一种发光二极管及其制作方法与流程

技术特征：

1.一种发光二极管，包含：磊晶基板；N型半导体层，位于所述磊晶基板表面之上；发光层，位于所述N型半导体层表面之上，定义发光层的上表面为第一表面，发光层的下表面为第二表面；P型半导体层，位于所述发光层第一表面之上；P型金属电极，位于所述P型半导体层表面之上；包含金属反射层结构的N型金属电极，位于局部裸露之N型半导体层表面之上，定义金属反射层结构的上表面为第三表面，金属反射层结构的下表面为第四表面；其特征在于：所述第三表面的高度大于等于第一表面的高度，所述第四表面的高度小于等于第二表面的高度。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第三表面的高度大于等于第一表面的高度，所述第四表面的高度小于等于第二表面的高度，以减少N型金属电极的吸光作用。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述N型金属电极包括金属隔离层、金属反射层以及金属电极层。

4.根据权利要求3所述的一种发光二极管，其特征在于：所述N型金属电极从下至上依次包括第一金属隔离层、金属反射层、第二金属隔离层以及金属电极层。

5.根据权利要求3所述的一种发光二极管，其特征在于：所述金属反射层为Al、Ag、Ni、Zn中的一种或其组合，其厚度为50~1500nm。

6.根据权利要求3所述的一种发光二极管，其特征在于：所述金属隔离层为Cr、Ti、Pt、Al、Ag、Ni、W的一种或其组合，其厚度为1~500nm。

7.根据权利要求3所述的一种发光二极管，其特征在于：所述金属隔离层为多层堆叠结构或者包覆结构。

8.一种发光二极管的制作方法，包括：提供磊晶基板；形成N型半导体层于所述磊晶基板表面之上；形成发光层于所述N型半导体层表面之上，定义发光层的上表面为第一表面，发光层的下表面为第二表面；形成P型半导体层于所述发光层第一表面之上；从P型半导体层表面往下形成局部裸露之N型半导体层表面；形成P型金属电极于所述P型半导体层表面之上，以及形成包含金属反射层结构的N型金属电极于所述局部裸露之N型半导体层表面之上，其中所述第三表面的高度大于等于第一表面的高度，所述第四表面的高度小于等于第二表面的高度。

9.根据权利要求8所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述N型金属电极包括金属隔离层、金属反射层以及金属电极层。

10.根据权利要求8所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述形成局部裸露之N型半导体层表面的方法包括干式蚀刻或湿式蚀刻方法。