具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件及制造方法与流程

本发明涉及一种晶粒尺寸封装(chipscalepackage，csp)二极管元件及其制造方法，技术内容涉及基板(substrate)、磊晶层(epitaxy)、磊晶圆片(epiwafer)、扩散硅晶板(siliconwafer)、扩散层(diffused)、扩散硅晶圆片(diffusedsiliconwafer)。制成的二极管元件成品具备超低顺向电压(vf)的特性，并能够简化制程、提升质量、降低成本、以及使得二极管元件更加轻薄短小等诸多优点。

背景技术：

一般利用半导体材料制作成晶粒尺寸封装(csp)的覆晶式(flipchip)二极管元件所使用的材料包括有磊晶圆片(epiwafer)和扩散硅晶圆片(diffusedsiliconwafer)。其中磊晶圆片包含有一层位于背面的基板(substrate)以及一层位于正面的磊晶层(epitaxy)。而扩散硅晶圆片则是在一层硅晶材料的正面及背面分别设置一扩散层(diffused)，其中扩散硅晶圆片(diffusedsiliconwafer)的背面部分定义为扩散硅晶板(siliconwafer)、正面部分定义为扩散层(diffused)。

上述利用磊晶圆片或扩散硅晶圆片等材料制作二极管时，传统制程及步骤如图1及图2所示，简述如下：

1、在一基板(substrate)或扩散硅晶板(siliconwafer)的正面利用磊晶(epitaxy)制程、扩散(diffused)制程、或离子布植(ionimplantation)等方式制作磊晶/扩散层，以形成一磊晶圆片(epiwafer)/扩散硅晶圆片(diffusedsiliconwafer)1(扩散硅晶圆片若为双面扩散，则扩散硅晶圆片正面及背面皆具有扩散层)。

2、在该磊晶圆片/扩散硅晶圆片1上根据二极管元件的规格和尺寸，画分出多个阵列方式排列的二极管元件区2，并且在每一二极管元件区2上设计出n极3和p极4的位置。

3、根据二极管元件所需的电气特性，在n极3区域上利用黄光、蚀刻、离子布植或扩散等方式，制作n极顺向导通用的磊晶/扩散层(图未示)。

4、根据二极管元件所需的电气特性，在p极4上利用黄光、蚀刻、离子布植或扩散等方式制作一电气层，例如：pn接面或保护环、萧特基能障等，并且在p极4以及n极3周围制作绝缘保护层5，用来将n极3与p极4隔离。

5、分别在n极3与p极4的表面披覆一层金属导电层。

6、按照前述第二步骤所画分出的多个二极管元件区2，利用切割方式切割分离出多个已封装完成的二极管元件成品；图2中，二极管元件区2即为二极管元件成品的俯视图。

由于上述二极管元件的电气特性全部在一磊晶圆片/扩散硅晶圆片上制作完成，使得每一个二极管元件的芯片核心尺寸与封装尺寸非常接近，因此称为晶粒尺寸封装，可以大幅缩小二极管元件的体积。但是，上述制程中仍存在以下不足：

1、n极的磊晶/扩散层原本的目的是让电流顺向导通时，电子能在较低内阻下通过该n极极区，但磊晶/扩散层本身会产生额外的内阻，故顺向电压(vf)仍然偏高。

2、基板或扩散硅晶板在相对于n极位置上利用黄光、蚀刻、离子布植或扩散等方式制作导通用的磊晶/扩散层，制程长，成本较高。

3、p、n极以外的区域因保护环与绝缘保护层的设置而被闲置没有利用，对顺向导通时的顺向电压也会较高。

4、切割道围绕在p极与n极的外围，元件切割时，p极与n极同时存在着周边崩裂(chipping&crack)的问题，严重影响二极管元件成品的质量稳定性。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于提供一种改善上述制程的方法，该二极管元件是直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，及/或采用穿孔贯穿第一电极正背面后导通，经切割后即可形成一体积更小的晶粒尺寸封装二极管元件成品；且第一电极及第二电极共同建置在二极管元件的正面而形成一体积更小的晶粒尺寸封装二极管元件。此外，直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，使第一电极无须磊晶层或扩散层作导通，因此能降低内阻与顺向电压、并缩短制程。

为了达到上述目的，本发明提供了一种具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件的制造方法，其直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，使第一电极无磊晶层或扩散层覆盖，该方法包含下列步骤：

