AMOLED显示装置及其阵列基板的制作方法

本发明涉及显示技术领域，具体的说，涉及一种AMOLED显示装置及其阵列基板。

背景技术：

随着显示技术的发展，主动矩阵式有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置的技术日见成熟，已经越来越多的应用在各个显示领域。

AMOLED显示装置中最基本的子像素单元如图1所示，由两个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)和一个存储电容Cst组成也成为2T1C结构。其中，第一薄膜晶体管的栅极输入扫描信号Vgate，第一薄膜晶体管的源极输入数据信号Vdata，第一薄膜晶体管的漏极连接第二薄膜晶体管的栅极。第二薄膜晶体管的源极连接正极性电源Vdd，第二薄膜晶体管的漏极连接数字地Vss，存储电容Cst设置在第二薄膜晶体管的栅极与源极之间，发管二极管串联在第二薄膜晶体管的漏极与数字地Vss之间。

为了向每个子像素单元传输正极性电源Vdd，就需要设置相应的电源线。如图2所示，现有的AMOLED显示装置中，在阵列基板上设置有网状的电源线，且该电源线分为两层设置，横向的电源线10直接形成于阵列基板的衬底基板上，纵向的电源线20形成于绝缘层(图中未示出)上，绝缘层隔在横向的电源线10与纵向的电源线20之间。但是，网状的电源线占用的布局空间过大，会限制子像素单元的数量，导致AMOLED显示装置的每英寸像素数(Pixels Per Inch，简称PPI)较低的技术问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种AMOLED显示装置及其阵列基板，能够有效提高AMOLED显示装置的PPI。

本发明提供一种AMOLED显示装置的阵列基板，包括衬底基板、面状电源线、点状电源线，以及位于所述面状电源线与所述点状电源线之间的若干绝缘层；

所述面状电源线和所述点状电源线用于为发光二极管提供正极性电源；

所述面状电源线形成于所述衬底基板上，所述点状电源线形成于所述若干绝缘层上，且所述面状电源线与所述点状电源线之间通过过孔电连接。

进一步的是，该阵列基板还包括形成于所述阵列基板的板边区域的金属引线，用于将电源信号引入所述面状电源线。

在一种实施方式中，所述金属引线与所述面状电源线位于同一图层，且所述金属引线与所述面状电源线一体成型。

在另一种实施方式中，所述金属引线与所述点状电源线位于同一图层，所述金属引线与所述面状电源线通过过孔电连接。

进一步的是，该阵列基板还包括对应于每个自像素单元的薄膜晶体管；

所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层。

在一种实施方式中，所述若干绝缘层中，包括由下至上依次形成的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；

所述栅极形成于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，所述有源层形成于所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间。

在另一种实施方式中，所述若干绝缘层中，包括由下至上依次形成的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；

所述栅极形成于所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间，所述有源层形成于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。

优选的是，所述源极和所述漏极与所述点状电源线位于同一图层。

进一步的是，所述源极和所述漏极通过过孔与所述有源层连接。

本发明还提供一种AMOLED显示装置，其中包括上述的阵列基板。

本发明带来了以下有益效果：本发明提供的AMOLED显示装置的阵列基板中，包括用于为发光二极管提供正极性电源的面状电源线和点状电源线。其中，面状电源线形成于衬底基板上，面状电源线上形成有若干绝缘层，点状电源线形成在绝缘层上，且所述面状电源线与所述点状电源线之间通过过孔电连接，以实现正极性电源信号的传输。

因为本发明提供的阵列基板中，将底层的电源线设置为面状电源线，所以能够将顶层的电源线设置为点状电源线，减小了顶层电源线占用的空间，因此能够在有限的空间内设置更多、更密集的自像素单元，从而提高了AMOLED显示装置的PPI。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1是AMOLED显示装置中的驱动单元的电路图；

