热敏粘结的金属靶的冷却和利用优化的制作方法

本文中描述的实施方式涉及通过从靶进行溅射的层沉积。本文中描述的实施方式特定涉及一种具有背衬支撑件的溅射源和一种用于操作溅射源的方法，并且涉及一种用于对基板的溅射沉积的设备。

背景技术：

用于将薄层沉积在基板上的技术特定地是蒸发、化学气相沉积(chemicalvapordeposition；cvd)和溅射沉积(也被称为物理气相沉积(physicalvapordeposition；pvd))。例如，可以使用溅射沉积薄层，诸如金属薄层。在溅射工艺期间，通过利用离子轰击靶表面从由要沉积在基板上的材料组成的溅射靶而运输涂层材料。在溅射工艺期间，靶可以被电偏置以使得在工艺区域中产生的离子可以以足够能量轰击靶表面，从而将靶材料的原子从靶表面除去。所溅射的原子可以沉积到基板上。所溅射的原子可与等离子体中的气体(例如，氮或氧)反应以将材料的氧化物、氮化物或氮氧化物沉积到基板上。这可以被称为反应溅射。

在pvd工艺中，溅射材料(即，要沉积在基板上的材料)可以不同方式布置。例如，靶可由要沉积的材料制成，或者可具有背衬元件，要沉积的材料固定在背衬元件上。包括要沉积的材料的靶可以被支撑或固定在沉积腔室中的预定位置上。

存在两种一般类型溅射靶，即平面溅射靶和旋转溅射靶。平面溅射靶和旋转溅射靶都具有优点。由于阴极的几何形状和设计，相较平面靶来说，旋转靶可能具有更高的利用率和经增加的操作时间。此外，在大面积基板处理中，旋转溅射靶可能是特别有益的。然而，平面溅射靶也可能会用于大面积基板处理。在这种情况下，可能分开将多个溅射材料瓦片粘结到单一靶背板。

涂覆材料可以用于若干应用和若干技术领域中。例如，一应用是微电子领域，诸如生成半导体装置或用于较小型的便携电池供电装置的薄膜电池。另外，用于显示器的基板通常是通过pvd工艺涂覆的。另外应用包括绝缘面板、有机发光二极管(organiclightemittingdiode；oled)面板、具有tft的基板、滤色器等等。

在溅射期间，等离子体(离子、电子)可以将19-60kw的能量转移到靶表面。因此，靶经历热负荷。在靶由热敏材料(例如，碱金属或碱土金属)制成的情况下，热负荷必需耗散，以便避免靶材料熔化和/或蒸发(例如，锂具有的熔点为180℃)。鉴于上文，靶通常被设置有用于靶层的背衬支撑件，背衬支撑件中设置有冷却通道。

因此，一直需要靶与其背衬支撑件之间优化的热传导以及对靶材料的更好利用。

技术实现要素：

鉴于上文，提供根据独立权利要求1、9和14所述的溅射源、用于操作溅射源的方法和用于对基板的溅射沉积的设备。本公开内容的实施方式的另外方面、优点和特征从从属权利要求、描述和附图中显而易见。

根据一个方面，提供一种溅射源。所述溅射源包括：背衬支撑件，所述背衬支撑件具有靶接收表面和与所述靶接收表面相对的另一表面；和至少一个磁体组件，所述磁体组件邻近所述另一表面设置，其中所述背衬支撑件的所述靶接收表面具有至少一个凹槽，其中所述凹槽与所述磁体组件相对地设置。

根据另一方面，提供一种用于操作溅射源的方法。所述方法包括：提供磁体组件；和提供背衬支撑件，所述背衬支撑件具有靶接收表面和与所述靶接收表面相对的另一表面，其中所述背衬支撑件的所述靶接收表面具有至少一个凹槽，其中所述凹槽与所述磁体组件相对地设置。

