技术特征：
技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底和在基底上的介质层，基底内有底层金属层；在介质层上形成具有多个分立的沟槽图形开口的掩膜层；对沟槽图形开口侧壁的掩膜层进行氧等离子体处理后，形成覆盖掩膜层和沟槽图形开口的平坦层；在平坦层上形成具有接触孔图形开口的光刻胶层，至少有一个沟槽图形开口上具有对应的接触孔图形开口；以光刻胶层和掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的介质层，在介质层中形成接触孔；去除光刻胶层和平坦层后，以掩膜层为掩膜刻蚀介质层至暴露出底层金属层表面，在介质层中形成沟槽。所述方法能够避免接触孔和沟槽对不准引起的接触孔的宽度变小的现象，避免发生断路。
技术研发人员：何其暘;胡敏达
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.01.06
技术公布日：2017.07.14