阵列基板及其制造方法、显示面板与流程

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。

背景技术：

目前，显示产品(例如OLED、LCD等)在各行各业中的应用越来越广泛。其主要包括由阵列基板及封装基板封装而成的显示面板。为了保证封装后的显示产品的水氧透过量在可接受范围内，并且保证粘贴强度，一般对封装的涂胶边框有着一定的厚度限制。

但是，较宽的边框会影响用户体验，于是窄边框显示产品被研发出来，窄边框可以使得显示区域(Active Area，简称AA区)与非显示区域的比例增大，用户在观看图像显示时可获得更优的体验。此外，当窄边框显示产品，如显示面板应用于拼接屏时，由于单个显示面板的边框很窄，能够降低拼接处拼缝的宽度，可显著提高拼接屏的整体显示效果。因此，目前市场对于窄边框显示产品的需求越来越迫切。

为了降低平板显示装置的制造成本并藉以实现窄边框的目的，在制造过程中通常采用GIP(Gate in Panel，门面板)技术，直接将栅极驱动电路(即GIP电路)集成于平板显示面板上。图1示出了现有技术中一种常见的具有窄边框的阵列基板，所述阵列基板10包括显示区域11和非显示区域12，所述显示区域11例如为像素区，所述非显示区域12则包括围绕所述显示区域11的栅极驱动电路(GIP电路)区13以及围绕所述驱动电路区13的封装区14，封装时依据需要，在封装区14外围进行切割实现封装。

那么，如何在现有技术的基础上，如何进一步缩减非显示区域所占比例，成为一个攻坚方向。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，在不影响封装效果的情况下，减小非显示区域所占比例，更符合目前市场对于窄边框显示产品的需求。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

提供基底，所述基底包括显示区域及围绕所述显示区域的栅极驱动电路区域；

在所述栅极驱动电路区域上形成封装结构。

可选的，对于所述的阵列基板的制造方法，在所述栅极驱动电路区域上形成封装结构包括：

在所述基底的显示区域中形成阳极金属层；

在所述栅极驱动电路区域上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成多个通孔，暴露出所述第一金属层；

在所述绝缘层上形成粘贴层，所述粘贴层填充满所述多个通孔。

可选的，对于所述的阵列基板的制造方法，所述阳极金属层与所述第一金属层同时形成且厚度相同。

可选的，对于所述的阵列基板的制造方法，在提供基底步骤中，还包括在所述基底的显示区域中形成显示单元。

可选的，对于所述的阵列基板的制造方法，在所述栅极驱动电路区域上形成封装结构包括：

在所述栅极驱动电路区域上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成多个通孔，暴露出所述第一金属层；

在所述绝缘层上形成粘贴层，所述粘贴层填充满所述多个通孔。

可选的，对于所述的阵列基板的制造方法，所述粘贴层的厚度为4μm-6μm，所述第一金属层的厚度为100nm-150nm。

本发明还提供一种阵列基板，包括：

基底，所述基底包括显示区域及围绕所述显示区域的栅极驱动电路区域；

位于所述栅极驱动电路区域上的封装结构。

可选的，对于所述的阵列基板，所述封装结构包括：

位于所述栅极驱动电路区域上的第一金属层；

位于所述第一金属层上的绝缘层，所述绝缘层中形成有多个通孔，暴露出所述第一金属层；

位于所述绝缘层上的粘贴层，所述粘贴层填充满所述多个通孔。

可选的，对于所述的阵列基板，所述粘贴层的厚度为4μm-6μm，所述第一金属层的厚度为100nm-150nm。

本发明还提供一种显示面板，包括：如上所述的阵列基板及一封装基板，所述阵列基板与所述封装基板通过所述封装结构封装在一起。

在本发明提供的阵列基板及其制造方法、显示面板中，通过在所述栅极驱动电路区域上形成封装结构，从而使得栅极驱动电路区域和封装结构合用一个空间，由此进一步缩小了非显示区域所占比例，使得用户在观看图像显示时可获得更优的体验；并且，使得采用上述阵列基板的显示面板应用于拼接屏时，每一子屏间的拼缝更小，显示效果更优。

