1.一种封装件，具有：
一对引线，配置在凹部的底面；
第一树脂体，形成所述凹部的侧壁；
第二树脂体，配置在所述一对引线之间；以及
反射膜，覆盖所述凹部的侧壁的内表面和所述第二树脂体的上表面以及下表面。
2.根据权利要求1所述的封装件，其中，
在所述第一树脂体中，所述凹部的开口部的周边的整个面被所述反射膜覆盖。
3.根据权利要求1所述的封装件，其中，
所述第一树脂体和所述第二树脂体的整个面被所述反射膜覆盖。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装件，其中，
所述反射膜在所述凹部的侧壁的内表面形成至与所述引线的边界，且在所述第二树脂体的上表面和下表面形成至与所述引线的边界。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装件，其中，
所述反射膜的平均厚度为10～1000nm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的封装件，其中，
所述反射膜主要包含具有1～100nm的粒径的金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的封装件，其中，
所述金属氧化物是氧化钛。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的封装件，其中，
所述第一树脂体和所述第二树脂体包含从由环氧树脂、改性环氧树脂、硅酮树脂、改性硅酮树脂、丙烯酸酯树脂、聚氨酯树脂构成的组之中选择的至少一种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装件，其中，
所述封装件还具备：元件安装部，安装发光元件。
10.一种陶瓷封装件，具有：
一对布线，配置在凹部的底面；
第一陶瓷体，形成所述凹部的侧壁；
第二陶瓷体，配置在所述一对布线之间；以及
反射膜，覆盖所述凹部的侧壁的内表面和所述第二陶瓷体的上表面以及下表面。
11.一种发光装置，具有：
权利要求1至8中任一项所述的封装件；以及
发光元件，在所述封装件的所述凹部的底面配置于所述一对引线的至少一方。
12.一种发光装置，具有：
权利要求9所述的封装件；以及
发光元件，在所述封装件的所述凹部的底面载置于所述元件安装部，并与所述一对引线分别电连接。
13.一种发光装置，具有：
权利要求10所述的陶瓷封装件；以及
发光元件，在所述陶瓷封装件的所述凹部的底面配置于所述一对布线的至少一方。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光装置具备：第三树脂体，覆盖所述发光元件，并配置在所述凹部内。
15.一种封装件的制造方法，包括：
准备树脂成型体的工序，所述树脂成型体具备：一对引线，配置在凹部的底面；第一树脂体，形成所述凹部的侧壁；以及第二树脂体，配置在所述一对引线之间；
至少在所述凹部的底面和所述凹部的侧壁的内表面的整个面形成反射膜的工序；以及
在形成了所述反射膜的树脂成型体中剥离所述凹部内的形成于所述一对引线的所述反射膜的工序。
16.根据权利要求15所述的封装件的制造方法，其中，
在剥离所述反射膜的工序中，将形成了所述反射膜的树脂成型体浸渍于电解液并对所述树脂成型体通电电流。
17.根据权利要求15所述的封装件的制造方法，其中，
在剥离所述反射膜的工序中，将形成了所述反射膜的树脂成型体浸渍于电解液并对所述树脂成型体通电直流电流。
18.根据权利要求17所述的封装件的制造方法，其中，
剥离所述反射膜的工序包括：
对形成了所述反射膜的树脂成型体以500A/m2～3000A/m2的电流密度进行通电的工序；以及
除去该树脂成型体的浮在一对引线上的反射膜的工序。
19.根据权利要求15至18中任一项所述的封装件的制造方法，其中，
在形成所述反射膜的工序中，将所准备的所述树脂成型体浸渍在有机溶剂中，该有机溶剂主要包含具有1～100nm的粒径的金属氧化物。
20.根据权利要求15至19中任一项所述的封装件的制造方法，其中，
在形成所述反射膜的工序中，在所准备的所述树脂成型体上形成平均厚度为10～1000nm的反射膜。
21.一种发光装置的制造方法，包括：
准备树脂成型体的工序，所述树脂成型体具备：一对引线，配置在凹部的底面；第一树脂体，形成所述凹部的侧壁；以及第二树脂体，配置在所述一对引线之间；
至少在所述凹部的底面和所述凹部的侧壁的内表面的整个面形成反射膜的工序；
在形成了所述反射膜的树脂成型体中剥离所述凹部内的形成于所述一对引线的所述反射膜的工序；以及
在剥离了所述反射膜的所述一对引线的至少一方载置发光元件的工序。
22.根据权利要求21所述的发光装置的制造方法，其中，
在载置所述发光元件的工序之后，包括用第三树脂覆盖所述发光元件的工序。
23.根据权利要求21所述的发光装置的制造方法，其中，
在载置所述发光元件的工序之后，包括用绝缘膜覆盖所述发光元件进而用第三树脂覆盖所述绝缘膜的工序。
24.根据权利要求23所述的发光装置的制造方法，其中，
所述绝缘膜的膜厚比由所述第三树脂构成的第三树脂体的膜厚薄。
25.根据权利要求23或24所述的发光装置的制造方法，其中，
所述绝缘膜的膜厚大致固定。