专利名称：耐冲击的内存的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种内存，特别是涉及一种利用耐沖击挡条使印刷电路板 可以緩沖沖击力，能防止内存在摔落时电性断路导致产品失效，并且更具 有不容易受到外力碰撞与防止静电放电烧毁记忆体晶片可能的耐冲击的内 存。
背景技术：
在计算机主机、笔记型计算机等电子产品中，内存(memory,内存即记 忆体模组，以下均称为内存)是一关键零组件，可以重复插拔至主机板的内 存插槽(即记忆体插槽，以下均称为内存插槽)，以供计算机系统的运算使 用。目前高频内存，可包含单直列内存(SIMM, Single In-Line Memory Module)、双直列内存(DI画，Dual In-Line Memory Module)以及小型双 直列内存(SO-DI固，Small Outline Dual In-Line Memory Module)。在携 带、搬运与更换的过程中，内存会有不慎掉落至地面的可能，然而目前的 内存不甚耐摔，经常会有故障损坏的情形。
请参阅图1所示，是一种现有习知的内存的俯视示意图。该现有习知 的内存100,包含一多层印刷电路板110以及复数个记忆体(记忆体即存储 介质，存储器，内存等，以下均称为记忆体)封装件120。该多层印刷电路 板IIO，具有两个较长侧111与两个较短侧112;该些记忆体封装件120，设 置于该多层印刷电路板110。该多层印刷电路板110的一较长侧111,设有 复数个金手指113,并且该两个较短侧112各形成设有至少一圓弧形扣槽 114，以能电性接触并结合固定至内存插槽。
为确认现有习知内存100的耐摔抗震性，会进行一掉落试验(dr叩 test)。请参阅图2所示，是绘示现有习知的内存从高处依多种不同角度落 下进行掉落试验的示意图。现有习知的内存IOO设定于一预定高度H，如50 公分或100公分，并以不同角度呈自由落体落下并撞击到水泥地面10。之后 检测将经冲击试验之后的内存100是否功能仍是正常。然而目前习知的内 存100已知其耐摔性不良，不容易通过冲击试验，经研究发现其主要因素 是在该印刷电路板110与该些记忆体封装件120的接合界面发生断裂，而导 致电性断路。
请参阅图3所示，是绘示在掉落试验之后现有习知的内存的焊球断裂 处的局部截面示意图。通常该些记忆体封装件120是可为球栅阵列式(BGA)封装而包含有复数个焊球121,其是接合至其基板的球垫122且不被一防焊
层123覆盖。此外，该多层印刷电路板110是可设有复数个接球垫115且外 露于其表面防焊层116，以供该些焊球121接合。当自由落体落下时撞击到 该印刷电路板110的应力会传导至该些记忆体封装件120，造成焊球121在 球垫122的焊接界面产生断裂缝124,使得整个内存100产品无法运作。
由此可见，上述现有的内存在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺 陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽 心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般 产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的 问题。因此如何能创设一种新型结构的耐冲击的内存，实属当前重要研发 课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的内存存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计 制造多年丰富的实务经验及其专业知识，并配合学理的运用，积极加以研 究创新，以期创设一种新型结构的耐冲击的内存，能够改进一般现有的内 存，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改 进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的内存存在的缺陷，而提供一种新 型结构的耐沖击的内存，所要解决的技术问题是使其利用耐冲击挡条使印 刷电路板能够緩冲沖击力，而可防止内存在摔落时电性断路导致产品失效 的问题；并且更具有不容易受到外力碰撞与防止静电放电烧毁记忆体晶片 的可能。
本发明的另一目的在于，提供一种新型结构的耐冲击的内存，所要解 决的技术问题是使其利用耐冲击挡条的质量密度，能够避免过度增加内存 的总重量，而影响掉落试验的结果，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种耐沖击的内存，其包含 一多层印刷电路板，概呈矩形，其 具有两较长侧与两较短侧，其中一较长侧是设有复数个金手指，且该两较 短侧各形成设有至少一圆弧形扣槽；复数个记忆体封装件，其是至少设置 于该多层印刷电路板的其中一表面；以及复数个第一耐沖击挡条，其设置 于该多层印刷电路板的该表面且位于该两较短側的边缘，其中该些第一耐 冲击挡条是较高于该些记忆体封装件。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的耐冲击的内存，其中所述的该些记忆体封装件是可为球栅阵列 式(BGA)封装而包含有复数个焊球。
