技术特征：
技术总结
本发明提供了一种平面型VDMOS器件的制作方法，该方法包括：对栅氧化层上的多晶硅层进行光刻、刻蚀，在栅氧化层上方的中间区域形成栅极，栅极的截面宽度为A+X微米；制作平面型VDMOS器件的P‑体区；在栅极的阻挡下，制作平面型VDMOS器件的P+深体区，使P+深体区的扩散宽度为X微米；采用低温氧化工艺，将栅极外侧的多晶硅转换为氧化层，氧化层的厚度为X/2微米，以使栅极的边界与P+深体区的对应边界齐平；去除栅极外侧的氧化层以及栅极左右两侧的栅氧化层；以栅极为阻挡，做自对准的N+源区注入及驱入，形成N+源区。P+深体区对沟道不会造成影响，器件更稳定，能够获得结深更大的深体区，器件获得更好的EAS能力。
技术研发人员：赵圣哲;马万里
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.04.29
技术公布日：2017.11.07