半导体封装的制作方法

本揭露的多个实施方式是关于一种半导体封装技术。

背景技术：

在半导体产业中，通过不断地缩小最小特征尺寸以允许较多元件被整合至一预定区域内，多种电子元件(例如：晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度持续地被提升。在一些应用中，较小的电子元件亦需要较小的封装，以使用相较以往封装的较小的区域。因此，像是晶圆级封装等封装已开始蓬勃发展，其中集成电路是设置于具有布线的载体上，使得集成电路与其他电子元件连接。在晶圆级封装制程中，晶粒是附着在载体上，且封胶物是形成在晶粒上。

技术实现要素：

依据本揭露的部分实施方式，半导体封装包含至少一第一半导体元件、第一封胶物、介电层、至少一导电特征与至少一补偿结构。第一封胶物是设置于第一半导体元件的至少一侧壁上。介电层是设置于第一封胶物与第一半导体元件上。导电特征是至少部分地设置于介电层中，且电性连接第一半导体元件。补偿结构是至少部分地设置于介电层中，且补偿结构是一体成形地连接第一封胶物。

附图说明

阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的多个样态。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。

图1～18为依据本揭露的部分实施方式于形成半导体封装的示意图；

图19为依据本揭露的部分实施方式的半导体封装的剖面示意图；

图20为图19的上视图，其中并未绘示位于半导体元件之上的介电层、重分布层与外连接器；

图21为依据本揭露的部分实施方式的半导体封装的剖面示意图；

图22为图21的上视图，其中并未绘示位于半导体元件之上的介电层、重分布层与外连接器；

图23为依据本揭露的部分实施方式的半导体封装的剖面示意图；

图24为图23的上视图，其中并未绘示位于半导体元件之上的介电层、重分布层与外连接器。

具体实施方式

以下将以附图及详细说明清楚说明本揭露的精神，任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本揭露的实施方式后，当可由本揭露所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本揭露的精神与范围。举例而言，叙述“第一特征形成于第二特征上方或上”，于实施方式中将包含第一特征及第二特征具有直接接触；且也将包含第一特征和第二特征为非直接接触，具有额外的特征形成于第一特征和第二特征之间。此外，本揭露在多个实施方式中将重复使用元件标号以及/或文字。重复的目的在于简化与厘清，而其本身并不会决定多个实施方式以及/或所讨论的设置之间的关系。

此外，方位相对词汇，如“在…之下”、“下面”、“下”、“上方”或“上”或类似词汇，在本文中为用来便于描述绘示于附图中的一个元件或特征至此外的元件或特征的关系。方位相对词汇除了用来描述装置在附图中的方位外，其包含装置于使用或操作下的不同的方位。当装置被此外设置(旋转90度或者其他面向的方位)，本文所用的方位相对词汇同样可相应地进行解释。

图1至图18为依据本揭露的部分实施方式于形成半导体封装的示意图。如图1所示，附着层902是位于承载晶圆w上。于部分实施方式中，承载晶圆w可为空白玻璃载具、空白陶瓷载具、或诸如此类的材料。于部分实施方式中，承载晶圆w可包含硅、锗、玻璃、三-五族化合物、或其他材料。附着层902可为附着剂，例如：紫外线胶(ultra-violetglue；uvglue)、光热转换胶(light-to-heatglue；lthc)、或诸如此类的材料，亦可使用其他类型的附着剂。缓冲层901是形成于附着层902上。缓冲层901可为介电层，且介电层可为包含聚合物的聚合物层。举例而言，聚合物可为聚酰亚胺(polyimide)、聚苯并恶唑(polybenzoxazole；pbo)、苯并环丁烯(benzocyclobutene；bcb)、味之素堆积膜(ajinomotobuildupfilm；abf)、阻焊膜(solderresistfilm；sr)、或诸如此类的材料。缓冲层901可为具有均匀厚度的平坦层，其中平坦层的厚度可大于2微米，且可介于2微米至40微米之间。缓冲层901的上表面与下表面亦是平坦的。至少一第一半导体元件100是通过第一晶粒附着膜(dieattachfilm；daf)daf1附着于缓冲层901。可使用夹持与放置设备以放置第一半导体元件100于缓冲层901的预定位置上。于部分实施方式中，第一半导体元件100可为晶粒，此晶粒具有导电层，其可形成接触焊垫120，且此接触焊垫120是位于第一半导体元件100的上表面上且可通过图案化制程与沉积制程形成。第一半导体元件100可具有多个接触焊垫120。接触焊垫120的材料可为铝、铜、锡、镍、金、银、或其他导电材料。接触焊垫120的沉积可使用电解电镀(electrolyticplating)制程、或无电解电镀(electrolessplating)制程。图1所绘示的接触焊垫120的尺寸、形状与位置仅是用以说明，不应以此限制本揭露。第一半导体元件100的接触焊垫120可具有与图1的相似尺寸或不同尺寸。