前述的耐冲击的内存，其中所述的多层印刷电路板是可设有复数个接 球垫，以供接合该些焊球。
前述的耐冲击的内存，其中所述的该些接球垫是可为非焊罩界定垫
(Non—Solder Mask Defined pad, NSMD)。
前述的耐冲击的内存，其中所述的该些第一耐冲击挡条的材料是可为 无电性连接功能的吸震物质。
前述的耐冲击的内存，其中所述的该些第一耐冲击挡条是可为玻璃纤 维布和树脂含浸而成的粘合胶条。
前述的耐冲击的内存，其中在同 一较短侧的该些第 一耐冲击挡条是可 为直线排列。
前述的耐冲击的内存，其中所述的多层印刷电路板在远离该些金手指
的另一较长侧是可形成设有至少一第二耐冲击挡条。
前述的耐冲击的内存，其中所述的内存是为双直列内存(DI画，Dual In—Line Memory Module)。
前述的耐冲击的内存，其中部分的该些记忆体封装件是可设置于该多 层印刷电路板的另一表面，并且部分的第一耐冲击挡条是设置于该另一表 面。
前述的耐冲击的内存，其中所述的该些第一耐冲击挡条的质量密度是 可不大于该多层印刷电路板的质量密度。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为了 达到上述目的，本发明提供了一种内存，主要包含一多层印刷电路板、复数 个记忆体封装件以及复数个第一耐冲击挡条。该多层印刷电路板是概呈矩 形而具有两较长侧与两较短侧，其中一较长侧是设有复数个金手指，且该 两较短侧各形成有至少 一 圓弧形扣槽。该些记忆体封装件是至少设置于该 多层印刷电路板的其中一表面。该些第一耐沖击挡条是设置于该多层印刷 电路板的该表面且位于该两较短侧的边缘，其中该些第一耐冲击挡条是较 高于该些记忆体封装件。
借由上述技术方案，本发明耐冲击的内存至少具有下列优点
1、 本发明利用耐冲击挡条使印刷电路板可緩冲冲击力，能够防止内存 在摔落时电性断路导致产品失效的问题；并且其更具有不容易受到外力碰 撞与防止静电放电烧毁记忆体晶片的可能。
2、 再者，本发明利用耐冲击挡条的质量密度，能够避免过度增加内存 的总重量，而影响掉落试验的结果，从而更加适于实用。
综上所述，本发明是有关于一种耐冲击的内存，主要包含一多层印刷 电路板、复数个记忆体封装件以及复数个第一耐冲击挡条。该多层印刷电 路的 一较长侧设有复数个金手指。该些第 一耐沖击挡条是设置于该多层印
刷电路板的一表面且位于该两较短侧的边缘，其中该些第 一耐沖击挡条是 较高于该些记忆体封装件。较佳地，远离该些金手指的另一较长侧是形成 设有至少一第二耐冲击挡条。本发明利用第一耐冲击挡条或/及第二耐沖击 挡条可以緩沖沖击力，而能够防止该内存在不慎摔落时发生产品失效的问 题。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆 有较大改进,在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现 有的内存具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利 用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细说明如下。
图1是一种现有习知的内存的俯视示意图。
图2是绘示现有习知的内存从高处依多种不同角度落下进行掉落试验 的示意图。
图3是绘示在掉落试验之后现有习知内存的焊球断裂处的局部截面示 意图。
图4是依据本发明的第一具体实施例， 一种内存的俯视示意图。 图5是依据本发明的第 一具体实施例，该内存的侧视示意图。 图6是依据本发明的第 一具体实施例，该内存依其中 一记忆体封装件的 局部截面示意图。
图7是依据本发明的第二具体实施例，另 一种内存的俯视示意图。
10地面H高度
100内存(记忆体模组)110多层印刷电路板
111较长侧112较短侧
113金手指114扣槽
115接球垫116防焊层
120记忆体封装件121焊球
122球垫123防焊层
124断裂缝200内存
210多层印刷电路板211较长侧
212较短侧213金手指
214扣槽215上表面
216下表面217接球垫
218防焊层220:记忆体封装件
221焊球222:晶片
223基板224:焊线
225封胶体226:粘晶层
227焊梦228:球垫
229防'焊层230:第一耐沖击挡条
240第二耐冲击挡条300:内存
310多层印刷电路板311:较长侧
312较短侧313:金手指
314扣槽320:记忆体封装件
330耐冲击挡条
