1.一种形成半导体装置结构的方法，该方法包括：
提供具有绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的衬底，该SOI衬底包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体衬底上；
形成沟槽隔离结构，以在该SOI衬底内划定第一区及第二区；
移除该第一区中的该半导体层及该BOX层，以暴露该第一区内的该半导体块体衬底；
在该第一区中的该暴露半导体块体衬底中及上方形成具有电极的第一半导体装置；
在该第二区中形成第二半导体装置，该第二半导体装置包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的栅极结构；以及
执行抛光制程，以定义该电极与该栅极结构二者延伸至的共同高度水平。
2.如权利要求1所述的方法，其中，依据后栅极技术形成该栅极结构，包括在该第二区上方形成伪栅极结构以及以该栅极结构替代该伪栅极结构。
3.如权利要求2所述的方法，其中，该第一半导体装置包括依据后栅极技术形成的第二栅极结构。
4.如权利要求3所述的方法，其中，该第一及第二半导体装置是NMOS装置。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该第一半导体装置是晶体管装置、电阻器装置以及电容器装置的其中一种。
6.如权利要求2所述的方法，其中，该伪栅极结构包括钨。
7.一种形成具有块体半导体装置及SOI半导体装置的半导体装置结构的方法，该方法包括：
提供具有绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的衬底，其中，该SOI衬底包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体衬底上；
形成沟槽隔离结构，以在该SOI衬底内划定第一区及第二区；
暴露该第一区内的该半导体块体衬底；
在该第一区中的该暴露半导体块体衬底中及上方形成该块体半导体装置，该块体半导体装置包括位于该第一区中的该暴露半导体块体衬底上方的第一栅极结构；
在该第二区中形成该SOI半导体装置，该SOI半导体装置包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的第二栅极结构；以及
执行抛光制程，以定义该第一及第二栅极结构延伸至的共同高度水平。
8.如权利要求7所述的方法，其中，在执行该抛光制程之前，通过在各该第一及第二区上方形成第一及第二伪栅极结构并以该第一及第二栅极结构替代该伪栅极结构而依据后栅极技术形成该第一及第二栅极结构。
9.如权利要求8所述的方法，其中，通过在该第一及第二区上方沉积伪栅极材料堆叠并在图案化该伪栅极材料堆叠之前抛光该沉积的伪栅极材料堆叠至大于该共同高度水平的高度水平来形成该第一及第二伪栅极结构。
10.如权利要求9所述的方法，其中，该伪栅极材料堆叠包括钨。
11.如权利要求9所述的方法，还包括在该沉积的伪栅极堆叠材料上方形成掩膜图案以及施加蚀刻制程于该块体半导体装置及该SOI半导体装置，以依据该掩膜图案形成该第一及第二伪栅极结构。
12.如权利要求11所述的方法，其中，该蚀刻制程包括第一蚀刻步骤且该伪栅极材料堆叠包括在该第一蚀刻步骤期间充当蚀刻停止的最下方氧化物衬里，其中，在该第一及第二区上方均匀地蚀刻该沉积的伪栅极材料堆叠，直到该氧化物衬里暴露于该第二区中。
13.如权利要求12所述的方法，其中，在该第一蚀刻步骤之后，在该第一及第二区上方形成阻挡掩膜，该阻挡掩膜覆盖该第二区并暴露该第一区，以及依据该阻挡掩膜施加第二蚀刻停止于该块体半导体装置，以暴露该第一区中的该氧化物衬里。
14.如权利要求13所述的方法，其中，该阻挡掩膜部分暴露用以划定该第一区的该沟槽隔离结构。
15.如权利要求9所述的方法，还包括通过在该第一及第二区上外延生长掺杂硅材料而对齐该第一及第二伪栅极结构及STI(shallow trench isolation；浅沟槽隔离)区在该第一及第二区中形成凸起源/漏区。
16.一种半导体装置结构，包括：
形成于半导体衬底中的第一区以及由半导体层及设于该半导体层下方的氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)形成的第二区，该半导体层及该BOX层两者都设于该半导体衬底上；
半导体块体装置，包括设于该第一区中的该半导体衬底上的第一栅极结构；以及
SOI半导体装置，包括设于该第二区中的该半导体层上的第二栅极结构；
其中，该第一及第二栅极结构所具有的最终栅极高度延伸至该半导体衬底上方的共同高度水平。
17.如权利要求16所述的半导体装置结构，其中，该第一及第二栅极结构包括铝。
18.如权利要求16所述的半导体装置结构，还包括与该第一及第二栅极结构对齐位于该第一及第二区中的凸起源/漏区，该凸起源/漏区由设于该第一区中的该半导体衬底上及该第二区中的该半导体层上的掺杂硅材料形成。
19.一种半导体装置结构，包括：
形成于半导体衬底中的第一区以及由半导体层及设于该半导体层下方的氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)形成的第二区，该半导体层及该BOX层两者都设于该半导体衬底上；
电阻器装置，设于该第一区中的该半导体衬底上，该电阻器装置由电阻器材料形成；以及
SOI半导体装置，包括设于该第二区中的该半导体层上的栅极结构；
其中，该电阻器材料及该栅极结构延伸至该半导体衬底上方的共同水平。
20.一种半导体装置结构，包括：
形成于半导体衬底中的第一区以及由半导体层及设于该半导体层下方的氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)形成的第二区，该半导体层及该BOX层两者都设于该半导体衬底上；
由电容器材料构成的电容器装置，设于该第一区中的该半导体衬底上；以及
SOI半导体装置，包括设于该第二区中的该半导体层上的栅极结构；
其中，该电容器材料及该栅极结构延伸至该半导体衬底上方的共同高度水平。