技术总结
一些实施例含括晶体管构造，其具有内衬在基底内的凹槽中的第一绝缘结构。第一导电结构内衬在所述第一绝缘结构的内部中，且铁电结构内衬在所述第一导电结构的内部中。第二导电结构位于所述铁电结构的下部区域内，且所述第二导电结构具有在所述第一导电结构的最上表面下方的最上表面。第二绝缘结构位于所述第二导电结构上方且位于所述铁电结构内。一对源极/漏极区域相邻于所述第一绝缘结构的上部区域且位于所述第一绝缘结构的彼此对置侧上。
技术研发人员：D·V·N·拉马斯瓦米
受保护的技术使用者：美光科技公司
文档号码：201580054326
技术研发日：2015.07.08
技术公布日：2017.05.31