柔性元件的制作方法

本发明涉及一种柔性元件。

背景技术：

在半导体材料的制造过程中，可能会需要使用热退火工艺。高能量光照射式技术，例如红外线照射技术(IR-lamp)或快闪式照射技术(FLA)可适用于热退火工艺。高能量光照射式技术可具有低制造温度以及减少制造时间的特点。

当使用高能量光照射式技术于制造柔性(flexible)元件时，在热退火过程中可能会造成柔性基板的焦化。柔性基板由可吸收特定波长光线的材料所制造而成，所述柔性基板的焦化可能是由于光线吸收所造成的。有鉴于上述情况，如何防止热退火时的基板焦化以提高半导体产品的品质，实为相关领域极欲解决的问题。

技术实现要素：

本发明一实施例提供一种柔性元件，可包括：柔性基板；缓冲层，配置于柔性基板上；光反射层，配置于柔性基板上，其中光反射层的反射波长例如为200nm～1100nm，反射率大于80％，且光反射层的应力方向与柔性基板的应力方向可为相同；以及元件层，配置于光反射层以及缓冲层上。

在一实施例中，光反射层配置于缓冲层内。

在一实施例中，光反射层是图案化光反射层，且图案化光反射层不与元件层的一栅电极重叠或是不与元件层的多晶硅层重叠。

在一实施例中，还包含阻挡层，其中光反射层位于阻挡层上，且位于阻挡层以及缓冲层之间。

在一实施例中，光反射层是图案化光反射层，且图案化光反射层不与元件层的栅电极重叠。

在一实施例中，光反射层是图案化光反射层，且图案化光反射层不与元件层的多晶硅层重叠。

在一实施例中，还包含光吸收膜，其中光吸收膜位于光反射层上方或位于光反射层下方。

在一实施例中，光吸收膜具有多层结构，其中多层结构包括多个不同能隙材料的堆叠层。

在一实施例中，光吸收膜的能隙范围在1.1eV～1.8eV之间。

在一实施例中，光吸收膜位于缓冲层内，且与光反射层分离。

在一实施例中，光吸收膜位于缓冲层内，且与光反射层接触。

在一实施例中，光吸收膜是图案化光吸收膜，且图案化光吸收膜不与元件层的栅电极重叠或是不与元件层的多晶硅层重叠。

在一实施例中，光吸收膜的材料包括非晶硅、微晶硅、钼、钛、铬、钨、锆、钒、铌、钽、铂、铜、金、锌、镉、铝、银、碳、锡或上述的组合。

在一实施例中，光反射层是图案化光反射层且光吸收膜是图案化光吸收膜，其中图案化光反射层以及图案化光吸收膜具有相同的图案。

在一实施例中，光反射层是图案化光反射层且光吸收膜是图案化光吸收膜，其中图案化光反射层以及图案化光吸收膜具有不同的图案。

在一实施例中，光反射层包括金属层，包括有金属层及陶瓷层的堆叠层，包括有第一陶瓷层、金属层及第二陶瓷层的堆叠层，或上述的组合。

在一实施例中，光反射层包括金属材料，金属材料包括铑、铝、钕化铝、铜、金、银、铝合金、铑合金或上述的组合。

在一实施例中，光反射层还包括陶瓷材料，陶瓷材料包括氧化物材料、氮化物材料或上述的组合，且陶瓷材料在波长范围为200nm～1100nm时具有大于30％的穿透率。

在一实施例中，元件层，包括：多晶硅层，包括源极区、漏极区以及位于源极区以及漏极区之间的通道区；栅绝缘层，配置于多晶硅层上；以及栅电极，配置于栅绝缘层上。

在一实施例中，还包括介电层，配置于元件层上。

附图说明

图1A为依据本发明实施例一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图1B为图1A的柔性元件于热退火工艺过后的产品的剖面示意图；

图2为依据本发明实施例二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图3为依据本发明实施例三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图4为依据本发明实施例四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图5为依据本发明实施例五的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图6为依据本发明实施例六的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图7为依据本发明实施例七的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图8为依据本发明实施例八的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图9为依据本发明实施例九的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图10为依据本发明实施例十的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图11为依据本发明实施例十一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图12为依据本发明实施例十二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图13为依据本发明实施例十三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图14为依据本发明实施例十四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图15为依据本发明实施例十五的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图16为依据本发明实施例十六的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图17为依据本发明实施例十七的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图18为依据本发明实施例十八的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图19为依据本发明实施例十九的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图20为依据本发明实施例二十的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图21为依据本发明实施例二十一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图22为依据本发明实施例二十二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图23为依据本发明实施例二十三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图；

