有机发光显示装置的制作方法

本发明涉及有机发光显示装置，更具体而言，涉及工作电压降低且效率改善的有机发光显示装置。
背景技术：
：用于在屏幕上显示各种信息的图像显示器是信息与通信时代的核心技术之一。此类图像显示器已发展得更薄、更轻、更便携而且具有高性能。随着信息化社会的发展，对于显示装置的各种要求在增加。为了满足这些要求，对于诸如液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)、电致发光显示器(eld)、场发射显示器(fed)、有机发光二极管(oled)等平板显示器的研究正在积极地进行中。在这些类型的显示器中，有机发光显示装置是一类如下的装置：当将电荷注入在阳极和阴极之间形成的有机发光层中时，将因电子-空穴出现和消失而发射光。有机发光显示装置的优点在于，其可在诸如塑料基板等柔性透明基板上制造，并且其与等离子体显示面板或无机发光显示器相比可以在较低电压下工作，具有较少的能耗，并且产生生动色彩再现。特别地，白色oled装置在照明、薄光源、液晶显示器背光或采用滤色片的全彩显示器中用于各种目的。有机发光显示装置具有阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层和阴极的层叠结构，并且空穴注入层和电子注入层用来促进电荷注入。作为一类空穴注入层的p型空穴注入层参与到空穴的产生、注入和输送中，并且是仅由p型掺杂剂形成的层或其中包含主体和p型掺杂剂的层。主体用于将空穴从阳极经homo(最高占据分子轨道)能级注入发光层，并且是常用作空穴注入层的材料。p型掺杂剂是具有强吸电子取代基的材料，并且将电子从与p型空穴注入层相邻的空穴输送层的lumo(最低未占分子轨道)能级吸引至p型掺杂剂的homo能级。具有强吸电子取代基的p型空穴注入层通过将电子从主体的homo(最高占据分子轨道)能级或者空穴注入层或空穴输送层的homo能级接收到p型空穴注入层的lumo(最低未占分子轨道)能级而形成空穴输送路径。终究，p型空穴注入层的lumo能级和与p型空穴注入层相邻的空穴输送层或主体的homo能级可具有相似的能级以实现高效的空穴产生，故需要具有强吸电子取代基的p型空穴注入材料。然而，p型空穴注入材料由于其强吸电子取代基而不易合成，并且具有热稳定性和沉积稳定性方面的问题。特别地，p型空穴注入材料之一f4-tcnq容易升华，使得其在装置制造期间影响沉积源的污染、装置的性能再现性和热稳定性。而且，开发lumo能级与主体的homo能级或空穴输送层的homo能级相似的p型空穴注入材料是不容易的。为了使该lumo能级与该homo能级相似，必需将强吸电子取代基引入p型空穴注入材料。然而，吸电子取代基越强，越难以改善材料的纯度，使得材料难以合成。此外，必要的是强吸电子取代基不吸收可见光，这使得p型空穴注入材料难以开发。技术实现要素：因此，本发明涉及可以基本上消除由于现有技术的限制和缺陷所致的一个或多个问题的有机发光显示装置。本发明的一个目的是提供工作电压降低且效率改善的有机发光显示装置。本发明的另外的特征和优势将在下文的说明书中阐述，其部分将从说明书中变得显而易见，或者可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其他优势在此将由书写的说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构而实现和获得。为了实现这些及其他优点并根据所体现出和宽泛描述的本发明的目的，本发明提供了一种有机发光显示装置，其包括在阳极和阴极之间的至少一个发光部，并且所述至少一个发光部具有发光层和至少一个有机层，其中所述至少一个有机层包含由以下化学式1或2表示的化合物：[化学式1][化学式2]其中r1～r6各自独立地表示氢原子、具有取代基或不具有取代基的具有6～12个碳原子的芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷氧基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种，并且r1～r6中的至少一个包含氰基，并且z1和z2独立地由以下化学式3表示：[化学式3]其中a和b独立地包含氢原子、具有取代基或不具有取代基的具有6～12个碳原子的芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷氧基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种。所述芳基、杂芳基、烷基、烷氧基和醚基的取代基是具有1～12个碳原子的烷基、具有6～15个碳原子的芳基、具有1～15个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂烷基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种。由化学式1表示的所述化合物包括以下化合物中的一种：由上述化学式2表示的所述化合物包括以下化合物中的一种：所述至少一个有机层包含空穴注入层。所述空穴注入层的掺杂剂包含所述化合物。所述空穴注入层包含所述化合物。所述至少一个有机层包含p型电荷产生层。所述p型电荷产生层的掺杂剂包含所述化合物。所述p型电荷产生层包含所述化合物。在另一方面，一种有机发光显示装置包括在阳极和阴极之间的至少一个发光部，并且所述至少一个发光部具有空穴注入层和发光层；以及在所述至少一个发光部之间的具有p型电荷产生层的电荷产生层，其中所述空穴注入层和所述p型电荷产生层中的至少一个包含由以下化学式1或2表示的化合物：[化学式1][化学式2]其中r1～r6各自独立地表示氢原子、具有取代基或不具有取代基的具有6～12个碳原子的芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷氧基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种，并且r1～r6中的至少一个包含氰基，并且z1和z2独立地由以下化学式3表示：[化学式3]其中a和b独立地包含氢原子、具有取代基或不具有取代基的具有6～12个碳原子的芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷氧基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种。所述芳基、杂芳基、烷基、烷氧基和醚基的取代基是具有1～12个碳原子的烷基、具有6～15个碳原子的芳基、具有1～15个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂烷基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种。