技术总结
本发明公开了一种优化低功耗产品漏电流的方法，通过以光刻胶为模板进行硬掩膜刻蚀，在硬掩膜刻蚀终点检测点即进行去胶，再以硬掩膜为模板，使用低偏压功率，高压力，大流量聚合物气体，在进行硬掩膜过刻蚀的同时，形成衬底基材顶部的圆滑形貌，因而改变了浅沟槽刻蚀过程中，由硬掩膜底部过渡到衬底基材顶部刻蚀的切换点，消除了传统在硬掩膜过刻蚀后去胶，再进行衬底基材刻蚀所带来的尖角形貌，从而达到在衬底顶部刻蚀的起始点即形成圆滑形貌，因此可从根本上杜绝浅沟槽顶部微观尖角形貌而导致的漏电流。
技术研发人员：许进;唐在峰;陈敏杰;任昱;吕煜坤
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201611076529
技术研发日：2016.11.30
技术公布日：2017.05.31