1.一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1) 制备氧化铟前驱体溶液：称取可溶性的铟盐，量取溶剂，配置浓度为0.01-0.5摩尔/升的氧化铟前驱体溶液，经过0.1-3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铟前驱体溶液；
(2) 制备氧化铟薄膜：将氧化铟前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铟前驱体薄膜，进行50-150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铟薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铟溶液并退火处理，即得到氧化铟透明半导体薄膜；
所述的光波的生成仪器为用作厨具的光波炉或具有卤素灯管的加热仪器。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的可溶性的铟盐为硝酸铟、氯化铟、硫酸铟或乙酸铟中的一种或两种以上。
3.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的溶剂为乙二醇甲醚、乙醇、水、乙二醇或二甲基甲酰胺中的一种或两种以上。
4.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述涂覆方法为旋转涂覆法、滴涂法、浸涂法、喷雾法或喷墨打印法。
5.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的光波退火的功率为100-900 W。
6.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的光波退火的时间为5-120分钟。
7.根据权利要求1所述的一种氧化铟透明半导体薄膜的低温溶液制备方法，其特征在于：所述的光波退火过程中的温度为100-300 ℃。