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的耐冲击的内存其具体 实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
依据本发明的第一具体实施例，揭示一种耐冲击的内存。请参阅图4 至图6所示，图4是该内存的俯视示意图，图5是该内存的侧视示意图，图 6是该内存依其中一记忆体封装件的局部截面示意图。该内存200,主要包 含一多层印刷电路板210、复数个记忆体封装件220以及复数个第一耐冲击 挡条230。其另外还可以包含有适当数量的电容电阻等被动元件(图中未绘 出)；其中
上述的多层印刷电路板210,是概呈矩形，而具有两较长侧211与两较 短侧212,其中一较长侧211是设有复数个金手指213，以供插接至计算机 或笔记型计算机主机板的内存插槽(图中未绘出)，且该两较短侧212各形 成设有至少一圆弧形扣槽214。其中，该些圓弧形扣槽214是可供内存插槽 的两侧扣件加以扣接，以使该内存200固定在对应的内存插槽而为不可脱 出。
此外，该多层印刷电路板210是具有一上表面215与一下表面216。在 本实施例中，该内存200是可为适用于笔记型计算机的小型双直列内存 (SO-D腿，Small Outline Dual In-Line Memory Module)，在该上表面215 与该下表面216的同一侧边各形成设有复数个双面且电性独立的金手指 213。
上述的该些记忆体封装件220，是至少设置于该多层印刷电路板210的 其中一表面，例如可以设置于该多层印刷电路板210的上表面215或下表 面216,或是上下表面215、 216皆设置有记忆体封装件220。请参阅图5
及图6所示，除了上表面215，部分的该些记忆体封装件22 0亦可设置于该
多层印刷电路板210的下表面216,并且部分的第一耐沖击挡条230是设置 于该下表面216。
请参阅图6所示，在本实施例中，该些记忆体封装件220是可为球栅 阵列式(BGA, Ball Grid Array)而包含有复数个焊球221。该些记忆体封装 件220的封装架构是可为微间距球栅阵列封装(fine pitch BGA)，或可称之 为窗口型球栅阵列封装(window BGA)，其内封设有一记忆体晶片222，通常其 是为动态随机存取的记忆体晶片，以组成DDR2 (双倍资料传输率2) 、DDR3 (双 倍资料传输率3) 、 Rambus等记忆体封装产品。
每一记忆体封装件220，可另包含一供电性讯号转接的基板223、复数 个供内部电性互连的焊线224与一电绝缘性的封胶体225。该晶片222是以 一粘晶层226贴设于基板223上，但是该晶片222的焊垫227是不可被该 基板223遮盖，利用该些焊线224通过该基板223的一槽孔，以将该晶片 222的焊垫227电性连接至该基板223，并以该封胶体225密封该晶片222 与该些焊线224。
而该些焊球221，则接合在该基板223的另一表面的球垫228。其中该 些球垫228是外露于该基板223同一表面的防焊层229。通常该些球垫228 可为焊罩界定垫(Solder Mask Defined pad, SMD)或是非焊罩界定垫 (Non-Solder Mask Defined pad, NSMD)。所谓"焊罩界定垫"是指该些球 垫228的周边是被该防焊层229覆盖，以圆形垫为例，即指该防焊层229 的开口直径小于该些球垫228的直径；相对地，所谓"非焊罩界定垫"是 指该些球垫228的周边是不被该防焊层229覆盖，指该防焊层229的开口 直径应大于该些球垫228的直径。
请再参阅图6所示，该多层印刷电路板210是可以设有复数个接球垫 217，以供接合该些焊球221。较佳地，该些接球垫217是为非焊罩界定垫 (NSMD),即该些接球垫217的外侧壁是不被该多层印刷电路板210的防焊 层218覆盖与界定，藉以能够增加与对应的该些焊球221的接合力，可以 减少该些接球垫217与该些焊球221的焊接界面发生断裂的可能。但非限 定地，该些接球垫217亦可为焊罩界定垫(SMD)。
上述的该些第一耐冲击挡条230,是设置于该多层印刷电路板210的该 表面215、 216且位于该两较短侧212的边缘，其中该些第一耐冲击挡条 2 3 0是较高于该些记忆体封装件2 2 0 ，当该内存2 0 0在不慎摔落或做掉落试 验时，以该些第一耐冲击挡条230碰撞地面，能够避免该些记忆体封装件 220直接碰撞地面，可以大幅降低直接传导至该些记忆体封装件220的冲击 应力，因此，该些焊球221与该些球垫228的接合界面不容易产生断裂，明 显具有耐冲击的功效。
在本实施例中，在同一丰支短侧212的该些第一耐冲击挡条230是可为 直线排列。该些第一耐冲击挡条230的材料是可为无电性连接功能的吸震 物质，例如珪胶条、橡胶条、聚亚酰胺胶条或三。秦树脂(BT resin)树脂胶 条。该些第一耐沖击挡条230亦可为玻璃纤维布和树脂含浸而成的粘合胶 条，例如氟树脂(FR-3与FR-4)。较佳地，该些第一耐冲击挡条230的质量 密度是可不大于该多层印刷电路板210的质量密度，可以避免过度增加内 存200的总重量，而影响掉落试验结果。在本实施例中，该多层印刷电路 板210在远离该些金手指213的另一较长侧211是可形成设有至少一第二 耐冲击挡条240。
