技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及制造方法，包括：衬底、位于衬底上的氮化镓GaN层、位于GaN层上的氮化镓铝AlGaN层、开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层、栅极、源极、以及漏极；介质层位于AlGaN层的表面上，栅极接触孔位于源极接触孔和漏极接触孔之间；栅极包括自下向上依次填充栅极接触孔的氧化铝Al2O3层和金属层，源极包括填充源极接触孔的金属层，漏极包括填充漏极接触孔的金属层。通过本发明提供的方案，能够有效减小栅漏电，改善器件特性。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03