根据另一方面，提供一种用于对基板的溅射沉积的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室经构造以用于对基板的溅射沉积；和溅射源。所述溅射源包括：背衬支撑件，所述背衬支撑件具有靶接收表面和与所述靶接收表面相对的另一表面；和至少一个磁体组件，所述磁体组件邻近所述另一表面设置，其中所述背衬支撑件的所述靶接收表面具有至少一个凹槽，其中所述凹槽与所述磁体组件相对地设置。

本公开内容还涉及一种用于实行所公开的方法且包括用于执行每个所描述的方法特征的设备部分的设备。这些方法特征可借助于硬件部件、通过适当软件编程的计算机、这两者的任何组合或以任何其它方式执行。此外，本公开内容还涉及描述设备操作的方法。它包括了用于实行设备的每一功能的方法。

附图说明

因此，为了能够详细理解本公开内容的实施方式的上述特征所用方式，上文所简要概述的对实施方式的更特定的描述可以参考本文中描述的实施方式进行。随附附图涉及本公开内容的各个实施方式，并且描述如下：

图1a示出了根据本文中描述的实施方式的溅射源的剖视图；

图1b示出了根据本文中描述的实施方式的背衬支撑件的透视图；

图1c示出了根据本文中描述的实施方式的包括靶材料的溅射源的剖视图；

图2a示出了根据本文中描述的实施方式的包括多个靶瓦片的溅射源的剖视图；

图2b示出了根据本文中描述的实施方式的包括多个靶瓦片的溅射源的剖视图；

图3示出了根据本文中描述的实施方式的用于对基板的溅射沉积的沉积设备的示意图；和

图4示出了根据本文中描述的实施方式的示出用于操作溅射源的方法的流程图。

具体实施方式

现将详细参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例在附图中示出。在以下对附图的描述内，相同元件符号是指相同部件。一般来说，仅描述了相对于单独实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的实施方式的方式提供，而不表示对实施方式的限制。另外，示出或描述为一个实施方式的部分的特征可以用于其它实施方式或与它们结合而产生另一实施方式。预期的是，描述包括这样的修改和变化。

如本文所述的溅射源是指包括背衬支撑件和磁体组件的组件。要溅射的靶材料可施加到背衬支撑件。背衬支撑件可以是板、圆筒、管或其它结构。如本文使用的术语“溅射源”是指适于被安装到溅射沉积设备且可包括要溅射的靶材料的任何电极组件。如本文使用的术语“靶”是指包括要沉积在基板上的材料的靶材料或靶瓦片。

对于平面溅射源，背衬结构的表面和靶材料的表面可以是平坦的，尤其在一个维度上如此。也就是说，靶材料和背衬结构可以沿着背衬结构的长度而具有恒定厚度，尤其在一个维度上如此。例如，靶可以是平面靶。另外，平面靶可具有狗骨(dog-bone)结构，即，靶厚度在磁控管的跑道在其中转弯的区域中可增加。

根据本文中描述的实施方式，在靶与背衬支撑件(即，用于支撑靶的支撑件)之间可提供类似于固态界面的热传导界面。热传导界面可通过使用相对于热膨胀方向垂直的接触表面来提供。

在此热传导背后的物理特性是在加热情况下坩埚(例如，靶或靶瓦片)可以膨胀。在这种情况下，靶的热膨胀可由现有等离子体引起。基于此热膨胀，就会形成靶材料与背衬支撑件之间的热界面。靶变得越热，在背衬支撑件上就会实现越大压力。在高压下，此热传导可接近于固体材料的热传导。在靶材料与背衬支撑件之间未优化接触的情况下，靶材料可变得更热且可具有更多的热膨胀。如上所述，靶可相应地形成与背衬支撑件的更好的热传导。因此，靶材料就具有更好的冷却。

本文中描述的实施方式涉及在用作溅射工艺的靶材料时的热敏材料，例如，碱金属或碱土金属。特定地，本文中描述的实施方式涉及在用作溅射工艺的靶材料时的锂。锂的一些性质(例如，对水分和/或空气暴露的敏感性、相对柔软和有延展性，并且具有相对低的熔点)使其成为制造锂溅射靶和它们在溅射工艺中的使用的有挑战性材料。例如，对环境空气氧化蒸汽(特别是h2o)的暴露和在打开真空腔室后与人员的接触应当被最小化。

