1.一种电子元件，其特征在于，包括金属导电层和非导电介质层；所述金属导电层的至少一面设有所述非导电介质层，所述非导电介质层的局部或全部为微孔性结构。
2.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层中孔洞率为2％-60％。
3.根据权利要求1或2所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层中分布的微孔大小为大于等于20纳米且小于等于100微米。
4.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层中的微孔性结构是通过在非导电介质层中压入气体而制备的结构。
5.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层中的微孔性结构是通过在非导电介质层中引入热氧化降解组分而制备的结构。
6.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层是通过注塑成型，或吹塑成型，或挤出成型，或热压成型，或烧结成型，或化泡成型而制备的结构。
7.根据权利要求1所述的一种电子元件，其特征在于，所述非导电介质层为高分子材料或无机材料。
8.根据权利要求7所述的一种电子元件，其特征在于，所述高分子材料包括PC,或PI,或LCP,或PC/ABS,或PA,或PA+GF,或PET,或PTFE,或FR4,或PC+GF,或LCP+GF，或丙烯酸胶，或天然橡胶，或合成橡胶，或硅胶，或凯芙拉增强材料。
9.根据权利要求7所述的一种电子元件，其特征在于，所述无机材料包括玻璃，或玻璃纤维增强材料，或二氧化硅，或陶瓷，或三氧化铝，或碳纤维增强材料。
10.一种天线，其特征在于，包括如权利要求1、2和4-9中任一所述的电子元件，所述金属导电层为天线辐射体，所述非导电介质层为天线基板。
11.一种传输线，其特征在于，包括如权利要求1、2和4-9中任一所述的电子元件，所述金属导电层为数据传输线或射频传输线，所述非导电介质层为传输线中包裹所述数据传输线或射频传输线的绝缘层。