图24为依据本发明实施例二十四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。

其中附图标记为：

110：柔性基板 120：阻挡层

130：缓冲层 130a：第一部分层

130b：第二部分层 140：光反射层

145：光吸收膜 150：元件层

151：多晶硅层 151CH：通道区

151DR：漏极区 151SR：源极区

152：栅绝缘层 153：栅电极

160：介电层 171：源极电极

172：漏极电极 L：光线

具体实施方式

本发明的实施例现在将详细地说明，并且以附图表示。若有可能，在附图及说明书中相同的元件符号用来代表相同或相似的部分。

图1A为依据本发明实施例一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。请参考图1A，柔性元件可包括柔性基板110、阻挡层120、缓冲层130、光反射层140、元件层150以及介电层160。柔性基板110可包括有机材料，例如聚酰亚胺(PI)，但不限定于此。阻挡层120位于柔性基板110上，其中阻挡层120可以包括多个交替堆叠的氧化物材料层以及氮化物材料层。阻挡层120可用于阻挡水分以及氧气的渗透。缓冲层130位于柔性基板110上，其中缓冲层130例如是通过具有良好耐热性的材料所制成，但不限定于此。

在本实施例中，光反射层140是位于柔性基板110上，更详细来说，其可位于缓冲层130内。缓冲层130以及光反射层140的制造方式例如为:在阻挡层120上设置第一部分层130a，接着在第一部分层130a的上方设置光反射层140，并将第二部分层130b设置于光反射层140上。于此，第一部分层130a以及第二部分层130b构成缓冲层130。如此，光反射层140可被认为是位于缓冲层130内。

光反射层140可具有200nm～1100nm的反射波长以及大于80％的反射率，并且光反射层140的应力方向可与柔性基板110的应力方向相同。于此，应力方向指的是由光反射层140以及柔性基板110所接收的应力类型。举例而言，上述层可以接收具有正应力值的拉伸应力或是具有负应力值的压缩应力。在本实施例中，光反射层140以及柔性基板110二者皆是接收压缩应力，意即上述两者都具有相同的应力方向。此外，这两层所接收的总压缩应力小于-500MPa，可以防止各层的剥落。

此外，光反射层140可以包括金属层、金属层及陶瓷层的堆叠层、包括第一陶瓷层、金属层及第二陶瓷层的堆叠层或上述的组合。于前述所定义的层中，当光反射层140包括金属材料时，该金属材料可包括铑，铝，钕化铝，铜，金，银，铝合金，铑合金或上述的组合。此外，当光反射层140还包括陶瓷材料时，所述陶瓷材料可以包括氧化物材料、氮化物材料或上述的组合。于此，陶瓷材料在波长范围为200nm～1100nm时可具有大于30％的穿透率。在一实施例中，光反射层140可为包括第一陶瓷层、金属层及第二陶瓷层的堆叠层。所述金属层可夹层在第一陶瓷层以及第二陶瓷层间之间，其中第一陶瓷层及第二陶瓷层由氧化物、氮化物、掺杂氧化物或混合氧化物所制成，例如：氧化铟锡(ITO)、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化镉(CdO)、氮化钛(TiN)、氧化铟锌(IZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铝锌(AZO)、掺氟氧化锌(ZnO:F)、掺氟氧化锡(SnO:F)、掺钽氧化钛(TiO2:Ta)、In2O3-ZnO、CdIn2O4、Cd2SnO4以及Zn2SnO4。光反射层140将具有所需的反射性。然而，值得注意的是，光反射层140的各层并不限于此，各种金属层及陶瓷层的组合皆可适用。

于图1A中，元件层150位于光反射层140以及缓冲层130上。元件层150可包括多晶硅层151，栅绝缘层152以及栅电极153。于此，多晶硅层151包括源极区151SR、漏极区151DR以及位于源极区151SR和漏极区151DR之间的通道区151CH。栅绝缘层152位于多晶硅层151上，并覆盖所述的源极区151SR、漏极区151DR以及通道区151CH。栅电极153位于栅绝缘层152上。此外，介电层160位于元件层150上，并且覆盖栅电极153。