相较其它碱金属来说，锂是特别引人关注的，因为它适用于生产高能量密度电池和蓄电池。例如，这些电池对于工业运输车辆或膝上型计算机、电话和其它电子装置中的电池来说可能是引人关注的。

在靶由热敏材料制成的情况下，当在溅射工艺期间由靶接收的热负荷未适当地耗散时，材料可能熔化和/或与背板的粘附可能较差。如本文使用的术语“热敏材料”是指具有低熔点(即，在25℃与650℃之间)的材料。特定地，热敏材料可以选自由碱金属或碱土金属组成的群组。更特定地，热敏靶材料可以是锂。

本文中描述的实施方式还涉及了也可使用其它金属和金属合金溅射靶，例如，高纯度铝合金、铜、钛、钼溅射靶。

对于一些靶材料，特别是热敏材料，靶材料的冷却和靶材料与背衬支撑件的粘结可能比其它材料更困难。鉴于上文，用于冷却的一种措施可能是使用上述物理工艺来改进靶到背衬支撑件的热传导。这是一个自稳定的系统。冷靶(即，没有额外冷却)将仅通过与背衬支撑件的粘结接触来冷却。靶变得越热，就会因靶的热膨胀而在背衬支撑件上形成更多压力。因此，靶形成与背衬支撑件的更好的热传导。因此，靶材料就具有更好的冷却。

图1a示出了溅射源100的剖视图。根据本公开内容的实施方式，溅射源可具有背衬支撑件102。背衬支撑件可具有靶接收表面112和与靶接收表面相对的另一表面110。溅射源还可包括至少一个磁体组件115，磁体组件邻近另一表面110设置。如图1a所示，背衬支撑件的靶接收表面112可具有至少一个凹槽120。凹槽可以与磁体组件相对地设置。因此，由于在凹槽处形成的热界面，溅射源可以在靶材料与背衬支撑件之间具有更好的热传导。因此，可以优化方式冷却靶材料。

根据可与本文中描述的其它实施方式结合的不同实施方式，背衬支撑件102可由选自由以下各项组成的群组中的材料制成：金属(例如，铜或钛)、合金(例如，不锈钢)和以上各项的任何组合。特定地，可使用铜，因为它具有了良好的热传导(400w/m.k)。

如上所述，溅射源可包括磁体组件115，以便获得经提高的沉积速率。根据本文中的实施方式，磁体组件可以布置在凹槽的高度处并且可提供磁场以进行磁增强的溅射。根据另外实施方式，磁体组件在另一表面处可附接到背衬支撑件。

图1b示出了图1a的背衬支撑件102的透视图。背衬支撑件的靶接收表面112可具有至少一个凹槽120。从图1b可看出，背衬支撑件的凹槽可具有矩形形状并且可以沿着背衬支撑件的深度d延伸。磁体组件(未示出)可以邻近另一表面110设置。凹槽可以与磁体组件相对地设置。

根据本公开内容的实施方式，溅射源可包括要溅射的靶材料。参考图1c，示出了包括靶材料104的图1a的溅射源100的顶视图。靶接收表面112可以经构造以保持靶材料104。靶接收表面可以面向靶材料并且可以在与基板将放置的方向相同的方向上。另一表面110可与靶接收表面相对。另一表面可以面向磁体组件115并且可以在与基板将放置的方向相反的方向上。

根据可与本文中描述的其它实施方式组合的另外实施方式，溅射源可以是平面溅射源，并且背衬支撑件可以是背板。

从图1c可看出，靶材料在与背衬支撑件的凹槽相对的区域处的厚度t比靶材料在与背衬支撑件的凹槽远离的区域处的厚度r高。与背衬支撑件的凹槽相对的区域可以是具有较高等离子体活动的区域，因为此区域在磁体组件前方。因此，基于此额外的厚度，对靶材料的侵蚀就会更深。因此，靶材料就具有更好的利用。

