1.一种用于有机发光二极管装置的光提取基底，所述光提取基底包括：
基体基底；
多个光散射元件，设置在基体基底上；
覆盖基质层，设置在基体基底上，以覆盖所述多个光散射元件；
平坦化层，设置在覆盖基质层上，其具有邻接有机发光二极管的表面，
其中，所述多个光散射元件、覆盖基质层和平坦化层中的至少一者具有不同的折射率。
2.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，覆盖基质层由具有与所述多个光散射元件和平坦化层不同的折射率的材料形成。
3.根据权利要求2所述的光提取基底，其中，覆盖基质层包括具有比所述多个光散射元件和平坦化层的折射率高的高折射率基质层。
4.根据权利要求3所述的光提取基底，其中，覆盖基质层由金属氧化物或高折射率聚合物形成。
5.根据权利要求4所述的光提取基底，其中，覆盖基质层130由从由SiO2、TiO2、ZrOx、ZnO和SnO2组成的一组金属氧化物中选择的一种或至少两种的组合来形成。
6.根据权利要求5所述的光提取基底，其中，覆盖基质层由金红石TiO2形成。
7.根据权利要求6所述的光提取基底，其中，覆盖基质层其中具有多个不规则形状的空隙。
8.根据权利要求7所述的光提取基底，其中，所述多个空隙的尺寸在从50nm至900nm的范围内。
9.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，覆盖基质层的厚度小于所述多个光散射元件的厚度。
10.根据权利要求9所述的光提取基底，其中，覆盖基质层的厚度在从10nm至500nm的范围内。
11.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件的直径在从50nm至1μm的范围内。
12.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件和平坦化层由具有相同的折射率的材料形成。
13.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件和平坦化层由具有不同的折射率的材料形成。
14.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件和覆盖基质层由具有相同的折射率的材料形成，覆盖基质层和平坦化层由具有不同的折射率的材料形成。
15.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件和覆盖基质层由具有不同的折射率的材料形成，覆盖基质层和平坦化层由具有相同的折射率的材料形成。
16.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件、覆盖基质层和平坦化层设置在基体基底与有机发光二极管之间，以形成用于有机发光二极管的内部光提取层。
17.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件在覆盖基质层内具有40％或更大的填充密度。
18.根据权利要求17所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件包括颗粒、空隙或者它们的组合。
19.根据权利要求18所述的光提取基底，其中，每个颗粒具有单折射率或多重折射率。
20.根据权利要求19所述的光提取基底，其中，所述多个光散射元件包括颗粒，所述颗粒包括具有单折射率的单折射颗粒和具有多重折射率的多重折射颗粒的组合。
21.根据权利要求20所述的光提取基底，其中，多重折射颗粒中的每个包括核和围绕核的壳，所述壳具有与核不同的折射率。
22.根据权利要求21所述的光提取基底，其中，核包括中空部分。
23.根据权利要求1所述的光提取基底，其中，基体基底包括柔性基底。
24.根据权利要求23所述的光提取基底，其中，基体基底包括具有1.5mm或更小的厚度的薄玻璃片。
25.一种有机发光二极管装置，所述有机发光二极管装置包括：
阴极；
有机发光层，堆叠在阴极上；
阳极，堆叠在有机发光层上；
如权利要求1所要求的光提取基底，设置在阳极上，
其中，平坦化层邻接阳极，
其中，平坦化层、所述多个光散射元件和覆盖基质层形成了内部光提取层。