1、将一基板(substrate)的正面划分为多个二极管元件区，每一二极管元件区的外围预留有切割道以及内围配置一第二电极区，且每一二极管元件区在其第二电极区以外的位置全部作为第一电极区。

2、在上述每一二极管元件区的第二电极区配置位置上制作一磊晶平台，使该基板除了磊晶平台以外的全部区域皆为第一电极区的电性范围。

3、在前述磊晶平台上根据二极管元件的电气特性制作一电气层，例如：pn接面或保护环、能障等以完成第二电极区的电性制作。

4、对位于第一电极区的基板表面以及第二电极区的电气层表面分别披覆一层金属层后，由每一二极管元件区周围所预留的切割道位置予以切割。

本发明提供了一种具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件的制造方法，其直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，使第一电极无磊晶层或扩散层覆盖，该方法包含下列步骤：

1、将一磊晶圆片(epiwafer)的正面划分为多个二极管元件区，每一二极管元件区的外围预留有切割道依据内围配置一第二电极区，且每一二极管元件区在其第二电极区以外的位置全部作为第一电极区。

2、将上述每一二极管元件区中，第一电极区表面的磊晶层全部去除以裸露出基板，并使第二电极区剩余的磊晶层形成一磊晶平台，使该基板除了磊晶平台以外的全部区域皆为第一电极区的电性范围。

3、在前述第二电极区的磊晶平台上根据二极管元件的电气特性制作一电气层以完成第二电极区的电性制作。

4、对位于第一电极区的基板表面以及第二电极区的电气层表面分别披覆一层金属层后，由每一二极管元件区周围所预留的切割道位置予以切割。

本发明提供的具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件的制造方法，其直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，使第一电极无磊晶层或扩散层覆盖，该方法包含下列步骤：

1、将一磊晶圆片(epiwafer)的正面划分为多个二极管元件区，每一二极管元件区的外围预留有切割道以及内围配置一第二电极区，且每一二极管元件区在第二电极区以外的位置全部作为第一电极区。

2、将上述每一二极管元件区的第二电极区上根据二极管元件的电气特性制作一电气层以完成第二电极区的电性制作。

3、将每一二极管元件区位于第一电极区表面的磊晶层全部去除以裸露出基板，使剩余的磊晶层形成一磊晶平台，该第二电极区即建构在该磊晶平台及该电气层上，且该基板除了磊晶平台以及电气层以外的全部区域皆为第一电极区的电性范围。

4、对位于第一电极区的基板表面以及第二电极区的电气层表面分别披覆一层金属层后，由每一二极管元件区周围所预留的切割道位置予以切割。

上述本发明因为制程中所使用的基材为一不含磊晶层的基板(substrate)，或者一包含基板及磊晶层的磊晶圆片(epiwafer)，而分为三种步骤，然而其特点皆在于直接利用利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，使第一电极无其他磊晶层或扩散层覆盖，所以具有低内阻的特性，再加上第二电极以外的全部区域皆为第一电极的电性范围，因此可以让第一电极的利用率极大化，进而使二极管元件成品具备超低顺向电压(vf)的特性。

根据上述方法，本发明提供一种具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件，至少包括：

一基板，该基板具有一正面以及一背面；

一第二电极，包含有一位于该基板正面上方的磊晶平台、一设置在该磊晶平台上的电气层和一设置该电气层上方的金属层；以及

一第一电极，由除了第二电极以外的全部基板所构成，该第一电极进一步包括一披覆在该基板正面除了第二电极以外的全部面积内的金属层。

实施时，该第一电极及/或第二电极分别在金属层表面进一步设置一锡台，而且第一电极及/或第二电极的周围设置有绝缘保护层、及/或沟槽。

本发明提供的一种具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件的制造方法，其直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，并在第一电极区的正背面作穿孔后导通，使第一电极无需利用磊晶层或扩散层导通，该方法包含下列步骤：

1、将一磊晶圆片(epiwafer)/扩散硅晶圆片(diffusedsiliconwafer)的正面划分为多个二极管元件区，每一二极管元件区的外围预留有切割道依据内围配置一第二电极区，且每一二极管元件区在其第二电极区以外的位置全部作为第一电极区。