另外，背衬支撑件可具有凹槽，并且靶粘结表面可具有突起，使得靶可以在等离子体活动的区域中具有更大厚度。因此，基于此额外的厚度，对靶材料的侵蚀就会更大。因此，靶材料就具有更好的利用。

此外，在背衬支撑件处存在凹槽为溅射源提供了靶材料与背衬支撑件之间的热界面。因此，溅射源可以在靶材料和背衬支撑件之间具有更好的热传导。因此，可以优化方式冷却靶材料。

根据可与本文中描述的其它实施方式结合的另外实施方式，靶材料在与背衬支撑件的凹槽对应的区域处的的厚度可以在2mm至40mm的范围内，特定地，靶材料在与背衬支撑件的凹槽对应的区域或与背衬支撑件的凹槽相对的区域处的厚度可以在5mm至30mm的范围内，更特定地，靶材料在与背衬支撑件的凹槽对应的区域处或与背衬支撑件的凹槽相对的区域处的厚度可以在5mm至20mm的范围内。

根据另外实施方式，靶材料在与背衬支撑件的凹槽相对的区域处的厚度t与靶材料在与背衬支撑件的凹槽远离的区域处的厚度r之间的差异可以是1mm或更大，特定地，差异可以是3mm或更大，更特定地，差异可以是5mm或更大。

根据另外实施方式，靶材料可具有突起，突起经构造以接合背衬支撑件的凹槽。靶材料可以不被压入到背衬支撑件的凹槽中，而是可以设置在背衬支撑件的靶接收表面112上。为了在靶接收表面上设置靶材料，突起的尺寸可以略微比背衬支撑件的凹槽小，例如，小0.25mm至0.6mm。在具有较小突起尺寸时，靶材料可以更容易地安装到背衬支撑件上，例如没有摩擦问题。

从图1c可看出，靶材料的突起和背衬支撑件的凹槽可具有矩形形状。根据本发明实施方式，在溅射工艺开始前，突起的尺寸可以小于背衬支撑件中的凹槽。在具有较小突起尺寸时，靶材料可以更容易地安装到背衬支撑件上。在溅射工艺期间，高功率的离子朝向靶材料加速并且靶材料经历高热负荷。热负荷可引起靶的热膨胀。基于此热膨胀，靶材料的突起可完全配合到背衬支撑件的凹槽中，例如，突起被压入到背衬支撑件的凹槽中。因此，可形成或改进靶材料与背衬支撑件的凹槽之间的热界面。在此热界面处，就会发生靶材料与背板之间的热传导。凹槽处的压力越高，热传导就会越好。

鉴于上文，如本文所述的溅射源可以在靶材料与背衬支撑件之间具有更好的热传导。因此，靶材料可以改进方式冷却。如上所述，靶材料可被冷却，以便避免靶材料熔化和/或蒸发，尤其是在靶由热敏材料制成时。此外，在背衬支撑件处存在凹槽使靶在等离子体活动区域中的厚度更大。因此，基于此额外的厚度，对靶材料的侵蚀就会更深。因此，靶材料就具有更好的利用。

根据本公开内容的实施方式，凹槽120可具有宽度w。宽度可平行于靶材料的突起的下表面。凹槽的宽度w可足够大，以便允许靶材料被安装到背衬支撑件而无摩擦问题。凹槽的宽度w也可大至足以允许在与背衬支撑件的凹槽相对的区域处的靶材料的深侵蚀槽。深侵蚀槽提供对靶材料的更好利用。根据本公开内容的特定实施方式，凹槽的宽度可以是磁体组件的宽度的至少100％，特定地，凹槽的宽度可以是磁体组件的宽度的至少150％，更特定地，凹槽的宽度可以是磁体组件的宽度的至少200％。

