1.一种晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，包括影像传感器芯片（11）、第一重布线路（13）、第一输入输出凸块（14）、密封体（15）、覆盖玻璃（12）、第二重布线路（16）、导通金属（17）、第三重布线路（18）和第二输入输出凸块（19）；所述影像传感器芯片（11）与覆盖玻璃（12）焊接，所述第一输入输出凸块（14）把影像传感器芯片（11）的新输入输出焊盘和覆盖玻璃（12）的底面的新输入输出焊盘进行电性连接；所述第一重布线路（13）通过重布线路工艺布置在影像传感器芯片（11）的正面，影像传感器芯片（11）与第一重布线路（13）进行电性连接；所述覆盖玻璃（12）的上表面布置有第三重布线路（18），在覆盖玻璃（12）的下表面布置有第二重布线路（16），所述第二重布线路（16）与第三重布线路（18）通过导通金属（17）电性连接；所述的第一输入输出凸块（14）设置在第一重布线路（13）上的焊盘上，第一重布线路（13）与第一输入输出凸块（14）进行电性连接；所述第一输入输出凸块（14）通过倒装工艺连接至第二重布线路（16）上的焊盘，第一输入输出凸块（14）与第二重布线路（16）进行电性连接；所述的第二输入输出凸块（19）设置在第三重布线路（18）的焊盘上，第三重布线路（18）与第二输入输出凸块（19）进行电性连接；所述的密封体（15）填充在影像传感器芯片（11）和覆盖玻璃（12）的四周。
2.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述的影像传感器芯片（11）是由硅晶圆铸造出来的具有影像传感器的集成电路裸片。
3.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述影像传感器芯片（11）上还设置有铝焊盘（111），第一重布线路（13）沿着影像传感器芯片（11）的铝焊盘（111）四周设置粘附层（131）、BCB1阻挡层（132）和BCB2阻挡层（133），并从铝焊盘（111）引出第一重布多层金属线（134），在第一重布多层金属线（134）上布置溅射凸点下金属层（135）；并在溅射凸点下金属层（135）上植第一输入输出凸块（14）；再通过倒装工艺将第一输入输出凸块（14）焊接到所述的覆盖玻璃（12）的第二重布线路（16）的金属线（162）上形成电性连接，并在第二重布线路（16）的金属线（162）增加钝化层（161）进行保护。
4.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述的第一重布线路（13）、第二重布线路（16）和第三重布线路（18）均是利用重布线路工艺在晶圆材料上增加一些金属和电介质层；重布线路工艺采用BCB/PI作为再分布的介质层，以铜作为再分布连线金属，采用溅射法积凸块底部金属层，丝绸印刷法沉积焊膏并回流。
5.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述密封体（15）是一种坚固与保护材料，材质为硅胶、玻璃胶和环氧树脂中的一种。
6.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述导通金属（17）为电镀铜柱、电镀钨和高分子导体涂布中的一种。
7.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述的第二输入输出凸块（19）用于外部的电性连装，连装方式采用表面贴装技术或热压焊接技术。
8.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述密封体（15）分别与影像传感器芯片（11）和所述的覆盖玻璃（12）粘接。
9.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述的第一输入输出凸块（14）为矩形金凸块、球形锡凸块和柱状铜凸块中的一种。
10.根据权利要求1所述的晶圆级玻璃上芯片封装结构，其特征在于，所述覆盖玻璃（12）为普通玻璃、蓝宝石玻璃和镀膜玻璃中的一种。