第二MOL层包括直接位于所述有源触点中暴露的各个有源触点上的多个堆叠式触点、以及在一些所述有源触点上的蚀刻停止层部分上的多个飞越触点，所述飞越触点和所述堆叠式触点提供多个器件电容器的端子。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，制造所述第二MOL层包括：
在所述第一MOL层上蚀刻所述蚀刻停止层的预定部分以暴露所述有源触点中预定的各个有源触点的步骤；
使用堆叠式触点掩模来图案化邻近于所述有源触点中暴露的各个预定的有源触点的所述蚀刻停止层的步骤；以及
在经图案化的蚀刻停止层上沉积导电物质以在所述有源触点中暴露的各个预定的有源触点上直接制造所述多个堆叠式触点的步骤。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述多个堆叠式触点和所述蚀刻停止层上沉积绝缘材料的步骤；
使用飞越掩模来图案化所述绝缘材料以暴露一些所述有源触点上的所述蚀刻停止层部分的步骤；
在所述蚀刻停止层的暴露部分上以及在所述绝缘材料内印刷导电材料以在一些所述有源触点上的所述蚀刻停止层部分上形成所述多个飞越触点的步骤。
20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述多个堆叠式触点和所述多个飞越触点之间，在所述第二MOL互连层内沉积氧化物材料的步骤。
21.如权利要求17所述的方法，其特征在于，用于正交连通性的飞越掩模被用来形成所述飞越触点。
22.如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：将所述器件电容器结构纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。