1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
设置在衬底基板上的栅极；
设置有所述栅极的所述衬底基板上设置有栅极绝缘层；
设置有所述栅极绝缘层的所述衬底基板上设置有有源结构；
设置有所述有源结构的所述衬底基板上设置有源漏极；
其中，所述有源结构远离所述衬底基板的表面设置有凹孔，且部分所述源漏极嵌入所述凹孔内。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源结构包括有源层和缓冲层，
设置有所述栅极绝缘层的所述衬底基板上设置有所述有源层；
设置有所述有源层的所述衬底基板上设置有所述缓冲层，所述缓冲层远离所述衬底基板的表面设置有所述凹孔。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层包括源极缓冲块和漏极缓冲块，所述源漏极包括源极和漏极，
设置有所述源极缓冲块的所述衬底基板上设置有所述源极；
设置有所述漏极缓冲块的所述衬底基板上设置有所述漏极；
其中，所述源极缓冲块以及所述漏极缓冲块中的至少一个缓冲块远离所述衬底基板的表面设置有所述凹孔，所述源极以及所述漏极中的至少一个电极靠近所述衬底基板的表面设置有凸起，所述凸起嵌入所述凹孔内。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述源极缓冲块和所述漏极缓冲块远离所述衬底基板的表面均设置有所述凹孔，所述源极和所述漏极靠近所述衬底基板的表面均设置有凸起，所述源极上的凸起嵌入所述源极缓冲块上的凹孔内，所述漏极上的凸起嵌入所述漏极缓冲块上的凹孔内。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述凹孔的开口面为圆形、半圆形或者矩形。
6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极；
在形成有所述栅极的所述衬底基板上形成栅极绝缘层；
在形成有所述栅极绝缘层的所述衬底基板上形成有源结构；
在形成有所述有源结构的所述衬底基板上形成源漏极；
其中，所述有源结构远离所述衬底基板的表面形成有凹孔，且部分所述源漏极嵌入所述凹孔内。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述有源结构包括有源层和缓冲层，
所述在形成有所述栅极绝缘层的所述衬底基板上形成有源结构，包括：
在形成有所述栅极绝缘层的所述衬底基板上形成有源层；
在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成所述缓冲层，所述缓冲层远离所述衬底基板的表面设置有所述凹孔。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述缓冲层包括源极缓冲块和漏极缓冲块，所述源漏极包括源极和漏极，
所述在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成所述缓冲层，包括：
在形成有所述有源层的所述衬底基板上形成目标膜层；
通过一次构图工艺对所述目标膜层进行处理，得到两个初始缓冲块；
对至少一个所述初始缓冲块远离所述衬底基板的表面进行挖孔，得到所述源极缓冲块和所述漏极缓冲块；
所述在形成有所述有源结构的所述衬底基板上形成源漏极，包括：
在形成有所述源极缓冲块的所述衬底基板上形成所述源极；
在形成有所述漏极缓冲块的所述衬底基板上形成所述漏极；
其中，所述源极缓冲块和所述漏极缓冲块中的至少一个缓冲块远离所述衬底基板的表面形成有所述凹孔，所述源极以及所述漏极中的至少一个电极靠近所述衬底基板的表面设置有凸起，所述凸起嵌入所述凹孔内。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述对至少一个所述初始缓冲块远离所述衬底基板的表面进行挖孔，包括：
对每个所述初始缓冲块远离所述衬底基板的表面进行挖孔，得到所述源极缓冲块和所述漏极缓冲块；
其中，所述源极缓冲块以及所述漏极缓冲块远离所述衬底基板的表面均设置有所述凹孔，所述源极以及所述漏极靠近所述衬底基板的表面均设置有所述凸起，所述源极上的凸起嵌入所述源极缓冲块上的凹孔内，所述漏极上的凸起嵌入所述漏极缓冲块上的凹孔内。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至5任一所述的薄膜晶体管。