一种并三噻吩硼烷晶体管材料及其制备方法
【专利摘要】本发明属于有机半导体材料领域，具体涉及一种并三噻吩硼烷晶体管材料及其制备方法。本发明提出的晶体管材料在结构上含有含并三噻吩及萘基硼烷；其优点如下：（1）并三噻吩、萘环是平面型大Π结构，B元素是n型半导体掺杂材料，这种结构组合对促进电子传输有积极意义。（2）通过调节硼烷上取代烷基的链长来控制材料的稳定性及在溶液中的溶解度，使材料适合于喷墨打印或丝网印刷制备晶体管工艺，从而降低晶体管制作成本。
【专利说明】一种并三噻吩硼烷晶体管材料及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于有机半导体材料领域，具体涉及一种并三噻吩硼烷晶体管材料及其制备方法。
【背景技术】
[0002]1977年人们发现通过掺杂可以使聚乙炔膜的电导率提高12个量级，由绝缘体变成导体，从此掀起了有机半导体的研究热潮。其研究工作包括有机高分子材料、有机小分子材料和有机分子晶体材料的电学、光学等性质。有机半导体中的载流子除了电子和空穴外，还有孤子、极化子等。人们已经获得低温迁移率高的高质量有机半导体晶体，在其中观察到量子霍尔效应，并用其制成有机半导体激光器，如今有机半导体彩色显示屏已进入实用阶段。
[0003]有机场效应晶体管(OFET)是用有机共轭分子作为活性半导体层，以无机或高分子介电物质作绝缘栅，通过栅电压调节开、关状态的一种三端器件。自从1986年第一个有机场效应晶体管问世以来，有机场效晶体管以其低成本、柔韧性好、可大面积制备等优点而受到广泛关注，贝尔实验室、IBM公司等多个研究机构相继投入了研究。近几年来，有机场效应晶体管得到了越来越深入的研究，新型有机半导体材料不断出现，器件性能不断改善。
[0004]本发明制备的材料含有并三噻吩、硼烷、萘环等基团，是一种新型晶体管材料，其优点如下:(I)并三噻吩、 萘环是平面型大n结构，B元素是n型半导体掺杂材料，这种结构组合对促进电子传输有积极意义。(2)通过调节硼烷上取代烷基的链长来控制材料的稳定性及在溶液中的溶解度，使材料适合于喷墨打印或丝网印刷制备晶体管工艺，从而降低晶体管制作成本。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提出一种并三噻吩硼烷晶体管材料及其制备方法。
[0006]本发明提出的并三噻吩硼烷晶体管材料，在结构上含并三噻吩及萘基硼烷，其结
构式如下所示:
[0007]
【权利要求】
1.一种并三噻吩硼烷晶体管材料及其制备方法，其特征在于该材料在结构上含并三噻吩及萘基硼烷，其结构式如下所示: 其中R为甲基、乙基、正丙基、正丁基、正己基之一种。
2.根据权利要求1所述的晶体管材料，其特征在于R为甲基，材料的分子式为C3tlH22B2S3，化学结构式如下:
3.根据权利要求1所述的晶体管材料，其特征在于R为乙基，材料的分子式为C32H26B2S3，化学结构式如下:、to
4.根据权利要求1所述的晶体管材料，其特征在于R为正丙基，材料的分子式为C34H3tlB2S3，化学结构式如下:
5.根据权利要求1所述的晶体管材料，其特征在于R为正丁基，材料的分子式为C36H34B2S3，化学结构式如下:
6.根据权利要求1所述的晶体管材料，其特征在于R为正己基，材料的分子式为C4tlH42B2S3，化学结构式如下:
7.—种如权利要求1~6所述的晶体管材料的制备方法,其特征在于该材料由2，6-二溴二噻吩并[3，2-b:2’，3’-d]噻吩、萘基溴硼烷、正丁基锂以及醋酸钯为起始原料，通过一步法制备获得，反应方程式如下:
【文档编号】H01L51/56GK103483365SQ201310394508
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年9月3日 优先权日:2013年9月3日
【发明者】蓝碧健 申请人:太仓碧奇新材料研发有限公司