1.一种对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，包括：
对所述封装芯片靠近金球的一面进行第一次研磨，至暴露出所述金球；
对所述封装芯片靠近硅衬底的一面进行第二次研磨，至暴露出所述硅衬底；
通过所述金球及硅衬底对所述封装芯片进行测试及失效分析。
2.如权利要求1所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，所述第一次研磨与第二次研磨均为化学机械研磨。
3.如权利要求1所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，暴露出的金球的表面直径不小于所述金球直径的四分之三。
4.如权利要求3所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，暴露出的金球的表面直径大于40um。
5.如权利要求1所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，进行所述第一次研磨之后，所述封装芯片表面的高低差在10um之内。
6.如权利要求1所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，进行第二次研磨之后，还包括：对所述硅衬底进行打磨。
7.如权利要求1～6任一项所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，所述测试包括探针测试及红外定位。
8.如权利要求7任一项所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，所述探针测试包括：将探针卡上的探针与暴露出的金球相接触，对所述封装芯片进行电学测量。
9.如权利要求8所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，所述红外定位包括：将封装芯片通电，采用红外热像仪在所述硅衬底上通入红外线确定封装芯片的失效点。
10.如权利要求9所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，确定存在异常的封装芯片的失效点之后，还包括确定一无异常的封装芯片的失效点。
11.如权利要求10所述的对封装芯片进行测试及失效分析的方法，其特征在于，将无异常的封装芯片与存在异常的封装芯片的失效点进行比较，排除重合的失效点，对存在异常的封装芯片上的其余失效点进行失效分析。