根据另外实施方式，凹槽可具有与第二表面135相对的第一表面130。凹槽的第一表面可平行于凹槽的第二表面。更特定地，第一表面可具有相对于第二表面在0°至10°之间的倾度。具有矩形或基本上矩形的结构的凹槽在靶材料与背衬支撑件之间提供更好的热界面。因此，靶形成与背衬支撑件的更好的热传导。因此，靶材料就具有更好的冷却。

图2a中示出了包括多个靶瓦片的溅射源的顶视图。如本文使用的术语“靶瓦片”是指要溅射的靶材料的瓦片。根据本公开内容的实施方式，溅射源可具有背衬支撑件。背衬支撑件可具有靶接收表面和与靶接收表面相对的另一表面。背衬支撑件可以经构造以在靶接收表面处接收一个或多个靶瓦片。

如图2a所示，溅射源200可具有设置在背衬支撑件102上的两个靶瓦片104a、104b。溅射源还可包括两个磁体组件115a、115b。根据本公开内容的实施方式，背衬支撑件可具有两个凹槽120a、120b。凹槽可以与磁体组件115a、115b相对地设置。根据特定实施方式，凹槽120a可以与磁体组件115a相对地设置，并且凹槽120b可以与磁体组件115b相对地设置。

根据本文中的实施方式，图2a的溅射源可以是平面溅射源，并且背衬支撑件可以是背板。如上所述，平面溅射源也可能会用于大面积基板处理。在那种情况下，可能分开将多个溅射材料瓦片粘结到单一背板。根据本文中的实施方式，溅射源可包括为一个或多个靶瓦片提供支撑的单一背板，即，单片背板结构。

如上所述，在溅射工艺期间，来自等离子体的带电离子可以冲击靶材料的表面。这些冲击可使靶材料变得更热。由于热量，靶材料可热膨胀，使得突起可以与背衬支撑件的凹槽接触，从而在靶材料与背衬支撑件之间形成热界面。基于此热膨胀，靶材料的突起可完全配合到背衬支撑件的凹槽中和/或被压入到背衬支撑件的凹槽中。就会形成靶材料与背衬支撑件的凹槽之间的热界面。在此热界面处，就会发生靶材料与背板之间的热传导。凹槽上的压力越高，热传导就会越好。

因此，由于在凹槽处形成的热界面，如本文所述的溅射源可以在靶材料与背衬支撑件之间具有更好的热传导。因此，可以以优化方式冷却靶材料。如上所述，靶材料可被冷却，以便避免靶材料熔化和/或蒸发，尤其是在靶由热敏材料制成时。

根据可与本文中的其它实施方式组合的另外实施方式，在溅射工艺期间，靶瓦片104a可热膨胀，使得靶瓦片的突起可以与背衬支撑件的凹槽120a接触，从而在靶材料与背衬支撑件之间形成两个热界面205。同样，在溅射工艺期间，靶瓦片104b可热膨胀，使得靶瓦片的突起可以与背衬支撑件的凹槽120b接触，从而在靶材料与背衬支撑件之间形成两个热界面205。

根据替代实施方式，溅射源可包括多个背板。因此，每个背板可为一个靶瓦片提供支撑。多个背板可以通过附接构件紧固彼此。附接构件可以选自由以下各项组成的群组：夹具、螺杆、焊料和以上各项的任何组合。

图2b示出了包括多个靶瓦片的溅射源的顶视图。特定地，图2b的溅射源示出了在第一溅射循环之后的图2a的溅射源。根据本公开内容的实施方式，溅射源200可具有背衬支撑件102。背衬支撑件可具有靶接收表面和与靶接收表面相对的另一表面。溅射源200可具有设置在背衬支撑件102上的两个靶瓦片104a、104b。溅射源还可包括两个磁体组件115a、115b。根据本公开内容的实施方式，背衬支撑件可具有两个凹槽120a、120b。凹槽可以与磁体组件115a、115b相对地设置。根据特定实施方式，凹槽120a可以与磁体组件115a相对地设置，并且凹槽120b可以与磁体组件115b相对地设置。