如图1A所示在热退火工艺的期间，例如是透过红外线照射技术(IR-lamp)或快闪式照射技术(FLA)执行热退火工艺，将光线L照射至柔性元件上，并活化位于元件层150以及介电层160中的材料。所照射的光线L可通过栅绝缘层152以及介电层160到达光反射层140，光线L会被反射回元件层150以及介电层160。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。此外，光反射层140可反射所照射的光线L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图1B为图1A的柔性元件于热退火工艺过后的产品的剖面示意图。当热退火工艺完成后，源极电极171以及漏极电极172是设置于介电层160上。源极电极171以及漏极电极172穿过位于介电层160以及栅绝缘层152中的开口，可与多晶硅层151的源极区151SR以及漏极区151DR电性连接。于图1B中、元件层150、介电层160、源极电极171以及漏极电极172构成主动元件(如：薄膜晶体管)。在本实施例中，于图1B柔性元件的中间及左侧部分绘示了两个主动元件。此外，于该些主动元件的右侧，可进一步包括储存电容。然而，本发明的柔性元件并不限于此，并且可以包括至少一个主动元件及/或储存电容。

于图1A以及图1B的实施例中，光反射层140是位于缓冲层130内。然而，本发明不限于此，光反射层140的位置以及图案是可以改变的。在本发明中不同实施例的柔性元件将在下面的段落中进行描述。于下述的实施例中，呈现了在热退火工艺期间的柔性元件。然而，于热退火工艺过后，在该些实施例中的柔性元件可被进一步修饰，例如，可参考图1B所示的实施例中设置源极电极以及漏极电极。

图2为依据本发明实施例二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例二的柔性元件与图1A的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图2的柔性元件中，其光反射层140为图案化光反射层140。在本实施例中，缓冲层130以及光反射层140的制造方式例如为:在阻挡层120上设置第一部分层130a，在第一部分层130a的上方设置光反射层140，接着，光反射层140被图案化以形成图案化光反射层140，其中图案化光反射层140不与元件层150的栅电极153重叠。光反射层140以及栅电极153之间的寄生电容可减少。第二部分层130b被设置于图案化的光反射层140上。于此，第一部分层130a以及第二部分层130b构成缓冲层130。如此，光反射层140可被认为是位于缓冲层130内。

相似地，于实施例二中，所照射的光线L可通过栅绝缘层152以及介电层160到达光反射层140，光线L会被反射回元件层150以及介电层160。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。此外，光反射层140可反射所照射的光线L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图3为依据本发明实施例三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例三的柔性元件与图2的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图3的柔性元件中，光反射层140为图案化光反射层140，并且图案化光反射层140不与元件层150的多晶硅层151重叠。柔性元件的寄生电容还可以进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例三中具有光反射层140。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。此外，光反射层140可反射所照射的光线L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图4为依据本发明实施例四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例四的柔性元件与图1A的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。在本实施例中，光反射层140位于阻挡层120上方，光反射层140可与阻挡层120接触。此外，光反射层140位于阻挡层120以及缓冲层130之间。

相似地，在实施例四中具有光反射层140。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。此外，光反射层140可反射所照射的光线L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图5为依据本发明实施例五的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例五的柔性元件与图4的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图5的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140，并且图案化光反射层140不与元件层150的栅电极153重叠。光反射层140以及栅电极153之间的寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例五中具有光反射层140。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。此外，光反射层140可反射所照射的光线L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图6为依据本发明实施例六的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例六的柔性元件与图5的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图6的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140，并且图案化光反射层140不与元件层150的多晶硅层151重叠。柔性元件的寄生电容可进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例六中具有光反射层140。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。此外，光反射层140可反射所照射的光线L，可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图7为依据本发明实施例七的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例七的柔性元件与图4的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图7的柔性元件中，还包括光吸收膜145，其中光吸收膜145可位于光反射层140的上方。

于此，光吸收膜145的材料可包括非晶硅、微晶硅、钼、钛、铬、钨、锆、钒、铌、钽、铂、铜、金、锌、镉、铝、银、碳、锡或上述的组合。光吸收膜145的能隙范围在1.1eV～1.8eV之间，但不限于此。在一实施例中，光吸收膜145可以是多层结构，其中多层结构包括不同能隙材料(例如高能隙材料和低能隙材料)的堆叠层。在本实施例中，缓冲层130、光反射层140以及光吸收膜145的制造方式例如为:在阻挡层120上设置光反射层140。接着，将第一部分层130a设置在光反射层140上，且将光吸收膜145设置在第一部分层130a上并且将其图案化。图案化光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠，寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。将第二部分层130b设置于图案化的光吸收膜145的上方。第一部分层130a以及第二部分层130b构成缓冲层130。因此，光吸收膜145是位于缓冲层130内，并且与光反射层140分离。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。

