薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法与流程

技术特征：

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

基板；

位于所述基板上的第一薄膜晶体管；

位于所述基板上的第二薄膜晶体管；

位于所述基板上的第一存储电容器电极；

氧化物层，该氧化物层覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，并且使所述第一存储电容器电极暴露；

氮化物层，该氮化物层被设置在所述氧化物层上，并且覆盖所述第一存储电容器电极；

第二存储电容器电极，该第二存储电容器电极包括第一金属层和第二金属层，并且在所述氮化物层上与所述第一存储电容器电极交叠；

平面层，该平面层覆盖所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第二存储电容器电极：以及

像素电极，该像素电极被设置在所述平面层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一薄膜晶体管包括：

第一半导体层；

第一栅极，该第一栅极与所述第一半导体层的中间部交叠；

第一源极，该第一源极与所述第一半导体层的第一侧接触；

第一漏极，该第一漏极与所述第一半导体层的第二侧接触；

第一像素接触孔，该第一像素接触孔贯穿所述氮化物层和所述氧化物层而使所述第一漏极暴露；以及

辅助漏极，该辅助漏极经由所述第一像素接触孔与所述第一漏极接触，

其中，所述像素电极经由贯穿所述平面层使所述辅助漏极暴露的第二像素接触孔与所述辅助漏极接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述辅助漏极包括：

所述第二金属层；以及

所述第一金属层，该第一金属层在所述第一像素接触孔周围被设置在所述第二金属层下面。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件，并且

其中，所述第一薄膜晶体管是用于将视频数据供应给由所述第二薄膜晶体管选择的像素的驱动元件。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述氧化物层具有至少的厚度，并且

其中，所述氮化物层具有至的厚度。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括：

第一半导体层，该第一半导体层包含多晶半导体材料；

栅绝缘层，该栅绝缘层覆盖所述第一半导体层；

第一栅极，该第一栅极在所述栅绝缘层上与所述第一半导体层交叠；

第二栅极，该第二栅极被设置在所述栅绝缘层上；

中间绝缘层，该中间绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；

第二半导体层，该第二半导体层包括氧化物半导体材料，并且被设置在所述中间绝缘层上，与所述第二栅极交叠；

第一源极和第一漏极，该第一源极和该第一漏极被设置在所述中间绝缘层上；以及

第二源极和第二漏极，该第二源极和该第二漏极被设置在所述第二半导体层上，

其中，所述第一薄膜晶体管包括所述第一半导体层、所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极，并且

其中，所述第二薄膜晶体管包括所述第二半导体层、所述第二栅极、所述第二源极和所述第二漏极。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，所述中间绝缘层包括：

氮化物层；以及

氧化物层，该氧化物层位于氮化物层上。

8.一种显示器，该显示器包括根据权利要求1-7中的任一项所述的薄膜晶体管基板。

9.一种薄膜晶体管基板的制造方法，该方法包括以下步骤：

形成基板，

在所述基板上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成栅金属层；

对所述栅金属层进行构图以形成第一薄膜晶体管的第一栅极和第二薄膜晶体管的第二栅极，其中，所述第一栅极被形成为与所述第一半导体层的中间部交叠；

形成第二半导体层，其中所述第二半导体层被形成为与所述第二栅极交叠；

沉积源-漏金属材料以在所述第一半导体层的第一侧上形成所述第一薄膜晶体管的第一源极、在所述第一半导体层的第二侧形成所述第一薄膜晶体管的第一漏极、在所述第二半导体层的一侧的上表面上形成所述第二薄膜晶体管的第二源极、在所述第二半导体层的另一侧的上表面上形成所述第二薄膜晶体管的第二漏极、并形成第一存储电容器电极；

沉积氧化物层以覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，并使所述第一存储电容器电极暴露；

在所述氧化物层上沉积氮化物层以覆盖所述第一存储电容器电极；

在所述氮化物层上形成第二存储电容器电极以使得所述第二存储电容器电极与所述第一存储电容器电极交叠；

在所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第二存储电容器电极上形成平面层；以及

在所述平面层上形成像素电极。

10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：

在所述氮化物层上沉积第一金属层；

对所述氮化物层和所述第一金属层进行构图以形成第一像素接触孔，其中，所述第一像素接触孔贯穿所述氮化物层和所述氧化物层而使所述第一漏极暴露；

在具有所述第一像素接触孔的所述薄膜晶体管基板的表面上沉积第二金属层；

对所述第一金属层和所述第二金属层进行构图以形成辅助漏极，其中，该辅助漏极经由所述第一像素接触孔与所述第一漏极接触，

其中，所述像素电极经由贯穿所述平面层使所述辅助漏极暴露的第二像素接触孔与所述辅助漏极接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述辅助漏极的同时形成所述第二存储电容器电极。

12.根据权利要求9所述的方法，所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件，并且

其中，所述第一薄膜晶体管是用于将视频数据供应给由所述第二薄膜晶体管选择的像素的驱动元件。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述氧化物层具有至少的厚度，并且

其中，所述氮化物层具有至的厚度。

14.根据权利要求9所述的方法，在形成所述第二半导体层之前，该方法还包括：

在具有所述第一栅极和所述第二栅极的所述薄膜晶体管基板上沉积中间绝缘层，其中，所述中间绝缘层包括氮化物层和位于所述氮化物层上的氧化物层。