如图2所示，第一半导体元件100是被第一封胶物200以压膜制程所包覆成型。于部分实施方式中，第一封胶物200可为聚合物基(polymer-based)材料。在此，“聚合物”可表示热固性(thermosetting)聚合物、热塑性(thermoplastic)聚合物、或及其混合物。举例而言，聚合基材料可包含塑料材料、环氧树脂(epoxyresin)、聚酰亚胺(polyimide)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate；pet)、聚氯乙烯(polyvinylchloride；pvc)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate；pmma)、掺杂有特定填料包含纤维、粘土、陶瓷、或无机颗粒的聚合物、或及其任意组合。在其他实施方式中，第一封胶物200可为环氧树脂，像是环氧甲酚酚醛清漆(epoxycresolnovolac；ecn)、联苯环氧树脂(biphenylepoxyresin)、多官能基液态环氧树脂(multifunctionalliquidepoxyresin)、或及其任意组合。在其他实施方式中，第一封胶物200可为包含一或多个填料的环氧树脂以提供具有多种期望特性的组合物。举例而言，填料可为铝、二氧化钛、碳黑(carbonblack)、碳酸钙(calciumcarbonate)、高岭土(kaolinclay)、云母(mica)、二氧化硅(silica)、滑石(talc)、木粉(woodflour)、或及其任意组合。

如图3所示，位于第一半导体元件100上的第一封胶物200的一部分是被移除，使得位于第一半导体元件100的上表面的接触焊垫120是被暴露的。第一封胶物200的移除部分是通过磨削(grinding)制程或化学机械研磨(cmp)制程等执行。在移除位于第一半导体元件100上的第一封胶物200的一部分之后，第一封胶物200是形成在第一半导体元件100的至少一侧壁上。于部分实施方式中，第一半导体元件100是被第一封胶物200所围绕。如图4所示，图4为图3的上视图。第一半导体元件100具有相邻的第一侧壁102与第二侧壁104，且第一封胶物200的多个封胶部分是分别位于第一侧壁102与第二侧壁104上。于部分实施方式中，分别位于第一侧壁102与第二侧壁104上的封胶部分具有不等宽度。举例而言，第一封胶物200的封胶部分包含至少一窄封胶部分210与至少一宽封胶部分220。窄封胶部分210是位于第一侧壁102上，且宽封胶部分220是位于第二侧壁104上。窄封胶部分210比宽封胶部分220窄。换句话说，窄封胶部分210与宽封胶部分220个别包含边缘212与222，边缘212与222是远离第一半导体元件100，且从窄封胶部分210的边缘212至第一半导体元件100的第一侧壁102的距离是小于从宽封胶部分220的边缘222的第一半导体元件100的第二侧壁104的距离。因此，窄封胶部分210比宽封胶部分220窄。

如图5所示，至少一第一介电层400是形成于第一半导体元件100与第一封胶物200上。至少一导电特征，例如第一重分布层rdl1，是形成于第一介电层400中以电性连接第一半导体元件100的接触焊垫120。于部分实施方式中，第一介电层400与第一封胶物200(包含窄封胶部分210与宽封胶部分220)是由不同材料所形成。于部分实施方式中，第一介电层400可包含至少一介电材料，例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介电常数的介电材料、超低介电常数的介电材料、一或多个介电材料、或及其任意组合。于部分实施方式中，第一重分布层rdl1可包含通孔插塞(viaplug)、接触插塞(contactplug)、镶嵌结构、双镶嵌结构、金属区域、金属线、或及其任意组合。穿孔插塞、接触插塞、镶嵌结构、双镶嵌结构、金属区域或金属线的材料可包含至少一导电材料，例如：钨、铝、铜、钛、钽、氮化钛、氮化钽、硅化镍、硅化钴、其他适当导电材料、或及其任意组合。于部分实施方式中，具有多个第一介电层400与多个第一重分布层rdl1。每一第一重分布层rdl1可被两个第一介电层400夹在中间。