由化学式1表示的所述化合物包括以下化合物中的一种：由上述化学式2表示的所述化合物包括以下化合物中的一种：所述空穴注入层的掺杂剂包含所述化合物。所述空穴注入层包含所述化合物。所述p型电荷产生层的掺杂剂包含所述化合物。所述p型电荷产生层包含所述化合物。附图说明为了提供对本发明的进一步理解而包含附图并将其并入构成本说明书的一部分，附图图示了本发明的实施方式，并与说明书一起用来解释本发明的原理。图1是显示本发明第一示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图；图2是显示本发明第二示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图；图3是显示本发明第三示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图；并且图4和图5是本发明的一个或多个实施方式的有机发光显示装置的能带图。具体实施方式通过参考示例性实施方式和附图的以下详述可更容易理解本发明的优点和特征以及实施本发明的方法。然而，本发明可以不同形式实施并且不应被理解为限于本文中阐述的示例性实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开彻底和完整，并且将本发明的范围充分传达给本领域技术人员，而本发明由所述权利要求限定。附图中用于描述本发明的示例性实施方式而示出的形状、大小、百分比、角度和数量等仅是示例，且不限于附图中所示的那些。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的要素。在本发明的描述中，将省略相关公知技术的详细描述以避免不必要地混淆本发明。当使用术语“包括”、“具有”和“由……组成”等时，只要未使用术语“仅”，便可添加其它部分。除非明确声明，单数形式可被解读为复数形式。即使没有明确声明，要素也可以被理解为包括误差范围。当使用“上”、“之上”、“之下”和“邻近”等术语描述两个部分之间的位置关系时，只要未使用术语“紧接”或“直接”，所述两个部分之间可以放置有一个或多个部分。当使用“之后”、“然后”、“接下来”和“之前”等术语描述两个事件之间的时间关系时，只要未使用术语“立即”或“直接”，所述两个事件可以不相继地发生。将理解的是，尽管可在使用“第一”、“第二”等术语来描述各种要素，这些要素不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个要素与其他要素区分开。因此，下文讨论的第一要素可被称作第二要素，而不偏离本发明的技术主旨。本发明各示例性实施方式的特征可彼此部分地或全部组合，并且可以技术上不同的方式共同作用或运作。示例性实施方式可单独或彼此组合执行。下文中，将参照附图详细描述本发明的各示例性实施方式。图1是显示本发明第一示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图。本发明的全部实施方式的有机发光显示装置的全部组件可操作地关联和配置。参照图1，本发明第一示例性实施方式的有机发光显示装置100包括阳极110、空穴注入层120、空穴输送层130、发光层140、电子输送层150、电子注入层210和阴极220。阳极110是空穴注入电极，并且可由具有高功函数的ito(氧化铟锡)、izo(氧化铟锌)或zno(氧化锌)中的一种形成。另外，如果阳极110是反射型电极，则阳极110可在由ito、izo或zno中的一种形成的层下方进一步包含由铝(al)、银(ag)或镍(ni)中的一种形成的反射层。空穴注入层120形成在阳极110上。空穴注入层120必须包含强吸电子取代基，以便使空穴注入层的lumo能级相似于或低于空穴注入层的主体的homo能级或空穴输送层的homo能级。然而，包含吸电子取代基的化合物由于吸电子取代基而难以合成，并且由于其较低的热和沉积稳定性而不易开发。鉴于此，本发明人进行了各种试验以通过形成确保过程稳定性且包含吸电子取代基的材料的空穴注入层，来改善空穴注入特性以及装置的效率和寿命。通过在不影响有机发光显示装置寿命或效率且不使工作电压升高的材料上进行的大量测试或实验，本发明人开发了可通过确保过程稳定性并包含吸电子取代基而展现空穴注入特性的化合物。在本发明中，使用包含作为核的茚和吸电子取代基的化合物形成空穴注入层。由于茚提供了承受热或沉积的过程稳定性，故可简化化合物的组成和沉积。而且，通过包含附接至核的吸电子取代基并使化合物的lumo能级相似于或低于空穴注入层120的主体、p型电荷产生层的主体或空穴输送层的homo能级，本发明的化合物可改善空穴注入特性。因此，本发明的空穴注入层120包含由以下化学式1或2表示的化合物：[化学式1][化学式2]其中r1～r6各自独立地表示氢原子、具有取代基或不具有取代基的具有6～12个碳原子的芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷氧基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种，并且r1～r6中的至少一个包含氰基。z1和z2独立地由以下化学式3表示：[化学式3]其中a和b独立地包含氢原子、具有取代基或不具有取代基的具有6～12个碳原子的芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂芳基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的烷氧基、具有取代基或不具有取代基的具有1～12个碳原子的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种。所述芳基、杂芳基、烷基、烷氧基和醚基的取代基是具有1～12个碳原子的烷基、具有6～15个碳原子的芳基、具有1～15个碳原子和o、n、s和si中的1～4个杂原子的杂烷基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基和三甲基甲硅烷基中的一种。由化学式1表示的所述化合物包括以下化合物中的一种：由上述化学式2表示的所述化合物包括以下化合物中的一种：本发明的上述化合物包含茚作为核，其提供承受热或沉积的过程稳定性，从而简化了化合物的组成和沉积。而且，通过包含附接至核的吸电子取代基并使化合物的lumo能级相似于或低于空穴注入层的主体、p型电荷产生层的主体或空穴输送层的homo能级，本发明的化合物改善了空穴注入特性。