2、将上述每一二极管元件区的第二电极区上根据二极管元件的电气特性制作一电气层以完成第二电极区的电性制作。

3、在第一电极区内做贯穿磊晶圆片/扩散硅晶圆片的正面及背面的穿孔，并且在穿孔内填入金属导电物质而形成一导通通道。

4、对位于第一电极区的表面以及第二电极区的电气层表面分别披覆一层金属层，使第一电极区的金属层与该导通通道电性导通，之后由每一二极管元件区周围所预留的切割道位置予以切割。

根据上述方法，本发明提供一种具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件，至少包括：

一由磊晶圆片/扩散硅晶圆片所切割出来的二极管元件本体，该二极管元件本体包含一层位于背面的基板/扩散硅晶板以及一层位于正面的磊晶/扩散层；

一第二电极，包含有一位于磊晶/扩散层上的电气层和一设置该电气层上方的金属层；以及

一第一电极，包含一披覆在该磊晶/扩散层上方除了第二电极以外的全部面积内的金属层以及一由该二极管元件本体背面基板/扩散硅晶板贯穿到正面磊晶/扩散层的穿孔，所述穿孔内填充有导电物质与该第一电极的金属层电性导通而形成一导通通道。

实施时，该第一电极及/或第二电极分别在金属层表面进一步设置一锡台，而且第一电极及/或第二电极的周围设置有绝缘保护层、及/或沟槽。

相较于现有技术，本发明在制程以及电气特性上具有下列优点：

1、二极管元件成品若利用基板作为一二极管元件的第一电极，因第一电极无其他磊晶层或扩散层覆盖，所以低内阻，又将第一电极利用率极大化，故当二极管元件成品导通时可进一步降低元件的顺向电压(vf)。

2、若利用穿孔贯穿磊晶圆片/扩散硅晶圆片并填充导电物质以形成一导通通道，使第一电极能够直接通过该导通通道电性导通正面与背面，无需通过磊晶层或扩散层，因此可以让二极管元件成品的顺向电压进一步降低。

3、由于除了第二电极区以外的全部区域皆为第一电极的电性范围，因此使切割道位于该第一电极的四周，切割时即便边角崩裂(chipping&crack)也不会影响第二电极的电气特性，使二极管元件成品的电气特性更加稳定。

