伯努利基座装置及沉积设备的制作方法

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种伯努利基座装置及沉积设备。

背景技术：

在外延层生长过程中，晶圆的滑移错位(slipdislocation)成为一个影响晶圆性能的重要缺陷。滑移错位使形成在晶圆上的器件性能大为降低。

如图1所示，在现有技术中，为了解决上述滑移错位的问题，通常会在反应设备的基座1中设计一凹槽，当晶圆2放置在基座1上时，晶圆2仅有部分与基座1接触，中心大部分区域均悬空，如图1所示，避免晶圆2与基座1大面积接触，减少基座1上的污染物对晶圆2造成污染，从而可以确保晶圆2形成的性能。由于基座1上的温度采用辐射状对晶圆2进行加热，在形成凹槽后，晶圆2表面的因为应力而凹陷靠近在基座1表面上，这样会造成温度辐射在晶圆2的中心区域，使晶圆2的受热不均匀，受热不均则会导致滑移错位越来越严重，因此，如何解决滑移错位成为本领域技术人员急需解决的技术问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种伯努利基座装置及沉积设备，能够使晶圆与基 座完全不接触，能够避免基座上污染物污染晶圆的同时，还能够确保晶圆受热均匀，减小滑移错位的产生。

为了实现上述目的，本发明提出了一种伯努利基座装置，包括：

基座，一端表面设有多个气孔，另一端设有中轴；

多管气体管路，设于所述中轴中，并贯穿所述基座，连接所述气孔，为所述气孔提供预定压力的气体。

进一步的，在所述的伯努利基座装置中，所述气孔均匀分布在所述基座表面。

进一步的，在所述的伯努利基座装置中，所述气孔分为内圈气孔和外圈气孔，所述内圈气孔靠近所述基座的中心区域，所述外圈气孔靠近所述基座的边缘区域。

进一步的，在所述的伯努利基座装置中，所述气体管路为两条独立管路，分别为内圈气孔和外圈气孔提供气体。

进一步的，在所述的伯努利基座装置中，所述气体管路提供的气体为h2。

在本发明中，还提出了一种沉积设备，包括上文所述的伯努利基座装置和反应腔室，所述伯努利基座装置安装在所述反应腔室内，晶圆通过伯努利原理吸附在所述伯努利基座装置的表面。

进一步的，在所述的沉积设备中，所述伯努利基座装置中的气孔均匀分布在基座表面。

进一步的，在所述的沉积设备中，所述气孔分为内圈气孔和外圈气孔，所述内圈气孔靠近所述基座的中心区域，所述外圈气孔靠近所述基座的边缘区域。

进一步的，在所述的沉积设备中，所述伯努利基座装置中的气体管路为两条独立管路，分别为内圈气孔和外圈气孔提供气体。

进一步的，在所述的沉积设备中，所述伯努利基座装置中的气体管路提供的气体为h2。

进一步的，在所述的沉积设备中，所述伯努利基座装置中多管气体管路提供的气体压力可调。

与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：在基座表面设置气孔，在基座中设置多管气体管路，多管气体管路为气孔提供预定压力的气体，当晶圆放置在基座表面，通过气孔喷出的气体，借助于伯努利原理使晶圆被吸附在基座表面，但与基座保持预定距离，实现晶圆与基座完全不接触，并且由于晶圆于基座靠近，且距离均匀，基座对晶圆的热辐射更加均匀，避免晶圆形成滑移错位，提高晶圆的性能。

附图说明

图1为现有技术中基座结构示意图；

图2为本发明一实施例中伯努利基座装置的俯视图；

图3为沿图2中aa向的剖面示意图；

图4为沿图2中bb向的剖面示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的伯努利基座装置及沉积设备进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

实施例一

请参考图2至图4，在本实施例中，提出了一种伯努利基座装置，包括：基座10，一端表面设有多个气孔，另一端设有中轴30；多管气体管路，设于所述中轴30中，并贯穿所述基座10，连接所述气孔，为所述气孔提供预定压力的气 体。

具体的，如图2所示，所述气孔均匀分布在所述基座10的表面，均匀分布在基座10的表面时，后续为晶圆提供的吸附力更加均匀，确保晶圆能够很好的被吸附在基座10的表面附近。

在本实施例中，所述气孔分为内圈气孔21和外圈气孔22，所述内圈气孔21靠近所述基座10的中心区域，所述外圈气孔22靠近所述基座10的边缘区域。具体的，内圈气孔21和外圈气孔22的个数可以不同，设置位置也可以根据不同的要求进行选择，在此不再限定。

在本实施例中，所述气体管路为两条独立管路，分别为第一气体管路41和第二气体管路42，所述第一气体管路41为内圈气孔21提供气体，所述第二气体管路42为所述外圈气孔22提供气体，如图3所示。需要指出的是，本领域技术人员理应知晓，除了本实施例提供的2条独立管路，还可以包括3条及以上的管路，在此不做赘述。

在本实施例中，所述气体管路提供的气体为h2，这样能够避免影响晶圆表面硅的形成产生其它气体的污染。

在本实施例的另一方面，还提出了一种沉积设备，包括如上文所述的伯努利基座装置和反应腔室，所述伯努利基座装置安装在所述反应腔室内，晶圆通过伯努利原理吸附在所述伯努利基座装置的表面。

在本实施例中，提供的第一气体管路41和第二气体管路42均可以根据不 同的要求进行气体压力的调节，两管管路均独立相互不影响。本实施例中，借助伯努利原理将晶圆吸附在基座上，并与基座保持预定间距，能够很好的避免基座污染晶圆，还能够使基座对晶圆的热辐射更加均匀，避免晶圆形成滑移错位，提高晶圆的性能。

综上，在本发明实施例提供的伯努利基座装置及沉积设备中，在基座表面设置气孔，在基座中设置气体管路，气体管路为气孔提供预定压力的气体，当晶圆放置在基座表面，通过气孔喷出的气体，借助于伯努利原理使晶圆被吸附在基座表面，但与基座保持预定距离，实现晶圆与基座完全不接触，并且由于晶圆于基座靠近，且距离均匀，基座对晶圆的热辐射更加均匀，避免晶圆形成滑移错位，提高晶圆的性能。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。