相似地，在实施例七中具有光反射层140。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。此外，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例七(图7)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，缓冲层130、光反射层140以及光吸收膜145的制造方式为:在阻挡层120上设置光吸收膜145。接着，将第一部分层130a设置在光吸收膜145上，且将光反射层140设置在第一部分层130a上并且将其图案化。图案化光反射层140不与元件层150的栅电极153重叠，寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。将第二部分层130b设置于图案化光反射层140上。如此，图案化光反射层140可被设置于光吸收膜145上。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图8为依据本发明实施例八的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例八的柔性元件与图7的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图8的柔性元件中，光吸收膜145是图案化光吸收膜145，并且图案化光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。柔性元件的寄生电容可进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例八中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例八(图8)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，将光吸收膜145设置于阻挡层120上。光反射层140位于缓冲层130内且设置于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140，其中图案化光反射层140不与元件层150的多晶硅层151重叠。柔性元件的寄生电容可进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140的作用可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图9为依据本发明实施例九的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例九的柔性元件与图7的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图9的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例九中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例九(图9)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，将光吸收膜145设置于阻挡层120上。光反射层140位于缓冲层130内且设置于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图10为依据本发明实施例十的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十的柔性元件与图7的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图10的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。于此，光反射层140不与多晶硅层151重叠且光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例十中包括有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十(图10)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，将光吸收膜145设置于阻挡层120上。光反射层140位于缓冲层130内且设置于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。于此，光吸收膜145不与多晶硅层151重叠且光反射层140不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图11为依据本发明实施例十一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十一的柔性元件与图10的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图11的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。光反射层140不与栅电极153重叠且光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例十一中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十一(图11)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，将光吸收膜145设置于阻挡层120上。光反射层140位于缓冲层130内且设置于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。光吸收膜145不与栅电极153重叠且光反射层140不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图12为依据本发明实施例十二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十二的柔性元件与图9的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图12的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化的光反射层140和图案化的光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例十二中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十二(图12)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，将光吸收膜145设置于阻挡层120上。光反射层140位于缓冲层130内且设置于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图13为依据本发明实施例十三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十三的柔性元件与图7的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。

在本实施例中，缓冲层130、光反射层140以及光吸收膜145的制造方式例如为:在阻挡层120上设置第一部分层130a。接着，将光反射层140设置在第一部分层130a上以及将光吸收膜145设置在光反射层140上，并且将其图案化。图案化光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠，寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。将第二部分层130b设置于图案化光吸收膜145上。第一部分层130a以及第二部分层130b构成缓冲层130。因此，光反射层140以及光吸收膜145是位于缓冲层130内，并且光吸收膜145可与光反射层140接触。

相似地，在实施例十三中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十三(图13)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140以及光吸收膜145的制造方式为:在阻挡层120上设置第一部分层130a。接着，将光吸收膜145设置在第一部分层130a上以及将光反射层140设置在光吸收膜145上，并且将其图案化。图案化的光反射层140不与元件层150的栅电极153重叠，寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。将第二部分层130b设置于图案化光反射层140上。因此，光反射层140以及光吸收膜145是位于缓冲层130内，并且光反射层140可与光吸收膜145接触。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图14为依据本发明实施例十四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十四的柔性元件与图13的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图14的柔性元件中，光吸收膜145是图案化光吸收膜145且图案化光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。柔性元件的寄生电容可进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例十四中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十四(图14)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140以及光吸收膜145位于缓冲层130内，并且光反射层140可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上并且被图案化。图案化光反射层140不与元件层150的多晶硅层151重叠。柔性元件的寄生电容可进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图15为依据本发明实施例十五的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十五的柔性元件与图13的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图15的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例十五中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十五(图15)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。因此，光反射层140以及光吸收膜145是位于缓冲层130内，并且光反射层140可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图16为依据本发明实施例十六的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十六的柔性元件与图13的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图16的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化的光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。于此，光反射层140不与栅电极153重叠且光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例十六中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可用以防止柔性基板110上的焦化，并且可制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十六(图16)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140以及光吸收膜145是位于缓冲层130内，并且光反射层140可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。于此，光吸收膜145不与栅电极153重叠，且光反射层140不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图17为依据本发明实施例十七的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十七的柔性元件与图16的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图17的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。于此，光反射层140不与多晶硅层151重叠，且光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。在本实施例中，缓冲层130、光反射层140以及光吸收膜145的制造方式例如为:在阻挡层120上设置第一部分层130a，并且将第一部分层130a图案化。光反射层140被设置于图案化的第一部分层130a内，继而将光吸收膜145设置于光反射层140上并且将其图案化。将第二部分层130b设置于光吸收膜145上。于此，第一部分层130a以及第二部分层130b构成缓冲层130。光反射层140以及光吸收膜145是位于缓冲层130内。