以下依据本发明的技术手段，列举出适于本发明的实施方式，并配合图式说明如后：

附图说明

图1为传统技术将磊晶圆片/扩散硅晶圆片画分出多个二极管元件区块的示意图；

图2为传统技术将每一二极管元件区块划分为第一电极和第二电极的位置示意图；

图3为本发明第一实施例将一基板正面画分出多个二极管元件区的示意图；

图4为本发明第一实施例在第二电极区上制作磊晶平台的示意图；

图5为本发明第一实施例在第二电极区上制作电气层的示意图；

图6为本发明第一实施例在第一电极区表面以及第二电极区的电气层表面分别披覆一层金属层后进行切割的示意图；

图7为本发明第一实施例二极管元件成品的结构剖视图；

图8为本发明第一实施例二极管元件成品的俯视图；

图9为本发明第一实施例设置锡台、保护环、绝缘保护层的结构示意图；

图10为本发明第一实施例设置沟槽的结构示意图；

图11为本发明第二实施例将一磊晶圆片的正面上划分为多个二极管元件区，且每一二极管元件区配置第一电极区及第二电极区的示意图；

图12为本发明第二实施例将第一电极区的磊晶层全部去除的示意图；

图13为本发明第二实施例完成第二电极区的电性制作的示意图；

图14为本发明第二实施例在第一电极区表面以及第二电极区的电气层表面分别披覆一层金属层后进行切割的示意图；

图15为本发明第三实施例将一磊晶圆片的正面上划分为多个二极管元件区，且每一二极管元件区配置第一电极区及第二电极区的示意图；

图16为本发明第三实施例完成第二电极区的电性制作的示意图；

图17为本发明第三实施例将每一二极管元件区的第二电极配置位置以外的磊晶层全部去除的示意图；

图18为在第一电极区表面以及第二电极区的电气层表面分别披覆一层金属层后后进行切割的示意图；

图19为本发明第四实施例将一磊晶圆片/扩散硅晶圆片的正面上划分为多个二极管元件区，且每一二极管元件区配置第一电极区及第二电极区的示意图；

图20为本发明第四实施例完成第二电极区的电性制作的示意图；

图21为本发明第四实施例制作导通通道的示意图；

图22为本发明第四实施例制作金属层后切割的示意图；

图23为本发明第四实施例制作完成的二极管元件结构示意图；

图24为利用本发明制成的pnp型中心抽头式全波整流器示意图。

附图标记说明：100a、100b-磊晶圆片；100c-磊晶圆片/扩散硅晶圆片；10、10a、10b-基板；10c-基板/扩散硅晶板；11、11a、11b、11c-切割道；12c-穿孔；13c-导电物质；20、20a、20b、20c-二极管元件区；30、30a、30b、30c-第一电极区；31c-导通通道；40、40a、40b、40c-第二电极区；41、41a、41b-磊晶平台；41c-磊晶/扩散层；42、42a、42b、42c-电气层；51、51a、51b、51c-金属层；52-锡台；53-保护环；54-绝缘保护层；55-沟槽；d、d1-二极管元件；n、n1-第一电极；p、p1-第二电极。

具体实施方式

为便于说明，以下实施例均以n型基板或硅晶圆片为基础，本发明提供了一种具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件的制造方法，其第一实施例包含下列步骤：

第一步骤：如图3所示，在一基板10的正面，根据二极管元件所需的规格尺寸划分为多个二极管元件区20，每一二极管元件区20的外围预留有切割道11，并且在每一二极管元件区20的内围配置第一电极区30及第二电极区40；其中，该二极管元件区20在第二电极区40以外的位置全部作为第一电极区30。

第二步骤：如图4所示，在上述每一二极管元件区20的第二电极区40配置位置上，利用磊晶制程制作一磊晶平台41，使该基板10在除了磊晶平台41以外的全部区域皆为第一电极区30的电性范围。

第三步骤：如图5所示，利用黄光、离子布植/扩散、蚀刻、绝缘保护等制程，在前述磊晶平台41上根据二极管元件的电气特性制作一电气层42，例如：pn接面或保护环53、萧特基能障等等，以完成第二电极区40的电性制作。

第四步骤：如图6所示，对位于二极管元件区20正面的第一电极区30表面，即基板10表面以及第二电极区40的电气层42表面分别披覆一层金属层51后，由每一二极管元件区20周围所预留的切割道11位置予以切割。

如图7及图8所示，经上述1～4步骤切割完成后的二极管元件d成品，其中，第二电极区40包含有一磊晶平台41、一电气层42以及一金属层51，能建构成一二极管元件d的第二电极p，第二电极p以外的区域包含基板10以及第一电极区30表面的金属层51，即形成该二极管元件d第一电极n。

由于该二极管元件d的第一电极n是直接利用基板10所构成，而且第一电极n无其他磊晶层或扩散层覆盖，所以具有低内阻的特性，再加上第二电极p以外的基板10全部区域皆为第一电极n的电性范围，因此可以让第一电极n的利用率极大化，进而使二极管元件成品具备超低顺向电压(vf)的特性。

此外，如图3到图8所示，由于二极管元件区20在第二电极区40以外的位置全部作为第一电极区30，使基板10除了第二电极区40以外的全部区域皆为第一电极区30的电性范围，并且让切割道11位于该第一电极区30的四周，在最后进行切割步骤时并不会切割到第二电极区40，即便切割时产生周边崩裂的问题，也完全不会影响到第二电极的电气特性，能有效提升二极管元件d成品的质量稳定性。

如图9图10所示，实施时，该第一电极n及/或第二电极p分别在金属层51表面进一步设置一锡台52，而且第一电极区30及/或第二电极区40的周围设置绝缘保护层54及/或沟槽55等。此绝缘保护层54及/或沟槽55是为了将第一电极n与第二电极p隔离，并且保护第二电极p；此为一般制程，在此不另赘述。

上述图3到图10以及步骤说明，皆是以一基板(substrate)直接作为基材制成二极管元件的方法及步骤，实际上本发明的方法亦可以适用在使用磊晶圆片(epiwafer)为基材制成二极管元件。众所周知，磊晶圆片(epiwafer)包含一层基板(substrate)以及一层位于基板正面的磊晶层(epitaxy)，因此本发明的第二实施例的步骤如下：

