技术特征：
技术总结
本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池由底部电极、N型氧化物半导体膜、C60电子薄膜、钙钛矿单晶光吸收层、单晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过磁控溅射获得的N型的氧化锌薄膜，C60电子薄膜是通过热蒸镀获得的一层缓冲层，钙钛矿单晶是钙钛矿结构的光吸收材料，空穴传输层是通过磁控溅射获得的P型单晶硅材料，底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜。本发明将钙钛矿单晶材料作为光吸收层，将P型单晶硅材料作为空穴传输层，获得了稳定、高效的太阳电池。
技术研发人员：田汉民;金慧娇;田学民;戎小莹;张天;郭丹;赵昆越
受保护的技术使用者：河北工业大学
技术研发日：2016.07.22
技术公布日：2017.07.21