因此，空穴注入层由本发明的化合物形成，以确保化合物的过程稳定性，简化有机发光显示装置的制造。而且，由于空穴注入特性的改善有助于促进空穴从阳极输送至发光层，故本发明的化合物可降低装置的工作电压并改善其效率和寿命。空穴注入层120可由本发明的化合物形成，或者可包含所述化合物作为掺杂剂。空穴注入层120可仅由本发明的化合物形成。另外，如果空穴注入层120包含本发明的化合物作为掺杂剂，则空穴注入层120可包含cupc(铜酞菁)、pedot(聚(3,4)-亚乙基二氧噻吩)、pani(聚苯胺)和dntpd(n1’,n1”-(联苯-4,4’-二基)双(n1-苯基-n4,n4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)和npd(n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二(苯基)-2,2’-二甲基联苯胺)中的一种或多种主体以及包含本发明化合物的掺杂剂。空穴注入层120的厚度可以是1nm～150nm。如果空穴注入层120的厚度为1nm以上，则可改善空穴注入特性。如果空穴注入层120的厚度为150nm以下，则可防止空穴注入层120的厚度增加，并且可由此防止工作电压升高。空穴输送层130可起到促进空穴输送的作用，并且可由以下物质中的一种或多种形成但不限于此：npd(n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二(苯基)-2,2’-二甲基联苯胺)、tpd(n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)、螺-tad(2,2,7,7’-四(n,n-二苯基氨基)-9,9’-螺芴)、npb(n,n’-双(萘-1-基-n,n’-二(苯基)-联苯胺)和mtdata(4,4',4"-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺)。空穴输送层130的厚度可以是1nm～150nm。如果空穴输送层130的厚度为1nm以上，则可改善空穴输送特性，或者如果空穴输送层130的厚度为150nm以下，则可防止空穴注入层120的厚度增加，并且可由此防止工作电压升高。而且，可在空穴输送层130上进一步形成电子阻挡层。发光层140可发射红色(r)、绿色(g)或蓝色(b)的光，并且可由磷光材料或荧光材料形成。如果发光层140是红光发射层，则其可由包含pbd:eu(dbm)3(phen)或二萘嵌苯的荧光材料形成，但不限于此。如果发光层140是绿光发射层，则其可由包含alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料形成，但不限于此。如果发光层140是蓝光发射层，则其可由包含螺-bdavbi(2,7-双[(4-二苯基氨基)苯乙烯基]-9,9-螺芴、螺-cbp(2,2’,7,7’-四(咔唑-9-基)-9,9-螺芴)、二苯乙烯基苯(dsb)、二苯乙烯基芳烃(dsa)、pfo(聚芴)聚合物和ppv(聚苯撑乙烯)聚合物中的一种的荧光材料形成，但不限于此。电子输送层150起到促进电子输送的作用，并且可由以下物质中的一种或多种形成但不限于此：alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、pbd(2-4-联苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、taz(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、dpt(2-联苯-4-基-4,6-双-(4′-吡啶-2-基-联苯-4-基)-[1,3,5]三嗪)和balq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)。电子输送层150的厚度可以是1nm～150nm。如果电子输送层150的厚度为1nm以上，则可防止电子输送特性劣化，或者如果电子输送层150的厚度为150nm以下，则可防止电子输送层150的厚度增加，并可因此防止工作电压升高。电子注入层210起着促进电子注入的作用，并且可由以下物质中的一种形成但不限于此：alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、pbd(2-4-联苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、taz(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)和balq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)形成。另一方面，电子注入层210可由金属化合物形成，并且金属化合物可以是例如但不限于liq、lif、naf、kf、rbf、csf、frf、bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2和raf2中的一种或多种。电子注入层210的厚度可以是1nm～50nm。如果电子注入层210的厚度为1nm以上，则可防止电子注入特性劣化，或者如果电子注入层210的厚度为50nm以下，则可防止电子注入层210的厚度增加，并可因此防止工作电压升高。根据装置的结构或特点，有机发光显示装置的元件中可不包含电子注入层210。阴极220是电子注入电极，并且可由具有低功函数的镁(mg)、钙(ca)、铝(al)、银(ag)或其合金形成。如果有机发光显示装置是顶部发射型或双发射型，则阴极220可以形成得足够薄，以便使光穿过。如果有机发光显示装置是底部发射型，则阴极220可以形成得足够厚，以便反射光。如上所述，本发明的化合物包含茚作为核，其提供承受热或沉积的过程稳定性，从而简化化合物的组成和沉积。而且，通过包含附接至核的吸电子取代基并使化合物的lumo能级相似于或低于空穴注入层的主体、p型电荷产生层的主体或空穴输送层的homo能级，本发明的化合物改善了空穴注入特性。因此，空穴注入层由本发明的化合物形成，以确保化合物的过程稳定性，简化有机发光显示装置的制造。而且，由于空穴注入特性的改善有助于促进空穴从阳极输送至发光层，故本发明的化合物可降低装置的工作电压并改善其效率和寿命。图2是显示本发明第二示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图。与第一示例性实施方式相同的要素由相同的附图标记表示，故下面将省略这些要素的描述，或简单描述这些要素。