技术总结
本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：半导体衬底；有源区，所述有源区包括多个单位有源区，且被设置在半导体衬底之上以及与半导体衬底间隔开；字线对，所述字线对被形成在单位有源区的顶表面和侧面上；虚设字线，所述虚设字线被设置在单位有源区的接触处，并被形成在单位有源区的顶表面和侧面上；源极区域，所述源极区域被形成在字线对之间的单位有源区中，并与半导体衬底电连接；漏极区域，所述漏极区域被形成在字线对与虚设字线之间的单位有源区中；以及第一储存层，所述第一储存被形成在漏极区域上并与漏极区域电连接。
技术研发人员：李章旭;金圣哲;崔康植;金锡基
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
文档号码：201610989412
技术研发日：2012.10.17
技术公布日：2017.06.13