1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在生长衬底上依次形成外延层和保护层；
在所述保护层上形成若干延伸至所述衬底的凹槽，若干所述凹槽将所述外延层分成若干相互独立的外延子层；
在所述保护层的保护下，通过所述凹槽对所述外延子层进行腐蚀，使得所述外延子层的侧面与所述外延子层的底面的夹角为直角或钝角，所述外延子层的底面为与所述生长衬底接触的表面；
去除所述保护层，露出所述外延子层；
将露出的所述外延子层键合在转移衬底上；
去除所述生长衬底。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述保护层上形成若干延伸至所述衬底的凹槽，包括：
采用激光切割所述保护层和所述外延片，以形成若干延伸至所述衬底的凹槽。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述激光的波长为213～355nm。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通过所述凹槽对所述外延子层进行腐蚀，包括：
采用腐蚀溶液对所述外延子层进行腐蚀。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀溶液的温度为150～330℃。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，进行腐蚀的时长为5～25分钟。
7.根据权利要求1～6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为SiO2层或Si3N4层。
8.根据权利要求1～6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述保护层，包括：
采用氢氟酸去除所述保护层。
9.根据权利要求1～6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述生长衬底，包括：
通过激光将所述生长衬底与所述外延层剥离。
10.根据权利要求1～6任一项所述的制作方法，其特征在于，在所述去除所述生长衬底之后，所述方法还包括：
在所述外延子层上设置电极。