参照图2，本发明的有机发光显示装置100包括位于阳极110和阴极220之间的发光部st1和st2，以及位于发光部st1和st2之间的电荷产生层160。第一发光部st1包含第一发光层140。第一发光层140可发射红色(r)、绿色(g)或蓝色(b)的光，并且可由荧光或磷光材料形成。在此示例性实施方式中，第一发光层140可以是蓝光发射层。所述蓝光发射层包括蓝光发射层、深蓝光发射层和天蓝光发射层中的一种。作为另一种选择，第一发光层140可以由蓝光发射层和红光发射层、蓝光发射层和黄绿光发射层、或蓝光发射层和绿光发射层形成。如果第一发光层140是蓝光发射层，则其可发射440nm～480nm波长范围内的光。如果第一发光层140由蓝光发射层和红光发射层形成，则其可发射440nm～650nm波长范围内的光。如果第一发光层140由蓝光发射层和黄绿光发射层形成，则其可发射440nm～590nm波长范围内的光。如果第一发光层140由蓝光发射层和绿光发射层形成，则其可发射440nm～580nm波长范围内的光。第一发光部st1包括位于阳极110和第一发光层140之间的空穴注入层120和第一空穴输送层130，以及位于第一发光层140上的第一电子输送层150。因此，包含空穴注入层120、第一空穴输送层130、第一发光层140和第一电子输送层150的第一发光部st1形成在阳极110上。第一空穴输送层130可由与参照图1说明的空穴输送层130相同的材料形成，但不限于此。电荷产生层(cgl)160位于第一发光部st1和第二发光部st2之间。第一发光部st1和第二发光部st2通过电荷产生层160连接。电荷产生层160可以是通过联接n型电荷产生层160n和p型电荷产生层160p而形成的pn结电荷产生层。pn结电荷产生层160生成电荷，或将电荷(即，电子和空穴)分别注入发光层中。也就是，n型电荷产生层160n将电子输送至第一电子输送层150，并且第一电子输送层150将电子供应至与阳极相邻的第一发光层140。p型电荷产生层160p将空穴输送至第二空穴输送层180，并且第二空穴输送层180将空穴供应至第二发光部st2的第二发光层190。由此，可进一步提高第一发光层140和第二发光层190的发光效率，并可降低工作电压。n型电荷产生层160n可由金属或n掺杂的有机材料形成。金属可以是li、na、k、rb、cs、mg、ca、sr、ba、la、ce、sm、eu、tb、dy和yb中的一种。n掺杂的有机材料的n型掺杂剂和主体可以是常用材料。例如，n型掺杂剂可以是碱金属、碱金属化合物、碱土金属或碱土金属化合物。特别地，n型掺杂剂可以是li、cs、k、rb、mg、na、ca、sr、eu和yb中的一种。主体材料可以是具有20～60个碳原子的含氮原子杂环的有机物质，例如，alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、三嗪、羟基喹啉衍生物、吲哚衍生物和噻咯衍生物中的一种材料。p型电荷产生层160p可以由与上述第一示例性实施方式的空穴注入层120相同的材料形成。本发明的化合物包含茚作为核，其提供承受热或沉积的过程稳定性，从而简化化合物的组成和沉积。而且，通过包含附接至核的吸电子取代基并使化合物的lumo能级相似于或低于空穴输送层的homo能级，本发明的化合物改善了空穴注入特性。因此，p型电荷产生层由本发明的化合物形成，以确保化合物的过程稳定性，简化有机发光显示装置的制造。而且，由于空穴注入特性的改善有助于促进空穴从阳极输送至发光层，故本发明的化合物可降低装置的工作电压并改善其效率和寿命。包含第二空穴输送层180、第二发光层190、第二电子输送层200和电子注入层210的第二发光部st2形成在电荷产生层160之上。第二发光层190可发射红色(r)、绿色(g)、蓝色(b)或黄绿色(yg)的光，并且可由磷光材料或荧光材料形成。在此示例性实施方式中，第二发光层190可以是发射黄绿光的发光层。第二发光层190可具有黄绿光发射层或绿光发射层的单层结构，或由黄绿光发射层和绿光发射层形成的多层结构。第二发光层190包括黄绿光发射层；绿光发射层；或由下述层形成的多层结构：黄绿光发射层和绿光发射层、黄光发射层和红光发射层、绿光发射层和红光发射层、或黄绿光发射层和红光发射层。如果第二发光层190由黄绿光发射层、绿光发射层或者黄绿光发射层和绿光发射层形成，则其可发射510nm～590nm波长范围内的光。如果第二发光层190由黄光发射层和红光发射层、绿光发射层和红光发射层、或黄绿光发射层和红光发射层形成，则其可发射510nm～650nm波长范围内的光。此示例性实施方式通过将发射黄绿光的第二发光层190的单层结构作为实例来描述。第二发光层190可包含但不限于cbp(4,4'-二(咔唑-9-基)联苯)和balq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)中的至少一种主体以及发射黄绿光的磷光黄绿色掺杂剂。第二发光部st2包含位于电荷产生层160和第二发光层190之间的第二空穴输送层180，并且包含位于第二发光层190之上的第二电子输送层200和电子注入层210。第二空穴输送层180可由与参照图1说明的空穴输送层130相同的材料形成，但不限于此。因此，包含第二空穴输送层180、第二发光层190、第二电子输送层200和电子注入层210的第二发光部st2形成在电荷产生层160之上。阴极220设置在第二发光部st2之上以构成本发明第二示例性实施方式的有机发光显示装置。本发明的上述第二示例性实施方式公开了p型电荷产生层160p包含本发明的化合物。如在上述第一示例性实施方式中那样，本发明的化合物也可用作空穴注入层120。空穴注入层120和p型电荷产生层160p中的至少一个可包含本发明的化合物。如上所述，本发明的化合物包含茚作为核，其提供承受热或沉积的过程稳定性，从而简化化合物的组成和沉积。而且，通过包含附接至核的吸电子取代基并使化合物的lumo能级相似于或低于空穴注入层的主体、p型电荷产生层的主体或空穴输送层的homo能级，本发明的化合物改善了空穴注入特性。因此，空穴注入层和p型电荷产生层中的至少一个由本发明的化合物形成，以确保化合物的过程稳定性，简化有机发光显示装置的制造。而且，由于空穴注入特性的改善有助于促进空穴从阳极输送至发光层，故本发明的化合物可降低装置的工作电压并改善其效率和寿命。图3是显示本发明第三示例性实施方式的有机发光显示装置的截面图。与第一和第二示例性实施方式相同的要素由相同的附图标记表示，故下面将省略这些要素的描述，或简单描述这些要素。参照图3，本发明的有机发光显示装置100包括位于阳极110和阴极220之间的多个发光部st1、st2和st3，以及位于发光部st1、st2和st3之间的第一电荷产生层160和第二电荷产生层230。