根据本公开内容的另外实施方式，溅射工艺可以是使用ac和/或dc电流的磁控溅射工艺。溅射工艺可以在气体氛围中进行。可以将电流施加到溅射源，以便在靶材料的附近产生等离子体，即，离子化的气体原子与自由电子的混合物。如图2b所示，由磁体组件115a、115b提供的磁场可以增强在靶瓦片104a、104b的附近的等离子体区域225的形成。因此，与因磁体(磁控溅射)造成的等离子体约束区域远离的沉积腔室中的气体可以保持很大程度未离子化。在溅射工艺期间，来自等离子体的带电离子可以朝向靶材料加速并且冲击在它的表面上，从而除去靶材料的原子。所除去的原子可以沉积在基板(未示出)上。

从图2b可看出，等离子体强度、以及溅射速率在接近于磁体组件的区域中可以比在远离于磁体组件的区域中高。因此，靶材料可主要从与背衬支撑件的凹槽相对的区域溅射。与背衬支撑件的凹槽相对的区域也与磁体组件相对。如上所述，在接近于磁体组件的区域中，靶可具有更大厚度。基于此更大的厚度，对靶材料的侵蚀在与背衬支撑件的凹槽相对的区域处可以更深。因此，靶材料就具有更好的利用。从靶除去的原子可以在靶瓦片中形成侵蚀槽232。侵蚀槽在与背衬支撑件的凹槽相对的区域处可以更深。

根据可与本文中描述的其它实施方式组合的另外实施方式，由磁体组件115a提供的磁场可以增强靶瓦片104a的附近的等离子体区域225的形成。同样，由磁体组件115b提供的磁场可以增强在靶瓦片104b的附近的等离子体区域225的形成。在接近于磁体组件115a、115b的区域中，靶瓦片104a、104b可具有更大厚度。基于此更大的厚度，对靶材料的侵蚀在与背衬支撑件的凹槽相对的区域处可以更深。从靶瓦片104a、104b除去的原子可以在靶瓦片的表面中形成侵蚀槽232。

根据本文中的实施方式，磁体组件可以是移动磁体组件。通过移动磁体组件，等离子体区域也可在磁场影响下在相同方向上移动。根据另外实施方式，磁体组件115可以在箭头5的方向(即，平行于背衬支撑件的另一表面的方向)上移动，使得等离子体区域225可以在相同方向上移动。通过相对于靶材料的表面而移动等离子体区域，可以控制要发生溅射的区域。因此，溅射可以沿着靶材料的较宽表面发生，并且对靶材料的侵蚀沿着平行于背衬支撑件的另一个表面的方向更为均匀。因此，靶材料就具有更好的利用。图2b中的虚线示出了响应于磁体组件115a、115b的移动进行的等离子体区域225的移动。

根据另外实施方式，磁体组件可以是固定磁体组件，即，在溅射工艺期间无法被移动的磁体组件。

根据本公开内容的实施方式，溅射源可包括用于将靶材料保持在背衬支撑件处的附接构件(未示出)。作为替代或除了在靶材料与背衬支撑件之间的粘结之外，可使用此附接构件。由于靶材料的热膨胀，靶被压入到背衬支撑件中。因此，当靶处于室温或不处于高温(不热膨胀)时，附接构件可以用于将靶保持到背衬支撑件。例如，附接构件可以在维护等等期间将靶保持到背衬支撑件。在加热靶时，即，当靶因热膨胀而被压入到背衬支撑件中时，附接构件仍可能会存在，但是不会显著促成将靶附接到背衬支撑件。因此，附接构件可以经构造以在未加热的状态下将靶附接到背衬支撑件。根据另外实施方式，附接构件可以选自由以下各项组成的群组：夹具、螺杆、焊料和以上各项的任何组合。