第一步骤：如图11所示，在一磊晶圆片100a的正面，根据二极管元件所需的规格尺寸划分为多个二极管元件区20a，每一二极管元件区20a的外围预留有切割道11a，并且在每一二极管元件区20a的内围配置第一电极区30a及第二电极区40a；其中，该二极管元件区20a在第二电极区40a以外的位置全部作为第一电极区30a。

第二步骤：如图12所示，将上述每一二极管元件区20a中，第一电极区30a表面的磊晶层利用黄光、蚀刻等制程全部去除以裸露出基板10a，让第二电极区40a剩余的磊晶层形成一磊晶平台41a，使该基板10a除了磊晶平台41a以外的全部区域皆为第一电极区30a的电性范围。

第三步骤：如图13所示，利用黄光、离子布植/扩散、蚀刻、绝缘保护等制程，在前述第二电极区40a的磊晶平台41a上根据二极管元件的电气特性制作一电气层42a，例如：pn接面或保护环53a、萧特基能障等等，以完成第二电极区40a的电性制作。

第四步骤：如图14所示，对位于第一电极区30a的基板10a表面，以及第二电极区40a的电气层42a表面，分别披覆一层金属层51a后，由每一二极管元件区20a周围所预留的切割道11a位置予以切割。

上述本发明第二实施例步骤与第一实施例步骤最大的不同是使用的基材为一基板或者是一磊晶圆片。以基板为基材的实施方式，因基板本身不具有磊晶层，因此必须在第二电极区制作磊晶平台；而以磊晶圆片为基材的实施方式，因磊晶圆片在基板表面已全面制作一层磊晶层，因此将第二电极区以外的区域即第一电极区表面的磊晶层去除，剩余的磊晶层便能够在第二电极区形成磊晶平台。至于本发明第二实施例的其他具体实施方式，例如锡台、绝缘保护层等等，皆与第一实施方式相同，在此不另赘述。

基于使用磊晶圆片为基材制成二极管元件的方法，本发明第三实施例的步骤如下：

第一步骤：如图15所示，在一磊晶圆片100b的正面，根据二极管元件所需的规格尺寸划分为多个二极管元件区20b，每一二极管元件区20b的外围预留有切割道11b，并且在每一二极管元件区20b的内围配置第一电极区30b及第二电极区40b；其中，该二极管元件区20b在第二电极区40b以外的位置全部作为第一电极区30b。

第二步骤：如图16所示，将上述每一二极管元件区20b的第二电极区40b上根据二极管元件的电气特性制作一电气层42b，例如：pn接面或保护环53b、萧特基能障等等，以完成第二电极区40b的电性制作。

第三步骤：如图17所示，将每一二极管元件区20b位于第一电极区30b表面的磊晶层全部去除以裸露出基板10b，使剩余的磊晶层形成一磊晶平台41b，该第二电极区40b即建构在该磊晶平台41b及该电气层42b上，并且让该基板10b除了磊晶平台41b以及电气层42b以外的全部区域皆为第一电极区30b的电性范围。

第四步骤：如图18所示，对位于第一电极区30b的基板10b表面以及第二电极区40b的电气层42b表面，分别披覆一层金属层51b后，由每一二极管元件区20b周围所预留的切割道11b位置予以切割。

本实施方式与前述第二实施方式差别在于去除第一电极区的磊晶层步骤，是在完成第二电极区的电气层之前(第二实施例)或者之后进行(第三实施例)，二者皆符合本发明利用基板作为一二极管元件的第一电极的发明精神。

根据上述三种实施方式所制作出来的二极管元件，其结构如前述图7到图10所示，该二极管元件d至少包括：

一基板10，该基板具有一正面以及一背面；

一第二电极p，该第二电极p包含有一位于基板10正面上方的磊晶平台41、一设置在该磊晶平台41上的电气层42和一设置该电气层42上方的金属层51；以及

一第一电极n，由除了第二电极p以外的全部基板10所构成，该第一电极n进一步包括一披覆在基板10正面除了第二电极p以外的全部面积内的金属层51。

同样的，若该二极管元件d在制程中加入如前所述的锡台52、绝缘保护层54及/或沟槽55等时，其成品结构如图9及图10所示，在此不另赘述。

本发明直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极的特征，亦适用于以扩散硅晶圆片(diffusedsiliconwafer)做为基材。该扩散硅晶圆片包含一层扩散硅晶板(siliconwafer)及一层位于扩散硅晶板(siliconwafer)正面的扩散层(diffused)，因扩散硅晶圆片与磊晶圆片结构类似但材质不同，因此本发明第四实施例同时适用于以磊晶圆片或扩散硅晶圆片为基材制成二极管元件的方法，其步骤如下：