附图说明

图1为现有技术中一种常见的阵列基板的示意图；

图2为本发明中获得的阵列基板的俯视图；

图3为本发明实施例一中阵列基板的制造方法的流程图；

图4为本发明实施例一中提供的基底的俯视图；

图5为图4中沿I-I线的剖视图；

图6为本发明实施例一中形成阳极金属层后沿图4中I-I线的剖视图；

图7为本发明实施例一中形成第一金属层后沿图4中II-II线的剖视图；

图8为本发明实施例一中形成绝缘层后沿图4中II-II线的剖视图；

图9为本发明实施例一中形成粘贴层后沿图4中II-II线的剖视图；

图10为本发明实施例二中阵列基板的制造方法的流程图；

图11为本发明实施例二中提供的基底的俯视图；

图12为图11中沿III-III线的剖视图；

图13为本发明实施例二中形成第一金属层后沿图11中IV-IV线的剖视图；

图14为本发明实施例二中形成绝缘层后沿图11中IV-IV线的剖视图；

图15为本发明实施例二中形成粘贴层后沿图11中IV-IV线的剖视图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的阵列基板及其制造方法、显示面板进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想是，提供一种阵列基板及其制造方法，通过在所述栅极驱动电路上形成封装结构，从而使得栅极驱动电路和封装结构合用一个空间，由此进一步缩小了非显示区域所占比例，使得用户在观看图像显示时可获得更优的体验；并且，使得采用上述阵列基板的显示面板应用于拼接屏时，每一子屏间的拼缝更小，显示效果更优。

以下列举所述阵列基板及其制造方法、显示面板的较优实施例，以清楚的说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。

下面结合图2-图15对本发明的阵列基板、其制造方法及控制方法进行详细说明。

如图2-图15所示，本发明的阵列基板，包括：

基底20，所述基底20包括显示区域21及围绕所述显示区域21的栅极驱动电路区域22；

位于所述栅极驱动电路区域22上的封装结构；

所述封装结构包括：

位于所述栅极驱动电路221上的第一金属层222；

位于所述第一金属层222上的绝缘层223，所述绝缘层223中形成有多个通孔224，暴露出所述第一金属层222；所述第一金属层222的厚度可以为100nm-150nm；

位于所述绝缘层223上的粘贴层225，所述粘贴层225填充满所述多个通孔224；所述粘贴层225的厚度可以为4μm-6μm。

如图2可见，在显示区域21外围的非显示区域23中，并不是像现有技术那样栅极驱动电路区域和封装结构各占一个区域，而是栅极驱动电路区域和封装结构层叠在一起，从而共用了一个区域，由此在对非显示区域23进行切割后，相比现有技术可以缩小非显示区域所占比例，进一步的实现了窄边框结构。

下面对本发明的阵列基板的制造方法进行举例说明。

实施例一

请参考图3，本发明实施例一中的阵列基板的制造方法，包括：

步骤S11，提供一基底，所述基底包括显示区域及围绕所述显示区域的栅极驱动电路区域；

步骤S12，在所述基底的显示区域中形成阳极金属层；

步骤S13，在所述栅极驱动电路区域上形成第一金属层；

步骤S14，在所述第一金属上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成多个通孔，暴露出所述第一金属层；

步骤S15，在所述绝缘层上形成粘贴层，所述粘贴层填充满所述多个通孔。

具体的，如图4所示，在步骤S11中，所述基底20可以为常见的基底，例如可以为LTPS(低温多晶硅)基底，例如包括电容等，并是已经完成栅极驱动电路221的制造，所述栅极驱动电路区域22具有栅极驱动电路221，所述栅极驱动电路221例如包括导线层和所需的薄膜晶体管，其制备过程为本领域技术人员所熟悉，在此不进行详述。在本步骤S11中，所述基底20在显示区域21中尚未形成阳极金属层。

具体的，在步骤S12中，请参考图6，在所述基底20的显示区域中形成阳极金属层211。所述阳极金属层211的形成也可以按照现有技术来执行，例如其材质可以为银、氧化铟锡(ITO)等，其厚度可以为100nm-150nm。

具体的，在步骤S13中，请参考图7，在所述栅极驱动电路区域22(也即是栅极驱动电路221)上形成第一金属层222。可以理解的是，所述栅极驱动电路221上表面为钝化层，因此能够实现与第一金属层222的隔离。较佳的，所述第一金属层222的厚度为100nm-150nm，例如120nm、130nm等，从而可以与所述阳极金属层的厚度相匹配，便于加工。所述第一金属层222的材质可以与所述阳极金属层相同。

在一个较佳选择中，上述步骤S12和步骤S13可以同时进行，即在形成阳极金属层的同时形成所述第一金属层222。这可以先形成一整面金属，然后经由光刻刻蚀来完成，由此简化工艺过程。由此可见，所述第一金属层222和所述阳极金属层的厚度可以相同，材质也可以相同，例如都为氧化铟锡(ITO)、银等。当然，二者也可以是依次进行，或是先执行步骤S13，再执行步骤S12。同样的所述第一金属层222和所述阳极金属层的厚度、材质也可以不同。