虽然本示例性实施方式通过阳极110和阴极220之间具有三个发光部的实例来阐明和描述，但本发明并不限于此实例，在阳极110和阴极220之间可有四个以上发光部。在所述发光部中，第一发光部st1包含第一发光层140。第一发光层140可以发射红色、绿色或蓝色中之一的光。例如，其在本示例性实施方式中可以是蓝光发射层。所述蓝光发射层包括蓝光发射层、深蓝光发射层或天蓝光发射层中的一种。作为另一种选择，第一发光层140可由蓝光发射层和红光发射层、蓝光发射层和黄绿光发射层、或蓝光发射层和绿光发射层形成。如果第一发光层140是蓝光发射层，则其可发射440nm～480nm波长范围内的光。如果第一发光层140由蓝光发射层和红光发射层形成，则其可发射440nm～650nm波长范围内的光。如果第一发光层140由蓝光发射层和黄绿光发射层形成，则其可发射440nm～590nm波长范围内的光。如果第一发光层140由蓝光发射层和绿光发射层形成，则其可发射440nm～580nm波长范围内的光。第一发光部st1包含位于阳极110和第一发光层140之间的空穴注入层120和第一空穴输送层130，以及位于第一发光层140上的第一电子输送层150。因此，包含空穴注入层120、第一空穴输送层130、第一发光层140和第一电子输送层150的第一发光部st1形成在阳极110之上。包含第二发光层190的第二发光部st2位于第一发光部st1之上。第二发光层190可以发射红色、绿色、蓝色和黄绿色中之一的光：例如，其在本示例性实施方式中可以是黄绿光发射层。第二发光层190包括黄绿光发射层；绿光发射层；或由下述层形成的多层结构：黄绿光发射层和绿光发射层、黄光发射层和红光发射层、绿光发射层和红光发射层、或黄绿光发射层和红光发射层。如果第二发光层190由黄绿光发射层、绿光发射层或者黄绿光发射层和绿光发射层形成，则其可发射510nm～590nm波长范围内的光。如果第二发光层190由黄光发射层和红光发射层、绿光发射层和红光发射层、或黄绿光发射层和红光发射层形成，则其可发射510nm～650nm波长范围内的光。第二发光部st2进一步包含位于第一发光部st1上的第二空穴输送层180，并且包含位于第二发光层190上的第二电子输送层200。因此，包含第二空穴输送层180、第二发光层190和第二电子输送层200的第二发光部st2形成在第一发光部st1之上。第一电荷产生层160位于第一发光部st1和第二发光部st2之间。第一电荷产生层160是通过联接n型电荷产生层160n和p型电荷产生层160p而形成的pn结电荷产生层。第一电荷产生层160生成电荷，或将电荷(即，电子和空穴)分别注入第一发光层140和第二发光层190中。包含第三发光层250的第三发光部st3位于第二发光部st2之上。第三发光层250可以发射红色、绿色或蓝色中之一的光，并由荧光材料形成。例如，其在本示例性实施方式中可以是蓝光发射层。所述蓝光发射层包括蓝光发射层、深蓝光发射层和天蓝光发射层中的一种。作为另一种选择，第三发光层250可以由蓝光发射层和红光发射层、蓝光发射层和黄绿光发射层、或蓝光发射层和绿光发射层形成。如果第三发光层250是蓝光发射层，则其可发射440nm～480nm波长范围内的光。如果第三发光层250由蓝光发射层和红光发射层形成，则其可发射440nm～650nm波长范围内的光。如果第三发光层250由蓝光发射层和黄绿光发射层形成，则其可发射440nm～590nm波长范围内的光。如果第三发光层250由蓝光发射层和绿光发射层形成，则其可发射440nm～580nm波长范围内的光。第三发光部st3进一步包含位于第二发光部st2之上的第三空穴输送层240，以及位于第三发光层250之上的第三电子输送层260和电子注入层210。因此，包含第三空穴输送层240、第三发光层250、第三电子输送层260和电子注入层210的第三发光部st3形成在第二发光部st2之上。根据装置的结构或特点，第三发光部st3的元件中可不包含电子注入层210。第二电荷产生层230位于第二发光部st2和第三发光部st3之间。第二电荷产生层230是通过联接n型电荷产生层230n和p型电荷产生层230p而形成的pn结电荷产生层。第二电荷产生层230生成电荷，或将电荷(即，电子和空穴)分别注入第二发光层190和第三发光层250中。阴极220设置在第三发光部st3之上以构成本发明第三示例性实施方式的有机发光显示装置。如在前述示例性实施方式的情况中一样，空穴注入层120、第一电荷产生层160的p型电荷产生层160p和第二电荷产生层230的p型电荷产生层230p中的至少一个由本发明的化合物形成。本发明的化合物包含茚作为核，其提供承受热或沉积的过程稳定性，从而简化化合物的组成和沉积。而且，通过包含附接至核的吸电子取代基并使化合物的lumo能级相似于或低于空穴注入层的主体、p型电荷产生层的主体或空穴输送层的homo能级，本发明的化合物改善了空穴注入特性。因此，空穴注入层和p型电荷产生层中的至少一个由本发明的化合物形成，以确保化合物的过程稳定性，简化有机发光显示装置的制造。而且，由于空穴注入特性的改善有助于促进空穴从阳极输送至发光层，故本发明的化合物可降低装置的工作电压并改善其效率和寿命。利用本发明第一至第三示例性实施方式的有机发光显示装置的有机发光显示器可包括顶部发射型显示器、底部发射型显示器、双发射型显示器和车辆照明设备。车辆照明设备可包括但不必限于前灯、远光灯、尾灯、刹车灯和倒车灯。而且，利用本发明第一至第三示例性实施方式的有机发光显示装置的有机发光显示器可应用于移动装置、平板电脑、监控器、智能手表、笔记本电脑、车辆显示器等。此外，这些有机发光显示器可应用于车辆显示器、可穿戴式显示器、折叠式显示器、卷轴式显示器等。另外，利用本发明第二示例性实施方式的有机发光显示装置的有机发光显示器可应用于其中第一发光层和第二发光层发射相同颜色光的显示器。另外，利用本发明第三示例性实施方式的有机发光显示装置的有机发光显示器可应用于其中第一发光层、第二发光层和第三发光层中的至少两个发射相同颜色光的显示器。图4和5是本发明的有机发光显示装置的能带图。参照图4，其示出了阳极110、空穴注入层120、空穴输送层130和发光层140。空穴注入层120可由包含本发明化合物的单一材料形成。空穴输送层130可由例如npd形成。由于空穴注入层120中化合物的lumo能级相似于或低于空穴输送层130的homo能级，电子从空穴输送层130的homo能级接收至该化合物的lumo能级，从而形成空穴输送路径。因此，空穴可从空穴注入层120经空穴注入层120和空穴输送层130之间的空穴输送路径(由箭头所示)平稳地注入空穴输送层130。参照图5，空穴注入层120可包含引入主体中的掺杂剂。因此，本发明的化合物发挥掺杂剂的作用。