如图5所示，至少一凹陷特征r是形成于第一介电层400中。于部分实施方式中，在第一介电层400中形成第一重分布层rdl1包含在第一介电层400中形成至少一孔洞，并接着在至少部分孔洞中形成导电材料以成为第一重分布层rdl1。凹陷特征r与孔洞是使用相同黄光步骤形成。在形成导电材料之前，至少一光阻层是形成以覆盖凹陷特征r，因此，导电材料并不会形成于凹陷特征r中。在形成导电材料之后，光阻层是被移除。于部分实施方式中，当具有多层第一介电层400时，多个开口是分别形成于这些第一介电层400中且互相连通以形成凹陷特征r。

如图6所示，晶种层510是形成于第一介电层400上与凹陷特征r中，举例而言，通过物理气相沉积、或金属箔层压(metalfoillaminating)。晶种层510可包含铜、铜合金、铝、钛、钛合金、或及其任意组合。于部分实施方式中，晶种层510可包含钛层与位于钛层之上的铜层。在其他实施方式中，晶种层510可为铜层。

如图7所示，光阻520是施加于晶种层510上，且随后是被图案化。因此，开孔530是形成于光阻520中，而暴露晶种层510的一部分。

如图8所示，导电特征540是通过电镀，例如：电解电镀或无电解电镀，而形成于光阻520的开孔530中。导电特征540是电镀于晶种层510的一部分，且此部分是通过开孔530暴露。导电特征540可包含铜、铝、钨、镍、焊锡、或及其合金。导电特征540于上视图的形状可为长方形、方形、圆形、或诸如此类的形状。导电特征540的高度是依后续放置的半导体元件600的厚度(如图11所示)所决定的，于部分实施方式中，导电特征540的高度是大于半导体元件600的厚度。在电镀导电特征540之后，光阻520是被移除，最终结构如图9所示。在光阻520被移除后，先前被光阻520所覆盖的晶种层510的一部分是被暴露。

如图10所示，蚀刻制程是被执行以移除晶种层510的暴露的部分，且相对于第一介电层400，此蚀刻对晶种层510是高选择性的。换句话说，在不过度伤害第一介电层400的前提下，位于凹陷特征r的晶种层510的一部分可被移除。另一方面，导电特征540所重叠的部分晶种层510并未被蚀刻。如前所述，导电特征540与保留于导电特征540下方的部分晶种层510可共同称为集成的扇出通孔(throughinfovias；tivs)550。虽然晶种层510可视为与导电特征540分离的一层，但当形成晶种层510的材料类似或相同于其上的导电特征540时，晶种层510可与导电特征540融合且两者之间不存在可区别的交界。在其他实施方式中，晶种层510与其上的导电特征540之间存在可区别的交界。如图11所示，第二半导体元件600是通过第二晶粒附着膜daf2附着于第一介电层400。可使用夹持与放置设备以放置第二半导体元件600于第一介电层400的预定位置上。于部分实施方式中，如图12所示，且图12为图11的上视图，在放置第二半导体元件600之后，第一介电层400可具有第二半导体元件600所暴露的至少一窄介电部分410与至少一宽介电部分420。换句话说，窄介电部分410与宽介电部分420是未被第二半导体元件600覆盖，且窄介电部分410比宽介电部分420窄。更详细地说，第二半导体元件600具有相邻的第一侧壁602与第二侧壁604。窄介电部分410是邻近第一侧壁602，且宽介电部分420是邻近第二侧壁604。窄介电部分410与宽介电部分420分别包含边缘412与边缘422，边缘412与边缘422是远离第二半导体元件600，窄介电部分410的边缘412至第二半导体元件600的第一侧壁602的距离是小于宽介电部分420的边缘422至第二半导体元件600的第二侧壁604的距离。因此，窄介电部分410是窄于宽介电部分420。

