晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法与流程

文档序号:11730775阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
对超过300℃的高温热工序具有耐受性且能提高薄型晶片的生产性的晶片加工体,其在支撑体上形成暂时粘着材料层,在该暂时粘着材料层上积层有晶片,该晶片的表面具有电路面且背面需要加工,所述暂时粘着材料层具备包括以下三层结构的复合暂时粘着材料层:第一暂时粘着层,由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成,以能剥离的方式积层于所述晶片的表面;第二暂时粘着层,由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成,以能剥离的方式积层于该第一暂时粘着层;第三暂时粘着层,由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成,以能剥离的方式积层于该第二暂时粘着层,并以能剥离的方式积层于所述支撑体。

技术研发人员:田上昭平;菅生道博;安田浩之;田边正人
受保护的技术使用者:信越化学工业株式会社
技术研发日:2016.10.19
技术公布日:2017.07.14
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