由于用作空穴注入层120的掺杂剂的该化合物的lumo能级相似于或低于主体的homo能级，电子从主体的homo能级接收至本发明化合物的lumo能级，从而形成空穴输送路径(由箭头所示)。因此，在空穴注入层120内，空穴可从空穴注入层120经主体的homo能级和本发明化合物的lumo能级之间的空穴输送路径平稳地注入空穴输送层130。结果，使用本发明化合物作为空穴注入层120的掺杂剂促进了空穴从空穴注入层120至空穴输送层130中的输送，使得工作电压降低。虽然通过举例用空穴注入层对图4和5进行了说明，但在用图2的p型电荷产生层160p替代空穴注入层120并用图2的第二空穴输送层170替代空穴输送层130时，也可同样适用。因此，参照图4，如果用图2的p型电荷产生层160p替代空穴注入层120，则p型电荷产生层160p可由包含本发明化合物的单一材料形成。另外，参照图5，p型电荷产生层160p可包含本发明的化合物作为掺杂剂。此外，在用图3的p型电荷产生层160p替代空穴注入层120并用图3的第二空穴输送层170替代空穴输送层130时，也可同样适用。因此，参照图4，如果用图3的p型电荷产生层160p替代空穴注入层120，则p型电荷产生层160p可由包含本发明化合物的单一材料形成。另外，参照图5，p型电荷产生层160p可包含本发明的化合物作为掺杂剂。另外，在用图3的p型电荷产生层230p替代空穴注入层120并用图3的第三空穴输送层240替代空穴输送层130时，也可同样适用。因此，参照图4，如果用图3的p型电荷产生层230p替代空穴注入层120，则p型电荷产生层230p可由包含本发明化合物的单一材料形成。另外，参照图5，p型电荷产生层230p可包含本发明的化合物作为掺杂剂。下文中，将详细描述本发明的化合物的合成实例。然而，以下实例仅用于示例，且本发明不限于此。化合物b31的合成1)1,5-双(氯甲基)-2,4-双(2-苯乙炔基)苯的制备将2-溴苯基乙腈(0.12mol)、双(三苯基膦)氯化钯(ii)(pdcl2(pph3)2)(2mmol)、碘化亚铜(cui)(2mmol)、三苯基膦(pph3)(4mmol)和二异丙胺(i-pr2nh)(0.1mol)放入250ml氮气氛下的双颈烧瓶中并在室温下搅拌5分钟，随后向混合物添加1,5-二溴苯基-2,4-二腈(0.05mol)并在50℃下搅拌24小时。通过用h2o/乙酸乙酯进行提取而获得有机层，将其在硫酸镁(mgso4)上干燥，并且随后进行柱层析，从而获得10.9g固体(产率：61％)。2)3,5-二氢-3,5-二氧-2,6-二苯基-对称引达省-1,7-二腈的制备将1,5-双(氯甲基)-2,4-双(2-苯乙炔基)苯(0.03mol)、氯化钯(ii)(pdcl2)(6.1mmol)、六氟锑酸银(agsbf6)(9.1mmol)和二苯亚砜(ph2so)(0.18mol)溶解在具有二氯乙烯(dce)的250ml双颈烧瓶中并在60℃下搅拌24小时，然后向混合物添加碳酸铯(cs2co3)(0.074mol)并搅拌12小时。在反应之后，通过用二氯甲烷(ch2cl2)进行提取获得提取物，在提取之后将其干燥，并且随后放入35盐酸％(hcl)中并搅拌2小时。通过用二氯甲烷/氯化铵(ch2cl2/水性nh4cl)溶液进行提取而获得有机层，将其在硫酸镁(mgso4)上干燥，并且随后进行柱层析，从而获得4.4g固体(产率：38％)。3)3,5-双(二氰基亚甲基)-3,5-二氢-2,6-二苯基-对称引达省-1,7-二腈的制备将3,5-二氢-3,5-二氧-2,6-二苯基-对称引达省-1,7-二腈(0.01mol)、丙二腈(0.062mol)和二氯甲烷(ch2cl2)放入100ml双颈烧瓶中并在氩气氛下搅拌30分钟。向混合物缓慢添加氯化钛(iv)(ticl4)(0.062mol)，然后添加吡啶(0.1mol)，并在室温下搅拌。通过用二氯甲烷/氯化铵(ch2cl2/水性nh4cl)溶液进行提取而获得有机层，将其在硫酸镁(mgso4)上干燥，并且随后进行柱层析，从而获得1.6g固体，即化合物b31(产率：32％)。中间体的合成1)1,5-双(氯甲基)-2,4-双(2-苯乙炔基)苯的制备将4-乙炔基苯甲腈(0.12mol)、双(三苯基膦)氯化钯(ii)(pdcl2(pph3)2)(2mmol)、碘化亚铜(cui)(2mmol)、三苯基膦(pph3)(4mmol)和二异丙胺(i-pr2nh)(0.1mol)放入250ml氮气氛下的双颈烧瓶中并在室温下搅拌5分钟，随后向混合物添加1,4-二溴苯基-2,5-二(氰基甲基)苯(0.05mol)并在50℃下搅拌24小时。通过用h2o/乙酸乙酯进行提取而获得有机层，将其在硫酸镁(mgso4)上干燥，并且随后进行柱层析，从而获得13.8g固体(产率：68％)。2)2,6-双(4-氰基苯基)-3,7-二氢-3,7-二氧-对称引达省-1,5-二腈的制备将1,4-双(氰基甲基)-2,5-双(2-(4-氰基苯基)乙炔基)苯(0.034mol)、氯化钯(ii)(pdcl2)(6.8mmol)、六氟锑酸银(agsbf6)(10.2mmol)和二苯亚砜(ph2so)(0.2mol)溶解在具有二氯乙烯(dce)的250ml双颈烧瓶中并在60℃下搅拌24小时。在反应之后，通过用二氯甲烷(ch2cl2)进行提取获得提取物，在提取之后将其干燥，并且随后放入35盐酸％(hcl)中并搅拌2小时。通过用二氯甲烷/氯化铵(ch2cl2/水性nh4cl)溶液进行提取而获得有机层，将其在硫酸镁(mgso4)上干燥，并且随后进行柱层析，从而获得5.9g固体，即中间体(产率：48％)。化合物a33的合成将2,6-双(4-氰基苯基)-3,7-二氢-3,7-二氧-对称引达省-1,5-二腈(13.6mmol)、丙二腈(0.082mol)和二氯甲烷(ch2cl2)放入100ml双颈烧瓶中并在氩气氛下搅拌30分钟。向混合物缓慢添加氯化钛(iv)(ticl4)(0.082mol)，然后添加吡啶(0.1mol)，并在室温下搅拌。反应后，通过用二氯甲烷/氯化铵(ch2cl2/水性nh4cl)溶液进行提取而获得有机层，将其在硫酸镁(mgso4)上干燥，并且随后进行柱层析，从而获得2.5g固体，即化合物a33(产率：35％)。化合物a62的合成将2,6-双(4-氰基苯基)-3,7-二氢-3,7-二氧-对称引达省-1,5-二腈(0.01mol)、5-(氰甲基)苯-1,3-二腈(0.06mol)和二氯甲烷(ch2cl2)放入100ml双颈烧瓶中并在氩气氛下搅拌30分钟。向混合物缓慢添加氯化钛(iv)(ticl4)(0.06mol)，然后添加吡啶(0.1mol)，并在室温下搅拌。