技术总结
在诸中部制程(MOL)层内的器件电容器结构包括第一MOL互连层。第一MOL互连层可包括在半导体基板的有源表面上的一组虚设栅极触点之间的有源触点。该器件电容器结构还包括第二MOL互连层。第二MOL互连层可包括直接位于这些有源触点中暴露的各个有源触点上的一组堆叠式触点。第二MOL互连层还可包括在一些有源触点上的蚀刻停止层部分上的一组飞越(fly‑over)触点。这些飞越触点和这些堆叠式触点可提供一组器件电容器的端子。
技术研发人员：J·J·朱;S·S·宋;K·利姆;Z·王;J·J·徐
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
文档号码：201580048201
技术研发日：2015.07.17
技术公布日：2017.05.17