第一步骤：如图19所示将一磊晶圆片/扩散硅晶圆片100c的正面划分为多个二极管元件区20c，每一二极管元件区20c的外围预留有切割道11c，并且在每一二极管元件区20c的内围配置第一电极区30c及第二电极区40c；其中，该二极管元件区20c的在第二电极区40c以外的位置全部作为第一电极区30c。

第二步骤：如图20所示将上述每一二极管元件区20c的第二电极区40c上根据二极管元件的电气特性制作一电气层42c以完成第二电极区40c的电性制作；此制程中，由于磊晶圆片/扩散硅晶圆片100c本身包含一层基板/扩散硅晶板10c以及一层位于基板/扩散硅晶板10c上方的磊晶/扩散层41c，因此电气层42c实际上是位于磊晶/扩散层41c上。

第三步骤：如图21所示，在第一电极区30c内做贯穿磊晶圆片(epiwafer)/扩散硅晶圆片100c的正面及背面的穿孔12c，并且在该穿孔12c内填入金属导电物质13c而形成一导通通道31c。如前所述，由于磊晶圆片/扩散硅晶圆片100c本身包含一层位于背面的基板/扩散硅晶板10c、以及一层位于基板/扩散硅晶板10c上方(即位于磊晶圆片(epiwafer)/扩散硅晶圆片100c的正面)的磊晶/扩散层41c，因此图中揭示，穿孔12c是由背面的基板/扩散硅晶板10c贯穿到磊晶/扩散层41c。

第四步骤：如图22所示，对位于第一电极区30c的表面以及第二电极区40c的电气层42c表面分别披覆一层金属层51c，使第一电极区30c的金属层51c与该导通通道31c电性导通后，由每一二极管元件区20c周围所预留的切割道11c位置予以切割。

如前所述，由于穿孔12c由背面的基板/扩散硅晶板10c贯穿到正面磊晶/扩散层41c并填充导电物质13c后形成一导通通道31c，因此可以让第一电极区30c表面的金属层51c与该导通通道31c电性导通，如此在切割后，即可形成一完整的二极管元件。此外，由于第一电极是利用导通通道31c来电性导通磊晶圆片/扩散硅晶圆片的正面与背面，因此本实施例不需要将磊晶圆片/扩散硅晶圆片中，位于第一电极区30c表面的磊晶/扩散层41c去除，而且可以让二极管元件成品的顺向电压更为降低。

如图23所示，根据上述方法，本发明提供一种具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件，至少包括：

一由磊晶圆片/扩散硅晶圆片所切割的二极管元件d1，该二极管元件d1具有一正面以及一背面，且该二极管元件d1包含一层位于背面的基板/扩散硅晶板10c以及一层位于正面的磊晶/扩散层41c；

一第二电极p1，包含有一位于该磊晶/扩散层41c上的电气层42c和一设置该电气层42c上方的金属层51c；以及

一第一电极n1，包含一披覆在该磊晶/扩散层41c上方除了第二电极p1以外的全部面积内的金属层51c以及一由该二极管元件d1背面基板/扩散硅晶板10c贯穿到正面磊晶/扩散层41c的穿孔12c，所述穿孔12c内填充有导电物质13c与该第一电极n1的金属层51c电性导通而形成一导通通道31c。

同样的，本实施例的二极管元件实施时，若该二极管元件d1在制程中加入如前所述的锡台52、绝缘保护层54及/或沟槽55等时，其成品结构如图23所示，在此不另赘述。

如图24所示，前述本发明制造方法不限于pn型双极面二极管元件，凡具有两个以上第二电极p以及一个第一电极n的复数极面二极管元件，例如pnp型中心抽头式全波整流器(center-tappedfull-waverectifier)，亦在本发明可适用的范围内。

以上实施说明及图式所示仅举例说明本发明的较佳实施例，并非以此局限本发明的范围；举凡与发明的构造、装置、特征等近似或相雷同者，均应属本发明的保护范围内，谨此声明。