通过用二氯甲烷/氯化铵(ch2cl2/水性nh4cl)溶液进行提取而获得有机层，将其在硫酸镁(mgso4)上干燥，并且随后进行柱层析，从而获得2.3g固体，即化合物a62(产率：31％)。化合物a63的合成将2,6-双(4-氰基苯基)-3,7-二氢-3,7-二氧-对称引达省-1,5-二腈(0.01mol)、2-(全氟吡啶-4-基)乙腈(0.06mol)和二氯甲烷(ch2cl2)放入100ml双颈烧瓶中并在氩气氛下搅拌30分钟。向混合物缓慢添加氯化钛(iv)(ticl4)(0.06mol)，然后添加吡啶(0.1mol)，并在室温下搅拌。反应后，通过用二氯甲烷/氯化铵(ch2cl2/水性nh4cl)溶液进行提取而获得有机层，将其在硫酸镁(mgso4)上干燥，并且随后进行柱层析，从而获得2.2g固体，即化合物a63(产率：28％)。下文将公开制造本发明的有机发光显示装置的实施例。应注意以下空穴注入层和p型电荷产生层的材料并不限制本发明的范围。试验1：单片式装置<实施例1>通过在基板上形成阳极、空穴注入层、空穴输送层、蓝光发射层、电子输送层、电子注入层和阴极而制造有机发光显示装置。此处，空穴注入层由化合物b31形成。在这些层沉积之后，将装置从沉积室转移至干燥箱中以便封装，并且随后用uv固化环氧树脂和吸湿剂进行封装。将由此获得的有机发光显示装置连接至外部电源，并在施加直流电压后获得表1中的结果。在室温下用恒流电源(keithley)和光度计(pr650)评估所有制造的装置的特性。<实施例2>其具有与上述实施例1相同的元件，并且空穴注入层由掺杂了10％化合物b31的npd形成。<实施例3>其具有与上述实施例1相同的元件，并且空穴注入层由化合物a33形成。<实施例4>其具有与上述实施例1相同的元件，并且空穴注入层由掺杂了10％化合物a33的npd形成。<实施例5>其具有与上述实施例1相同的元件，并且空穴注入层由化合物a62形成。<实施例6>其具有与上述实施例1相同的元件，并且空穴注入层由掺杂了10％化合物a62的npd形成。<实施例7>其具有与上述实施例1相同的元件，并且空穴注入层由化合物a63形成。<实施例8>其具有与上述实施例1相同的元件，并且空穴注入层由掺杂了10％化合物a63的npd形成。<比较例1>其具有与上述实施例1相同的元件，并且空穴注入层由hat-cn形成。<比较例2>其具有与上述实施例2相同的元件，并且空穴注入层由掺杂了10％hat-cn的npd形成。<比较例3>其具有与上述实施例2相同的元件，但没有空穴注入层。测量根据本发明的上述实施例1～8和比较例1、2和3制造的装置的工作电压、效率和外部量子效率并在下表1中示出(装置以10ma/cm2的驱动电流驱动以测量工作电压、效率和外部量子效率)。表1工作电压(v)效率(cd/a)外部量子效率(％)实施例14.24.04.5实施例24.14.44.9实施例33.94.55.2实施例43.84.55.2实施例54.04.35.0实施例64.04.45.1实施例74.14.25.0实施例84.04.45.0比较例14.24.14.7比较例26.03.03.9比较例36.81.82.3参照表1，空穴注入层包含本发明化合物b31的实施例1和将hat-cn用作空穴注入层的比较例1显示出相似水平的工作电压、效率和外部量子效率。相比于npd的空穴注入层掺杂有hat-cn的比较例2，npd的空穴注入层掺杂有本发明化合物b31的实施例2显示出工作电压降低1.9v，效率增加1.4cd/a，并且外部量子效率增加1.0％。相比于未形成空穴注入层的比较例3，本发明的实施例1显示出工作电压降低2.6v，效率增加2.2cd/a，并且外部量子效率增加2.2％，而实施例2显示出工作电压降低2.7v，效率增加2.6cd/a，并且外部量子效率增加2.6％。另外，相比于将hat-cn用作空穴注入层的比较例1，空穴注入层包含本发明化合物a33的实施例3显示出工作电压降低0.3v，效率增加0.4cd/a，并且外部量子效率增加0.5％。相比于npd的空穴注入层掺杂有hat-cn的比较例2，npd的空穴注入层掺杂有本发明化合物a33的实施例4显示出工作电压降低2.2v，效率增加1.5cd/a，并且外部量子效率增加1.3％。相比于未形成空穴注入层的比较例3，本发明的实施例3显示出工作电压降低2.9v，效率增加2.7cd/a，并且外部量子效率增加2.9％，而实施例4显示出工作电压降低3.0v，效率增加2.7cd/a，并且外部量子效率增加2.9％。另外，相比于将hat-cn用作空穴注入层的比较例1，空穴注入层包含本发明化合物a62的实施例5显示出工作电压降低0.2v，效率增加0.2cd/a，并且外部量子效率增加0.3％。相比于npd的空穴注入层掺杂有hat-cn的比较例2，npd的空穴注入层掺杂有本发明化合物a62的实施例6显示出工作电压降低2.0v，效率增加1.4cd/a，并且外部量子效率增加1.2％。相比于未形成空穴注入层的比较例3，本发明的实施例5显示出工作电压降低2.8v，效率增加2.5cd/a，并且外部量子效率增加2.7％，而实施例6显示出工作电压降低2.8v，效率增加2.6cd/a，并且外部量子效率增加2.8％。另外，相比于将hat-cn用作空穴注入层的比较例1，空穴注入层包含本发明化合物a63的实施例7显示出工作电压降低0.1v，效率增加0.1cd/a，并且外部量子效率增加0.3％。相比于npd的空穴注入层掺杂有hat-cn的比较例2，npd的空穴注入层掺杂有本发明化合物a63的实施例8显示出工作电压降低2.0v，效率增加1.4cd/a，并且外部量子效率增加1.1％。相比于未形成空穴注入层的比较例3，本发明的实施例7显示出工作电压降低2.7v，效率增加2.4cd/a，并且外部量子效率增加2.7％，而实施例8显示出工作电压降低2.8v，效率增加2.6cd/a，并且外部量子效率增加2.7％。从这些结果中可得出结论，相比于空穴注入层由公知材料形成的比较例1～3的有机发光显示装置，空穴注入层包含本发明化合物的实施例1～8的有机发光显示装置实现了工作电压降低以及效率和外部量子效率的改善。另外，空穴注入层可仅由本发明化合物形成，或该化合物可用作掺杂剂。试验2：具有多个发光部的装置<实施例9>通过在基板上形成以下元件而制造有机发光显示装置：包含空穴注入层、第一空穴输送层、荧光蓝光发射层和第一电子输送层的第一发光部；包含n型电荷产生层和p型电荷产生层的电荷产生层；包含第二电子注入层、荧光蓝光发射层、第二电子输送层和电子注入层的第二发光部；以及阴极。此处，空穴注入层和p型电荷产生层由化合物b31形成。在这些层沉积之后，将装置从沉积室转移至干燥箱中以便封装，并且随后用uv固化环氧树脂和吸湿剂进行封装。将由此获得的有机发光显示装置连接至外部电源，并在施加直流电压后获得表2中的结果。