在本发明中，通过形成所述第一金属层222，在后续封装过程中，借助于第一金属层222热传导率高的特性，能够使得激光封装时的热量吸收均匀，从而确保封装质量良好。

具体的，在步骤S14中，请参考图8，在所述第一金属层222上形成绝缘层223并在所述绝缘层223中形成多个通孔224，暴露出所述第一金属层222。较佳的，所述多个通孔224均匀分布，依据不同的屏体尺寸及设计条件，可以设置成单排单列或是多排多列的情况。通过在绝缘层223中设置通孔224，能够使得后续的粘贴层形成在通孔224中，成为镶嵌式结构，有助于提高封装效果。

具体的，在步骤S15中，请参考图9，在所述绝缘层223上形成粘贴层225，所述粘贴层225填充满所述多个通孔224。所述粘贴层225例如可以为玻璃胶(frit)，其厚度可以为4μm-6μm。

由此，如图9可见，粘贴层225已经形成，可以获得本发明的阵列基板。当然，在实际工艺中，粘贴层225可以是形成在封装基板上，然后进行封装。但可以理解的是，粘贴层225实际上依然是封装结构的一部分。

实施例二

请参考图10，本发明还提供另一种阵列基板的制造方法，包括：

步骤S21，提供一基底，所述基底包括显示区域及围绕所述显示区域的栅极驱动电路区域，并且在所述基底的显示区域中形成显示单元；

步骤S22，在所述栅极驱动电路区域上形成第一金属层；

步骤S23，在所述第一金属上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成多个通孔，暴露出所述第一金属层；

步骤S24，在所述绝缘层上形成粘贴层，所述粘贴层填充满所述多个通孔。

具体的，在步骤S21中，如图11和图12所示，所述基底20可以为常见的基板，例如可以为LTPS(低温多晶硅)基板，例如包括电容等，并是已经完成栅极驱动电路221的制造，所述栅极驱动电路区域22具有栅极驱动电路221，所述栅极驱动电路221例如包括导线层和所需的薄膜晶体管，其制备过程为本领域技术人员所熟悉，在此不进行详述。在本步骤S11中，还在所述基底20的显示区域21中形成显示单元212。所述基底20上显示单元212的形成可以按照本领域技术人员所熟悉的常规工艺进行，例如是形成在阳极金属层上。在此不进行详述。

具体的，在步骤S22中，如图13所示，在所述栅极驱动电路区域22(也即是栅极驱动电路221)上形成第一金属层222；可以理解的是，所述栅极驱动电路221上表面为钝化层，因此能够实现与第一金属层222的隔离。所述第一金属层222的厚度为100nm-150nm，例如120nm，130nm等。另外，所述第一金属层222的厚度可以依据实际工艺情况进行调整，例如，结合之后的实际激光密封情况，可以在不限于100nm-150nm这一范围进行调整，以获得合适的传热效果。

在一个较佳选择中，所述第一金属层222的材质可以为氧化铟锡(ITO)、银等。

在本发明中，通过形成所述第一金属层222，在后续封装过程中，借助于第一金属层222热传导率高的特性，能够使得激光封装时的热量吸收均匀，从而确保封装质量良好。

具体的，在步骤S23中，请参考图14，在所述第一金属层222上形成绝缘层223并在所述绝缘层223中形成多个通孔224，暴露出所述第一金属层222；较佳的，所述多个通孔224均匀分布，依据不同的屏体尺寸及设计条件，可以设置成单排单列或是多排多列的情况。通过在绝缘层223中设置通孔224，能够使得后续的粘贴层形成在通孔224中，成为镶嵌式结构，有助于提高封装效果。

具体的，在步骤S24中，请参考图15，在所述绝缘层223上形成粘贴层225，所述粘贴层225填充满所述多个通孔224。所述粘贴层225例如可以为玻璃胶(frit)，其厚度可以为4μm-6μm。

由此，如图15可见，粘贴层225已经形成，可以获得本发明的阵列基板。当然，在实际工艺中，粘贴层225可以是形成在封装基板上，然后进行封装。但可以理解的是，粘贴层225实际上依然是封装结构的一部分。

在形成显示面板时，可将上述获得的阵列基板与一封装基板进行贴合，再利用激光照射完成封装，使得所述阵列基板与所述封装基板通过所述封装结构封装在一起。

这里，上述的显示面板具体可以应用在液晶显示装置中，如液晶电视、OLED电视或电子纸、数码相框、手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。