技术总结
本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜,包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层,GaN形核层,GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5~1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法和应用。与现有技术相比,本发明具有生长工艺简单,制备成本低廉的优点,同时采用了非晶层技术,所以本发明制备的GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。
技术研发人员:李国强;王文樑;朱运农;杨为家
受保护的技术使用者:华南理工大学
文档号码:201610754971
技术研发日:2016.08.29
技术公布日:2016.11.23