技术总结
本发明公开了一种垂直结构蓝光LED芯片的制备方法，以带有低应力缓冲层的衬底作为生长基础，然后，在平整的u‑GaN表面依次生长其他各层外延，制备得到蓝光LED外延片；最后将蓝光LED外延片制成垂直结构LED，主要包括以下环节：在LED外延片表面沉积形成反射镜，并制出金属电极图形，利用高温金属键合工艺将金属电极图形表面键合在金属基板上，并利用激光剥离技术剥离衬底；在u‑GaN表面制出另一极金属电极图形。本发明制备的垂直结构LED单颗芯片功率较大，减少了串并联LED数量，可以实现以单芯片满足用户需求，同时简化驱动电路设计，大大提高LED产品的可靠性和使用寿命。
技术研发人员：田伟;刘波波;田进;赵俊;李谊
受保护的技术使用者：中联西北工程设计研究院有限公司
文档号码：201610793903
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.02.22