在室温下用恒流电源(keithley)和光度计(pr650)评估所有制造的装置的特性。此处，第一发光部和第二发光部中的发光层是蓝光发射层，但不限于此。<实施例10>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由掺杂了10％化合物b31的npd形成。<实施例11>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由化合物a33形成。<实施例12>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由掺杂了10％化合物a33的npd形成。<实施例13>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由化合物a62形成。<实施例14>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由掺杂了10％化合物a62的npd形成。<实施例15>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由化合物a63形成。<实施例16>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由掺杂了10％化合物a63的npd形成。<比较例4>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由hat-cn形成。<比较例5>其具有与上述实施例9相同的元件，并且空穴注入层和p型电荷产生层由掺杂了10％hat-cn的npd形成。<比较例6>其具有与上述实施例9相同的元件，但没有空穴注入层和p型电荷产生层。测量根据本发明上述的实施例9～16和比较例4、5和6制造的装置的工作电压、效率和外部量子效率并在下表2中示出(装置以10ma/cm2的驱动电流驱动以测量工作电压、效率和外部量子效率)。表2工作电压(v)效率(cd/a)外部量子效率(％)实施例99.25.36.4实施例108.66.57.5实施例118.27.28.3实施例128.17.28.3实施例138.46.77.8实施例148.56.77.7实施例158.56.77.7实施例168.46.87.8比较例49.15.46.6比较例513.54.55.1比较例6---参照表2，空穴注入层和p型电荷产生层包含本发明化合物b31的实施例9和将hat-cn用作空穴注入层和p型电荷产生层的比较例4显示出相似水平的工作电压、效率和外部量子效率。相比于npd的空穴注入层和p型电荷产生层掺杂有hat-cn的比较例5，npd的空穴注入层和p型电荷产生层掺杂有本发明化合物b31的实施例10显示出工作电压降低4.9v，效率增加2.0cd/a，并且外部量子效率增加2.4％。另外，相比于将hat-cn用作空穴注入层和p型电荷产生层的比较例4，空穴注入层和p型电荷产生层包含本发明化合物a33的实施例11显示出工作电压降低0.9v，效率增加1.8cd/a，并且外部量子效率增加1.7％。相比于npd的空穴注入层和p型电荷产生层掺杂有hat-cn的比较例5，npd的空穴注入层和p型电荷产生层掺杂有本发明化合物a33的实施例12显示出工作电压降低5.4v，效率增加2.7cd/a，并且外部量子效率增加3.2％。另外，相比于将hat-cn用作空穴注入层和p型电荷产生层的比较例4，空穴注入层和p型电荷产生层包含本发明化合物a62的实施例13显示出工作电压降低0.7v，效率增加1.3cd/a，并且外部量子效率增加1.2％。相比于npd的空穴注入层和p型电荷产生层掺杂有hat-cn的比较例5，npd的空穴注入层和p型电荷产生层掺杂有本发明化合物a62的实施例14显示出工作电压降低5.0v，效率增加2.2cd/a，并且外部量子效率增加2.6％。另外，相比于将hat-cn用作空穴注入层和p型电荷产生层的比较例4，空穴注入层和p型电荷产生层包含本发明化合物a63的实施例15显示出工作电压降低0.6v，效率增加1.3cd/a，并且外部量子效率增加1.1％。相比于npd的空穴注入层和p型电荷产生层掺杂有hat-cn的比较例5，npd的空穴注入层和p型电荷产生层掺杂有本发明化合物a63的实施例16显示出工作电压降低5.1v，效率增加2.3cd/a，并且外部量子效率增加2.7％。在未形成空穴注入层的比较例6中，装置无法被驱动。另外，空穴注入层和p型电荷产生层中的至少一个可仅由本发明的化合物形成，或者此化合物可用作掺杂剂。为了参考，在下表3中示出了公知化合物和本发明实施例使用的化合物的能级。能级利用dft(密度泛函理论)模拟计算。dft是电子结构计算方法之一。模拟中使用的函数(基组)为b3lyp/6-31g*，但不限于此。表3homo(ev)lumo(ev)npd-5.45-2.30hat-cn-9.55-6.07f4-tcnq-8.33-5.78b31-7.9-5.72参照表3可以发现，相比于已知为p型掺杂剂材料的hat-cn和f4-tcnq，本发明的化合物显示出更接近于-5.45ev的lumo能级，-5.45ev是用作空穴注入层或p型电荷产生层的主体的npd的homo能级。由此，本发明化合物的lumo能级相似于或低于空穴注入层或p型电荷产生层的主体的homo能级，其可导致空穴注入特性的改善。从这些结果中可得出结论，空穴注入层和p型电荷产生层包含本发明化合物的实施例9的有机发光显示装置几乎实现了与比较例4的有机发光显示装置相同水平的工作电压、效率和外部量子效率。另外，可得出结论，相比于比较例5的有机发光显示装置，空穴注入层和p型电荷产生层包含本发明化合物的实施例10的有机发光显示装置实现了工作电压降低4.9v，效率增加2.0cd/a，并且外部量子效率增加2.4％。如上所述，本发明的化合物包含茚作为核，其提供承受热或沉积的过程稳定性，从而简化化合物的组成和沉积。而且，通过包含附接至核的吸电子取代基并使化合物的lumo能级相似于或低于空穴注入层的主体、p型电荷产生层的主体或空穴输送层的homo能级，本发明的化合物改善了空穴注入特性。因此，空穴注入层和p型电荷产生层中的至少一个由本发明的化合物形成，以确保化合物的过程稳定性，简化有机发光显示装置的制造。而且，由于空穴注入特性的改善有助于促进空穴从阳极输送至发光层，故本发明的化合物可降低装置的工作电压并改善其效率和寿命。对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以对本发明的有机发光显示装置进行各种修改和变化，而不脱离本发明的精神和范围。因此，本发明意在涵盖本发明的修改和变化，只要它们在所附权利要求及其等同物的范围之内即可。当前第1页12