技术总结
本发明涉及一种抗PID效应的太阳能电池，其包括有晶体硅衬底、绒面、扩散发射结以及依次沉积在晶体硅衬底上的四层钝化减反射膜，第一层为非晶硅层，厚度为5‑8nm，第二层为SiNx，折射率为2.25‑2.35，厚度为6‑9nm，第三层SiNx的折射率为1.95‑2.05，厚度为60‑70nm，第四层为氧化铝，折射率为1.75‑1.85，厚度为3‑9nm。本发明抗PID效应效果好，并能够在传统氮化硅镀膜设备基础上进行生产，成本低。
技术研发人员：罗雷
受保护的技术使用者：罗雷
文档号码：201611075863
技术研发日：2016.11.25
技术公布日：2017.05.10