此外，当该内存200尚未插接在一内存插槽时，可平放在一桌面或任意 物品等承载物，以该些第一耐冲击挡条230与/或该第二耐冲击挡条240接 触之，而该些记忆体封装件220将为悬空，不容易受到外力碰撞。再者，使 用者在拿取该内存200时抓起电绝缘性的该些第一耐冲击挡条230与/或该 第二耐冲击挡条240即可，不会直接碰触至该些记忆体封装件220,而可以 大幅降低静电放电导致晶片烧毁的可能。
在本发明的第二具体实施例中，揭示了另 一种耐冲击的内存，可适用于 桌上型计算机的内存，例如DDR400 (双倍资料传输率400MHz) 、 DDR2-533 (双 倍资料传输率2且533MHz)、 DDR2-667 (双倍资料传输率2且667MHz)与 DDR2-800 (双倍资料传输率2且800MHz)等规格。
请参阅图7所示，是依据本发明的第二具体实施例，另一种内存的俯视 示意图。该内存300，主要包含一多层印刷电路板310、复数个记忆体封装 件320以及复数个耐冲击挡条330;其中
该多层印刷电路板310,是概呈矩形而具有两较长侧311与两较短侧 312，其中一较长侧311是设有复数个金手指313,且该两较短侧312各形成 设有至少一圆弧形扣槽314。
该些记忆体封装件320，是至少设置于该多层印刷电路板310的其中一 表面。该些记忆体封装件320是可置于该多层印刷电路板的单一表面或上 下表面。
该些耐冲击挡条330,是设置于该多层印刷电路板的该表面且位于该两 较短侧312的边缘，其中该些耐冲击挡条330是较高于该些记忆体封装件 320。在本实施例中，该些耐冲击挡条330是可为一体连接的L形，而可以 加强抗震性，防止该多层印刷电路板310与该些记忆体封装件320的接合 界面产生断裂，明显具有耐冲击的功效。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利
用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围 内。
权利要求
1、一种耐冲击的内存，其特征在于其包含一多层印刷电路板，概呈矩形，其具有两较长侧与两较短侧，其中一较长侧是设有复数个金手指，且该两较短侧各形成设有至少一圆弧形扣槽；复数个记忆体封装件，其是至少设置于该多层印刷电路板的其中一表面；以及复数个第一耐冲击挡条，其设置于该多层印刷电路板的该表面且位于该两较短侧的边缘，其中该些第一耐冲击挡条是较高于该些记忆体封装件。
2、 根据权利要求1所述的耐沖击的内存，其特征在于其中所述的该些 记忆体封装件是为球栅阵列式封装而包含有复数个焊球。
3、 根据权利要求2所述的耐沖击的内存，其特征在于其中所述的多层 印刷电路板是设有复数个接球垫，以供接合该些焊球。
4、 根据权利要求3所述的耐冲击的内存，其特征在于其中所述的该些 接球垫是非焊罩界定垫。
5、 根据权利要求1所述的耐冲击的内存，其特征在于其中所述的该些 第 一耐沖击挡条的材料是为无电性连接功能的吸震物质。
6、 根据权利要求1所述的耐冲击的内存，其特征在于其中所述的该些 第一耐冲击挡条是为玻璃纤维布和树脂含浸而成的粘合胶条。
7、 根据权利要求1所述的耐沖击的内存，其特征在于其中在同一较短 侧的该些第 一耐冲击挡条是为直线排列。
8、 根据权利要求l所述的耐冲击的内存，其特征在于其中所述的多层 印刷电路板在远离该些金手指的另一较长側是形成设有至少一第二耐沖击 挡条。
9、 根据权利要求l所述的耐冲击的内存，其特征在于其中所述的内存 是为双直列内存。
10、 根据权利要求1所述的耐冲击的内存，其特征在于其中部分的该 些记忆体封装件是设置于该多层印刷电路板的另 一表面，并且部分的第一 耐沖击挡条是设置于该另一表面。
11、 根据权利要求1所述的耐沖击的内存，其特征在于其中所述的该 些第一耐冲击挡条的质量密度是不大于该多层印刷电路板的质量密度。
全文摘要
本发明是有关于一种耐冲击的内存，主要包含一多层印刷电路板、复数个记忆体封装件以及复数个第一耐冲击挡条。该多层印刷电路的一较长侧设有复数个金手指。该些第一耐冲击挡条是设置于该多层印刷电路板的一表面且位于该两较短侧的边缘，其中该些第一耐冲击挡条是较高于该些记忆体封装件。较佳地，远离该些金手指的另一较长侧是形成设有至少一第二耐冲击挡条。本发明利用第一耐冲击挡条或/及第二耐冲击挡条可以缓冲冲击力，能够防止该内存在不慎摔落时发生产品失效的问题。
文档编号G11C5/00GK101192442SQ200610145948
公开日2008年6月4日 申请日期2006年11月28日 优先权日2006年11月28日
发明者范文正 申请人:力成科技股份有限公司