如图12所示，凹陷特征r是形成于窄介电部分410中，且不存在于宽介电部分420。于部分实施方式中，凹陷特征r为一通孔，且通孔是贯穿第一介电层400且暴露其下的第一封胶物200，特别是窄封胶部分210(如图4所示)。于部分实施方式中，多个凹陷特征r可沿着窄介电部分410的长度方向l1设置。于部分实施方式中，多个凹陷特征r可沿着窄介电部分410的宽度方向w1设置。部分实施方式中，多个凹陷特征r可排列成阵列图案。

于部分实施方式中，第二半导体元件600可为晶粒，此晶粒具有导电层以形成接触焊垫620，且接触焊垫620是位于第二半导体元件600的上表面上且可通过图案化制程与沉积制程形成。第二半导体元件600可具有多个接触焊垫620。接触焊垫620的材料可为铝、铜、锡、镍、金、银、或其他导电材料。接触焊垫620的沉积可使用电解电镀(electrolyticplating)制程、或无电解电镀(electrolessplating)制程。图11所绘示的接触焊垫620的尺寸、形状与位置仅是用以说明，不应以此限制本揭露。第二半导体元件600的接触焊垫620可具有与图11的相似尺寸或不同尺寸。

如图13所示，第二半导体元件600与扇出通孔550被第二封胶物700以压膜制程所包覆成型。第二封胶物700填满位于第二半导体元件600与扇出通孔550之间的间隙。通过此成型制程，第二封胶物700的至少一部分是形成于凹陷特征r中以作为补偿结构300。换句话说，位于第一介电层400中的补偿结构300是一体成形地连接第二封胶物700。换句话说，补偿结构300与第二封胶物700可一体成形或单件成形(one-pieceformed)。

参照图4与图13。因为窄封胶部分210是窄于宽封胶部分220，故窄封胶部分210的体积是小于宽封胶部分220的体积。如此一来，在形成第一封胶物200的过程中，窄封胶部分210的收缩是小于宽封胶部分220的收缩，因此导致半导体封装的不对称的翘曲。于部分实施方式中，补偿结构300是位于窄封胶部分210，且补偿结构300是由第二封胶物700所形成。因此，在形成第二封胶物700的过程中，位于窄封胶部分210的补偿结构300可增加窄封胶部分210于其收缩方向的收缩，从而减少半导体封装的不对称的翘曲。

于部分实施方式中，补偿结构300是不位于宽封胶部分220上。换句话说，位于窄封胶部分210上的补偿结构300并未延伸至宽封胶部分220。因此，补偿结构300并未增加宽封胶部分220于其收缩方向的收缩，从而帮助减少宽封胶部分220与窄封胶部分210之间的收缩差异。于部分实施方式中，补偿结构300可为一从窄封胶部分210突出的突出部，从而帮助减少窄封胶部分210与宽封胶部分220之间的收缩差异所引起的不对称翘曲。

如图14所示，图14为图13的上视图。第二封胶物700包含至少一窄封胶部分710与至少一宽封胶部分720。窄封胶部分710是位于第二半导体元件600的第一侧壁602上，且宽封胶部分720是位于第二半导体元件600的第二侧壁604上。窄封胶部分710比宽封胶部分720窄。换句话说，窄封胶部分710与宽封胶部分720可分别包含边缘712与边缘722，且边缘712与边缘722是远离第二半导体元件600，且窄封胶部分710的边缘712至第一侧壁602的距离是小于宽封胶部分720的边缘722至第二侧壁604的距离。因此，窄封胶部分710是窄于宽封胶部分720。

如图14所示，因为窄封胶部分710是窄于宽封胶部分720，故窄封胶部分710的体积是小于宽封胶部分720的体积。如此一来，在第二封胶物700的形成过程中，窄封胶部分710的收缩是小于宽封胶部分720的收缩，因此导致半导体封装的不对称的翘曲。于部分实施方式中，补偿结构300是连接于窄封胶部分710，且补偿结构300与窄封胶部分710是由相同的第二封胶物700所形成。因此，在形成第二封胶物700的过程中，一体成形地连接窄封胶部分710的补偿结构300可增加窄封胶部分710于其收缩方向的收缩，从而减少半导体封装的不对称的翘曲。

于部分实施方式中，补偿结构300是不位于宽封胶部分720。换句话说，位于窄封胶部分710上的补偿结构300并不延伸至宽封胶部分720。因此，补偿结构300并未增加宽封胶部分720于其收缩方向的收缩，从而帮助减少宽封胶部分720与窄封胶部分710之间的收缩差异。于部分实施方式中，补偿结构300可为一从窄封胶部分710突出的突出部，从而帮助减少窄封胶部分710与宽封胶部分720之间的收缩差异所引起的不对称翘曲。