根据本文中的实施方式，靶材料可以是高纯度金属或金属合金。根据另外实施方式，靶材料可以是碱金属或碱土金属。特定地，靶材料可以是锂。根据另外实施方式，高纯度铝合金溅射靶可以用于半导体制造。同样，可以使用其它金属和金属合金溅射靶，例如，来自铜、钛、钼溅射靶。

图3示出了用于对基板308的溅射沉积的设备300的示意图。所述设备可包括：真空腔室305，所述真空腔室经构造以用于对基板的溅射沉积；和溅射源100。溅射源100对应图2a和图2b中任一者的溅射源。溅射源可具有背衬支撑件102。背衬支撑件可具有靶接收表面和与靶接收表面相对的另一表面。溅射源还可包括至少一个磁体组件115，磁体组件邻近另一表面设置。背衬支撑件的靶接收表面可具有至少一个凹槽。凹槽可以与磁体组件相对地设置。靶接收表面可以经构造以保持靶材料。因此，靶接收表面可以面向靶材料并且可以在基板308被放置的位置的方向上。另一表面可与靶接收表面相对。因此，另一表面可以面向磁体组件并且可以在与基板308被放置的位置相反的方向上。

如图3所示，由磁体组件115提供的磁场可以增强在靶瓦片104a、104b的附近的等离子体区域225的形成。因此，与靶材料远离的腔室305中的气体可以保持很大程度未离子化。在溅射工艺期间，来自等离子体的带电离子可以朝向靶材料加速并且冲击在它的表面上，从而除去靶材料的原子。所除去的原子可以沉积在基板308上。

根据另外实施方式，溅射源100可以是适于连接到ac电源或dc电源(未示出)的源。

根据本文中的实施方式，设备300可包括用于使背衬支撑件冷却的冷却构件314。例如，可以使用有冷却液体的冷却通道来冷却背衬支撑件。

用于操作溅射源的方法的实施方式如图4中的示意图所示。方法可包括提供磁体组件402。方法还可包括提供背衬支撑件404，背衬支撑件具有靶接收表面和与靶接收表面相对的另一表面，其中背衬支撑件的靶接收表面具有至少一个凹槽，其中凹槽与磁体组件相对地设置。因此，由于在凹槽处形成的热界面，溅射源可以在靶材料与背衬支撑件之间具有更好的热传导。因此，可以以优化方式冷却靶材料。此外，在背衬支撑件处存在凹槽使靶在等离子体活动区域中的厚度更大。因此，基于此额外的厚度，对靶材料的侵蚀就会更大。因此，靶材料就具有更好的利用。

本文中描述的实施方式可以用于大面积基板(例如，具有例如电致变色装置(其包括锂)在其上的建筑规模窗口、或锂电池制造)上的沉积。根据可与本文中描述的其它实施方式组合的不同实施方式，本文中描述的实施方式可以用于显示器pvd，即，在用于显示器市场的大面积基板上的溅射沉积。

根据一些实施方式，大面积基板或相应载体(其中载体具有一个或多个基板)可具有至少0.67m²的尺寸。尺寸可以为约0.67m²(0.73m×0.92m-第4.5代)至约8m²，更典型地约2m²至约9m²或甚至高达12m²。采用根据本文中描述的实施方式的结构、设备(诸如阴极组件)和方法的基板或载体是本文中描述的大面积基板。例如，大面积基板或载体可以是第4.5代(其对应于约0.67m²基板(0.73m×0.92m))、第5代(其对应于约1.4m²基板(1.1m×1.3m))、第7.5代(其对应于约4.29m²基板(1.95m×2.2m))、第8.5代(其对应于约5.7m²基板(2.2m×2.5m))、或甚至是第10代(其对应于约8.7m²基板(2.85m×3.05m))。可类似地实现甚至更高的代(诸如第11代和第12代)以及对应基板面积。

尽管上述内容涉及本公开内容的实施方式，但是也可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其它和进一步实施方式，并且本公开内容的范围是由随附的权利要求书确定。