图2是现有的AMOLED显示装置中正极性电源线的示意图；

图3是本发明实施例一提供的阵列基板的平面示意图；

图4是本发明实施例一提供的阵列基板的截面示意图；

图5是本发明实施例二提供的阵列基板的平面示意图；

图6是本发明实施例二提供的阵列基板的截面示意图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

本发明实施例提供一种条形显示屏的拼接式背板，以及使用该拼接式背板的条形显示屏，能够以拼接方式组装条形显示屏的背板，以降低条形显示屏的生产成本。

实施例一：

如图3和图4所示，本发明实施例提供一种AMOLED显示装置的阵列基板，包括衬底基板1、面状电源线2、点状电源线3，以及位于面状电源线2与点状电源线3之间的若干绝缘层。本实施例的若干绝缘层中，包括由下至上依次形成的第一绝缘层41、第二绝缘层42和第三绝缘层43。

面状电源线2和点状电源线3用于为发光二极管提供正极性电源。其中，面状电源线2形成于衬底基板1上，点状电源线3形成于若干绝缘层上，且面状电源线2与点状电源线3之间通过过孔21电连接。

进一步的是，本发明实施例提供的阵列基板还包括形成于阵列基板的板边区域的金属引线5，用于将电源信号从外部引入面状电源线2。本实施例中的金属引线5与面状电源线2位于同一图层，且金属引线5与面状电源线2一体成型。

本发明实施例提供的阵列基板还包括对应于每个自像素单元的薄膜晶体管，每个薄膜晶体管中包括栅极61、源极62、漏极63和有源层64。本实施例中的薄膜晶体管采用底栅型结构，即栅极61位于有源层64下方。

具体的，栅极形61成于第一绝缘层41与第二绝缘层42之间，有源层64形成于第二绝缘层42与第三绝缘层43之间，源极62和漏极63与点状电源线3位于同一图层，并且源极62和漏极63通过过孔与有源层64连接。当栅极61接收到栅极驱动信号时，源极62和漏极63通过有源层64导通。

本发明实施例提供的AMOLED显示装置的阵列基板中，包括用于为发光二极管提供正极性电源的面状电源线2和点状电源线3。其中，面状电源线2形成于衬底基板1上，面状电源线2上形成有三层绝缘层，点状电源线3形成在绝缘层上，且所述面状电源线2与所述点状电源线3之间通过过孔电连接，以实现正极性电源信号的传输。

因为本发明提供的阵列基板中，将底层的电源线设置为面状电源线2，所以能够将顶层的电源线设置为点状电源线3，减小了顶层电源线占用的空间，因此能够在有限的空间内设置更多、更密集的自像素单元，从而提高了AMOLED显示装置的PPI。

实施例二：

本发明实施例提供的AMOLED显示装置的阵列基板与实施例一基本相同，其不同点在于：如图5和图6所示，本实施例中，金属引线5与点状电源线3位于同一图层，且金属引线5与衬底基板1上的面状电源线2通过过孔电连接。

此外，本实施例与实施例一之间的不同点还在于：如图6所示，本实施例中的薄膜晶体管采用顶栅型结构，即栅极位于有源层上方。

具体的，栅极形61成于第二绝缘层42与第三绝缘层43之间，有源层64形成于第一绝缘层41与第二绝缘层42之间，源极62和漏极63与点状电源线3位于同一图层，并且源极62和漏极63通过过孔与有源层64连接。当栅极61接收到栅极驱动信号时，源极62和漏极63通过有源层64导通。

本发明实施例提供的AMOLED显示装置的阵列基板中，包括用于为发光二极管提供正极性电源的面状电源线2和点状电源线3。其中，面状电源线2形成于衬底基板1上，面状电源线2上形成有三层绝缘层，点状电源线3形成在绝缘层上，且所述面状电源线2与所述点状电源线3之间通过过孔电连接，以实现正极性电源信号的传输。

因为本发明提供的阵列基板中，将底层的电源线设置为面状电源线2，所以能够将顶层的电源线设置为点状电源线3，减小了顶层电源线占用的空间，因此能够在有限的空间内设置更多、更密集的自像素单元，从而提高了AMOLED显示装置的PPI。

实施例三：

本发明实施例提供一种AMOLED显示装置，其中包括上述实施例一或实施例二所提供的阵列基板。

本发明实施例提供的AMOLED显示装置与上述实施例提供的阵列基板具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。

虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。