于部分实施方式中，第二封胶物700与补偿结构300可为聚合物基(polymer-based)材料。在此，“聚合物”可表示热固性(thermosetting)聚合物、热塑性(thermoplastic)聚合物、或及其混合物。举例而言，聚合基材料可包含塑料材料、环氧树脂(epoxyresin)、聚酰亚胺(polyimide)、聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate；pet)、聚氯乙烯(polyvinylchloride；pvc)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate；pmma)、掺杂有特定填料包含纤维、粘土、陶瓷、或无机颗粒的聚合物、或及其任意组合。在其他实施方式中，第二封胶物700与补偿结构300可为环氧树脂，像是环氧甲酚酚醛清漆(epoxycresolnovolac；ecn)、联苯环氧树脂(biphenylepoxyresin)、多官能基液态环氧树脂(multifunctionalliquidepoxyresin)、或及其任意组合。在其他实施方式中，第二封胶物700与补偿结构300可为包含一或多个填料的环氧树脂以提供具有多种期望特性的组合物。举例而言，填料可为铝、二氧化钛、碳黑(carbonblack)、碳酸钙(calciumcarbonate)、高岭土(kaolinclay)、云母(mica)、二氧化硅(silica)、滑石(talc)、木粉(woodflour)、或及其任意组合。于部分实施方式中，第二封胶物700与补偿结构300的材料可不同于第一介电层400的材料。

于部分实施方式中，补偿结构300、第一封胶物200(包含窄封胶部分210与宽封胶部分220)、与第二封胶物700(包含窄封胶部分710与宽封胶部分720)是由相同的材料所形成。因此，在形成第二封胶物700之后，补偿结构300是一体成形地连接第一封胶物200的窄封胶部分210。换句话说，补偿结构300一体成形地连接第一封胶物200的窄封胶部分210与第二封胶物700的窄封胶部分710。

于部分实施方式中，凹陷特征r是形成为一圆形孔洞，且补偿结构300是形成为一圆柱以共形地搭配圆形孔洞。于部分实施方式中，多个补偿结构300是位于第一介电层400中且位于半导体元件600的相对侧。具体而言，第二半导体元件600是位于多个窄封胶部分710之间，且补偿结构300是分别位于这些窄封胶部分710上。于部分实施方式中，多个补偿结构300可沿着窄封胶部分710的长度方向l2设置。于部分实施方式中，多个补偿结构300可沿着窄封胶部分710的宽度方向w2设置。部分实施方式中，多个补偿结构300可排列成阵列图案。

如图15所示，位于第二半导体元件600上方的第二封胶物700的一部分是被移除，从而暴露位于第二半导体元件600的上表面上的接触焊垫620与扇出通孔550。第二封胶物700的移除部分是通过研磨制程或化学抛光制程等执行。

如图16所示，第二介电层800是形成于第二半导体元件600与第二封胶物700上。导电特征，例如第二重分布层rdl2，是形成于第二介电层800中以电性连接第二半导体元件600的接触焊垫620与位于第二封胶物700中的扇出通孔550。于部分实施方式中，第二介电层800可包含至少一介电材料，例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介电常数的介电材料、超低介电常数的介电材料、一或多个介电材料、或及其任意组合。于部分实施方式中，第二重分布层rdl2可包含通孔插塞、接触插塞、镶嵌结构、双镶嵌结构、金属区域、金属线、或及其任意组合。通路插塞、接触插塞、镶嵌结构、双镶嵌结构、金属区域或金属线的材料可包含至少一导电材料，例如：钨、铝、铜、钛、钽、氮化钛、氮化钽、硅化镍、硅化钴、其他适当导电材料、或及其任意组合。于部分实施方式中，具有多个第二介电层800与多个第二重分布层rdl2。每一第二重分布层rdl2可被两个第二介电层800夹在中间。