相似地，在实施例十七中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十七(图17)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140以及光吸收膜145是位于缓冲层130内，并且光反射层140可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。于此，光吸收膜145不与多晶硅层151重叠，且光反射层140不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图18为依据本发明实施例十八的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十八的柔性元件与图15的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图18的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例十八中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十八(图18)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140以及光吸收膜145是位于缓冲层130内，并且光反射层140可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化的光吸收膜145。图案化的光反射层140和图案化的光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图19为依据本发明实施例十九的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例十九的柔性元件与图7的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图19的柔性元件中，光吸收膜145可与光反射层140接触。在本实施例中，缓冲层130、光反射层140以及光吸收膜145的制造方式例如为:在阻挡层120上设置光反射层140，接着在光反射层140上设置图案化光吸收膜145。将缓冲层130设置于光吸收膜145上且填入光吸收膜145的图案化开口内。如此，光吸收膜145可被认为是位于缓冲层130内。

相似地，在实施例十九中，光吸收膜145被包括在内。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例十九(图19)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，缓冲层130、光反射层140以及光吸收膜145的制造方式为，在阻挡层120上设置光吸收膜145，接着在光吸收膜145上设置图案化光反射层140。将缓冲层130设置于光反射层140上且填入光反射层140的图案化开口内。光反射层140可与光吸收膜145接触，并且光反射层140可以被认为是位于缓冲层130内。于此，图案化光反射层140不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图20依据为本发明实施例二十的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例二十的柔性元件与图19的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图20的柔性元件中，光吸收膜145是图案化光吸收膜145且图案化光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。柔性元件的寄生电容可进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例二十中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例二十(图20)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140是位于缓冲层130内，并且可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上，并且将光反射层140图案化。图案化光反射层140不与元件层150的多晶硅层151重叠。柔性元件的寄生电容可进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图21为依据本发明实施例二十一的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例二十一的柔性元件与图19的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图21的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案并且彼此接触。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例二十一中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例二十一(图21)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140是位于缓冲层130内，并且可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图22为依据本发明实施例二十二的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。于图22的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。于此，光反射层140不与栅电极153重叠，且光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例二十二中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例二十二(图22)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140是位于缓冲层130内，并且可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。于此，光吸收膜145不与栅电极153重叠，且光反射层140不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图23为依据本发明实施例二十三的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例二十三的柔性元件与图22的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图23的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化的光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。光反射层140不与多晶硅层151重叠，而光吸收膜145不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可进一步减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例二十三中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例二十三(图23)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140是位于缓冲层130内，并且可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有不同的图案。光吸收膜145不与多晶硅层151重叠，而光反射层140不与元件层150的栅电极153重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

图24为依据本发明实施例二十四的柔性元件于热退火工艺期间的剖面示意图。实施例二十四的柔性元件与图21的柔性元件可采用相同的标号来表示相同或近似的部份，其相关描述在此不予赘述。于图24的柔性元件中，光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。

相似地，在实施例二十四中具有光吸收膜145。光吸收膜145可吸收由光反射层140所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，光反射层140被包括在内。各层的活化以及热退火处理的效率可获得提升。进一步说明，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在另一个实施例中，于实施例二十四(图24)的光反射层140与光吸收膜145的位置及图案可以互换。例如，光反射层140是位于缓冲层130内，并且可与光吸收膜145接触。光反射层140位于光吸收膜145上。光反射层140是图案化光反射层140且光吸收膜145是图案化光吸收膜145。图案化光反射层140和图案化光吸收膜145可具有相同的图案。于此，图案化的光反射层140和光吸收膜145不与元件层150的多晶硅层151重叠。寄生电容可以减少，柔性元件的性能可获得提升。相似地，在本实施例中，光反射层140可防止柔性基板110上的焦化，并且可用以制造具有较高品质的柔性元件。

在一些实施例中，本发明的柔性元件可以包括光反射层，其中所述的光反射层具有特定的反射波长及反射率，柔性元件可反射于热退火工艺中所照射的光线。换句话说，热退火工艺的效率可获得提升，并且可以防止基板的焦化。此外，在柔性元件中还可包括有光吸收膜，吸收由光反射层所反射的光线，于柔性元件中可防止不理想的光交互作用。此外，当光反射层以及光吸收膜被图案化，使得它们不与元件层的栅电极或多晶硅层重叠时，可减少寄生电容，使得柔性元件的性能获得提升。

虽然本发明已以实施例发明如上，然其并非用于限定本发明，任何所属技术领域中具有通知常识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的改动与修饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求及其均等范围所界定的范围为准。