技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括:提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有钉扎层和掩膜层，所述掩膜层中形成有圆形开口图案；在所述圆形开口内自下而上依次形成嫁接层和嵌段共聚物材料层；对所述嵌段共聚物材料层进行自组装处理，以在所述开口的侧壁上形成依次设置的第二单体、第一单体和第二单体；去除所述第一单体，以在所述第二单体之间形成环形开口；以所述第二单体为掩膜，蚀刻所述钉扎层，以形成第一环形钉扎层和第二环形钉扎层，所述第一环形钉扎层和第二环形钉扎层之间形成有环形开口；在所述环形开口中形成依次设置的第一隧道阻挡层、自由转动磁性层和第二隧道阻挡层。根据本发明制得的微小尺寸环形垂直磁性隧道结，可以提高器件的集成密度，为高密度MRAM的开发提供了一条新的途径。
技术研发人员：宋以斌;张海洋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.10.18
技术公布日：2018.04.24