随后，如图17所示，多个外连接器900是分别形成于第二介电层800的上表面所暴露的第二重分布层rdl2上的焊垫(未标示)，因此外连接器900是电性连接第二重分布层rdl2。举例而言，外连接器900可各别包含无铅合金(例如：金(au)、锡/银/铜(sn/ag/cu)合金、铜、铝、铝铜、导电化合物、其他凸块金属材料、或及其任意组合。于部分实施方式中，外连接器900可包含焊料连接器，如焊球。这些焊球可以阵列图案排列。外连接器900可因此形成球栅阵列(ballgridarray；bga)。通过使用重分布层rdl1与rdl2，第一半导体元件100的接触焊垫120的间距可扇出至外连接器900的间距。相似地，通过使用第二重分布层620，第二半导体元件600的接触焊垫620的间距可扇出至外连接器900的间距。随后，半导体封装可从承载晶圆w脱离，且附着层902亦可被清除而脱离半导体封装。随后，半导体封装可被切割成多个封装。最终结构如图18所示。

图19为依据本揭露的部分实施方式的半导体封装的剖面示意图。图20为图19的半导体封装的上视图，其中并未绘示第二介电层800、第二重分布层rdl2与外连接器900。如图19与图20所示，补偿结构300a是形成椭圆柱，而非圆柱。补偿结构300a一体成形地连接第一封胶物200的窄封胶部分210与第二封胶物700的窄封胶部分710。因此，椭圆柱补偿结构300a可减少半导体封装的不对称翘曲。椭圆柱补偿结构300a的其他特征是相似于前述的补偿结构300，因此在此不再赘述。

图21为依据本揭露的部分实施方式的半导体封装的剖面示意图。图22为图21的半导体元件的上视图，其中并未绘示第二介电层800、第二重分布层rdl2与外连接器900。如第21及22图所示，多个第一半导体元件100a是水平地分离。第一半导体元件100a具有相同或不同尺寸。第一半导体元件100a可能会增加第一封胶物200的窄封胶部分与宽封胶部分之间的体积差异，且此体积差异会增加窄封胶部分与宽封胶部分之间的收缩差异，从而增加第一封胶物200的不对称翘曲。由于补偿结构300可增加窄封胶部分210于其收缩方向的收缩，故一体成形地连接窄封胶部分210的补偿结构300可减少半导体封装的不对称翘曲。类似于前述的第一半导体元件100，每一第一半导体元件100a可为晶粒，此晶粒具有导电层以形成为接触焊垫120a，且接触焊垫120a是位于第一半导体元件100a的上表面上且可通过图案化制程与沉积制程形成。每一第一半导体元件100a可具有多个接触焊垫120a。接触焊垫120a的详细特征是类似于前述的接触焊垫120，因此在此不再赘述。

图23为依据本揭露的部分实施方式的半导体封装的剖面示意图。图24为图23的半导体封装上视图，其中并未绘示第二介电层800、第二重分布层rdl2与外连接器900。如图23及图24所示，补偿结构300a是形成椭圆柱，而非圆柱。椭圆柱补偿结构300a一体成形地连接窄封胶部分210与710。当半导体封装具有水平排列于第一封胶物200中的多个半导体元件100a时，椭圆柱补偿结构300a可减少此半导体封装的不对称翘曲。椭圆柱补偿结构300a的其他特征是类似于前述的补偿结构300，因此在此不再赘述。

由于位于介电层中的补偿结构可增加于一方向或多个方向上的收缩，封胶物的不同部分之间的收缩差异可被减少，从而减少由封胶物的不同部分之间的收缩差异所引起的不对称翘曲。于部分实施方式中，补偿结构是位于封胶物的窄封胶部分，以增加窄封胶部分于其一收缩方向或多个收缩方向上的收缩，因此由封胶物的窄封胶部分与宽封胶部分之间的收缩差异所引起的不对称翘曲可被减少。

依据本揭露的部分实施方式，半导体封装包含至少一第一半导体元件、第一封胶物、介电层、至少一导电特征与至少一补偿结构。第一封胶物是设置于第一半导体元件的至少一侧壁上。介电层是设置于第一封胶物与第一半导体元件上。导电特征是至少部分地设置于介电层中，且电性连接第一半导体元件。补偿结构是至少部分地设置于介电层中，且补偿结构是一体成形地连接第一封胶物。

依据本揭露的部分实施方式，其中第一封胶化合物具有一第一部分与一第二部分，第一部分是设置于第一半导体元件的一第一侧壁上，第二部分是设置于第一半导体元件的一第二侧壁上，第一部分比第二部分窄，且补偿结构是一体成形地连接第一部分。

依据本揭露的部分实施方式，其中第一封胶化合物具有一第一部分与一第二部分，第一部分是设置于第一半导体元件的一第一侧壁上，第二部分是设置于第一半导体元件的一第二侧壁上，第一部分比第二部分窄，且补偿结构是不存在于第二部分上。

依据本揭露的部分实施方式，其中补偿结构的材料与第一封胶化合物的材料是相同。

依据本揭露的部分实施方式，半导体封装还包含一第二半导体元件与第二封胶化合物。第二半导体元件设置于介电层上，且第二封胶化合物设置于第二半导体元件的至少一侧壁上。

依据本揭露的部分实施方式，其中补偿结构是一体成形地连接第二封胶化合物。

依据本揭露的部分实施方式，其中第二封胶化合物具有一第一部分与一第二部分，第一部分是设置于第二半导体元件的一第一侧壁上，第二部分是设置于第二半导体元件的一第二侧壁上，第一部分比第二部分窄，且补偿结构是一体成形地连接第一部分。

依据本揭露的部分实施方式，其中第二封胶化合物具有一第一部分与一第二部分，第一部分是设置于第二半导体元件的一第一侧壁上，第二部分是设置于第二半导体元件的一第二侧壁上，第一部分比第二部分窄，且补偿结构是不存在于第二部分上。

依据本揭露的部分实施方式，其中补偿结构的材料与第一封胶化合物的材料是相同。

依据本揭露的部分实施方式，其中多个的第一半导体元件是被第一封胶复合物所围绕。

依据本揭露的部分实施方式，其中半导体元件具有不同尺寸。

依据本揭露的部分实施方式，其中多个的补偿结构是设置于介电层中。

依据本揭露的部分实施方式，半导体封装包含至少一半导体元件、至少一窄封胶部分、至少一宽封胶部分与至少一补偿结构。半导体元件具有相邻的第一侧壁与第二侧壁。窄封胶部分是设置于半导体元件的第一侧壁上。宽封胶部分是设置于半导体元件的第二侧壁上。窄封胶部分比宽封胶部分窄。补偿结构是设置于窄封胶部分上，且补偿结构与窄封胶部分的材料是相同。

依据本揭露的部分实施方式，其中补偿结构是一体成形地连接窄封胶部分。

依据本揭露的部分实施方式，半导体封装还包含一封胶化合物与一介电层。介电层是设置于窄封胶部分与宽封胶部分之间。

依据本揭露的部分实施方式，其中补偿结构是通过介电层一体成形地连接窄封胶部分与封胶化合物。

依据本揭露的部分实施方式，其中介电层的材料与窄封胶部分的材料是不同。

依据本揭露的部分实施方式，其中封胶化合物具有一第一部分与一第二部分，第一部分是设置于一第二半导体元件的一第一侧壁上，第二部分是设置于第二半导体元件的一第二侧壁上，第一部分比第二部分窄，且补偿结构是一体成形地连接第一部分与窄封胶部分。

依据本揭露的部分实施方式，一种用于形成半导体封装的方法包含形成第一封胶物在至少一第一半导体元件的至少一侧壁上；形成至少一介电层在第一封胶物与第一半导体元件上；形成至少一凹陷特征在介电层中；设置至少一第二半导体元件在介电层上；以及形成第二封胶物在第二半导体元件的至少一侧壁上，且在形成第二封胶物之后，第二封胶物的至少一部分是形成于凹陷特征中。

依据本揭露的部分实施方式，形成半导体封装的方法还包含形成至少一导电特征在介电层中，且导电特征是电性连接第一半导体元件。

依据本揭露的部分实施方式，其中形成凹槽特征包含形成至少一通孔在介电层中以成为凹槽特征。

上述已概述数个实施方式的特征，因此熟悉此技艺者可更了解本揭露的态样。熟悉此技艺者应了解到，其可轻易地利用本揭露作为基础，来设计或润饰其他制程与结构，以实现与在此所介绍的实施方式相同的目的及/或达到相同的优点。熟悉此技艺者也应了解到，这类均等架构并未脱离本揭露的精神和范围，且熟悉此技艺者可在不脱离本揭露的精神和范围下，进行各种的更动、取代与润饰。